Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Analysis of defects of PV solar modules using deep level transient spectroscopy. Feasability and limits.
Autorzy :: Zaraket, Jean (AUTHOR)
Kokanyan, Ninel (AUTHOR)
Aillerie, Michel (AUTHOR)
Salame, Chafic (AUTHOR)
Salame, Chafic-Touma (AUTHOR)
Shaban, Auday (AUTHOR)
Jabur, Akram R (AUTHOR)
Haider, Adawiya J (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2020, Vol. 2307 Issue 1, p1-9. 9p.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: New Insights into the Thermally Activated Defects in n-Type Float-Zone Silicon.
Autorzy :: Yan Zhu
Rougieux, Fiacre
Grant, Nicholas
Mullins, Jack
Ann De Guzman, Joyce
Murphy, John D.
Markevich, Vladimir P.
Coletti, Gianluca
Peaker, Anthony R.
Hameiri, Ziv; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2019, Vol. 2147 Issue 1, p140014-1-140014-6. 6p.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: DLTS Study of Defect Distribution in Metal-Porous Silicon-Silicon Structures for Solar Application.
Autorzy :: Harmatha, Ladislav
Kosa, Arpad
Drobny, Jakub
Mikolasek, Miroslav
Svitac, Erik
Benko, Peter
Gregus, Ján
Bacová, Silvia
Zitto, Peter
Stuchlikova, Lubica; Pokaż więcej
Temat :: SOLAR power plants
SILICON solar cells
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL sample preparation
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2019, Vol. 2131 Issue 1, p020016-1-020016-4, 4p, 1 Chart, 2 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Deep-Level Transient Spectroscopy of InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices.
Autorzy :: Sobolev, M. M.
Nevedomskii, V. N.
Zolotareva, R. V.
Vasil'ev, A. P.
Ustinov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2014, Vol. 1583, p248-251. 4p. 1 Black and White Photograph, 2 Graphs.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Has substitutional nickel two acceptor- and one donor-level in Si?
Autorzy :: Scheffler, L.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2014, Vol. 1583, p85-89. 5p. 1 Chart, 5 Graphs.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Structural and Electrical Properties of AlN Layers Grown on Silicon by Reactive RF Magnetron Sputtering.
Autorzy :: Bazlov, N.
Pilipenko, N.
Vyvenko, O.
Kotina, I.
Petrov, Yu.
Mikhailovskii, V.
Ubyivovk, E.
Zharinov, V.; Pokaż więcej
Temat :: CRYSTAL structure
ELECTRIC properties of aluminum nitride
CRYSTAL growth
SILICON
MAGNETRON sputtering
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2016, Vol. 1748 Issue 1, p1-9, 9p, 3 Diagrams, 2 Charts, 4 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Defect Level Characterization of Silicon Nanowire Arrays: Towards Novel Experimental Paradigms.
Autorzy :: Carapezzi, Stefania
Castaldini, Antonio
Irrera, Alessia
Cavallini, Anna; Pokaż więcej
Temat :: SILICON nanowires
SURFACE texture
DEEP level transient spectroscopy
WET chemistry
ENERGY gaps (Physics)
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p263-267, 5p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 2 Charts, 2 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Nonradiative Coherent Carrier Captures and Defect Reaction at Deep-Level Defects via Phonon-Kick Mechanism.
Autorzy :: Masaki Wakita
Kei Suzuki
Yuzo Shinozuka; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTOR defects
RECOMBINATION in semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON research
PHOTONIC band gap structures
ENERGY gaps (Physics)
MECHANICAL vibration research
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p204-207, 4p, 1 Diagram, 1 Chart, 1 Graph
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Metastable Hydrogen-Related Defects in Epitaxial n-GaAs Studied by Laplace Deep Level Transient Spectroscopy.
Autorzy :: Soltanovich, O. A.
Kolkovsky, Vl.
Yakimov, E. B.
Weber, J.; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTOR defects
METAL organic chemical vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
ELECTROMAGNETIC fields
ELECTRIC fields
FIELD theory (Physics)
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p195-198, 4p, 4 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Investigation of Deep Level Defects in CdTe Thin Films.
Autorzy :: Shankar, H.
Castaldini, A.
Dieguez, E.
Dauksta, E.
Medvid, A.
Rubio, S.
Cavallini, A.; Pokaż więcej
Temat :: THIN films
OPTICAL properties
OPTICAL properties of semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
NANOSTRUCTURES
ACTIVATION energy
IRRADIATION
SOLAR cells
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p145-149, 5p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 3 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Surface Defect States in MBE-Grown CdTe Layers.
Autorzy :: Olender, Karolina
Wosinski, Tadeusz
Fronc, Krzysztof
Tkaczyk, Zbigniew
Chusnutdinow, Sergij
Karczewski, Grzegorz; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTOR devices
SEMICONDUCTOR surfaces
CADMIUM telluride
DEEP level transient spectroscopy
SURFACE states
ACTIVATION energy
IONIZATION energy
TUNNELING (Physics)
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p140-144, 5p, 5 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Laplace DLTS Investigation of Transition Metal-Hydrogen Complexes in Germanium.
Autorzy :: Gurimskaya, Y.
Mesli, A.; Pokaż więcej
Temat :: TRANSITION metal complexes
GERMANIUM compounds
DEEP level transient spectroscopy
LAPLACE transformation
FINE structure (Physics)
TRANSITION metals
CHEMICAL sample preparation
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p37-40, 4p, 1 Chart, 2 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Donor-Vacancy Pairs in Irradiated n-Ge: a Searching Look at the Problem.
Autorzy :: Emtsev, Vadim
Oganesyan, Gagik; Pokaż więcej
Temat :: GERMANIUM spectra
ENERGY levels (Quantum mechanics)
QUANTUM theory
DEEP level transient spectroscopy
HALL effect
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2014, Vol. 1583, p3-7, 5p, 2 Diagrams, 2 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Electrical Characterization of p-type 3C-SiC Epilayers Grown on n-type 6H-SiC by means of Sublimation Epitaxy.
Autorzy :: Tsirimpis, A.
Krieger, M.
Pensl, G.
Beshkova, M.
Syväjärvi, M.
Yakimova, R.; Pokaż więcej
Temat :: ELECTRIC properties of crystals
SILICON carbide
CRYSTAL growth
SUBLIMATION (Chemistry)
TEMPERATURE effect
POLYCRYSTALS
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 11/1/2010, Vol. 1292 Issue 1, p87-90, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Deep Level Transient Spectroscopy Technique to Analyze Radiation Induced Defects in Power Transistors.
Autorzy :: Prakash, A. P. Gnana; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 7/16/2011, Vol. 1349 Issue 1, p1077-1078. 2p.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Deep level transient spectroscopy study of energy levels in InAs/GaAs self-assembled quantum dots.
Autorzy :: Kim, J. S.
Lee, Y.-I.
Ha, L.
Kim, E. K.
Kim, J. O.
Lee, S. J.
Noh, S. K.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 1/4/2010, Vol. 1199 Issue 1, p295-296. 2p.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Coupling of quantum states in InAs/GaAs quantum dot molecule.
Autorzy :: Sobolev, M. M.
Zhukov, A. E.
Vasilev, A. P.
Semenova, E. S.
Mikhrin, V. S.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2007, Vol. 893 Issue 1, p787-788. 2p. 3 Graphs.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Constant Capacitance-DLTS on InAs-Quantum Dots embedded in Schottkydiodes.
Autorzy :: Schramm, A.
Schaefer, J.
Schulz, S.
Hansen, W.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2007, Vol. 893 Issue 1, p833-834. 2p. 2 Graphs.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Measurement of deep intrinsic defects in thin ZnO films via mid-infrared photocurrent spectroscopy.
Autorzy :: Frenzel, H.
Wenckstern, H. v.
Weber, A.
Biehne, G.
Hochmuth, H.
Lorenz, M.
Grundmann, M.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2007, Vol. 893 Issue 1, p301-302. 2p. 2 Graphs.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Electron trap energy levels in indium doped Cd0.85Mn0.15Te.
Autorzy :: Płaczek-Popko, E.
Wrobel, J. M.
Gubanski, A.
Fiałkowski, J.
Szatkowski, J.
Sieranski, K.
Becla, P.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2007, Vol. 893 Issue 1, p235-236. 2p. 1 Chart, 3 Graphs.
: Konferencja

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Język