Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Recovery at room temperature annealing on 4H–SiC SBDs by gamma irradiation.
Autorzy:: Li, Yun (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2024, Vol. 176, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Impact of carbon injection in 4H-SiC on defect formation and minority carrier lifetime.
Autorzy:: Bathen, Marianne Etzelmüller (AUTHOR)
Karsthof, Robert (AUTHOR)
Galeckas, Augustinas (AUTHOR)
Kumar, Piyush (AUTHOR)
Kuznetsov, Andrej Yu. (AUTHOR)
Grossner, Ulrike (AUTHOR)
Vines, Lasse (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2024, Vol. 176, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Al-implantation induced damage in 4H-SiC.
Autorzy:: Kumar, P. (AUTHOR)
Martins, M.I.M. (AUTHOR)
Bathen, M.E. (AUTHOR)
Prokscha, T. (AUTHOR)
Grossner, U. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. May2024, Vol. 174, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Advanced electrical characterization of AlN/Si based heterogeneous junction for photonic applications.
Autorzy:: Hassan, S. (AUTHOR)
Ahmed, S. (AUTHOR)
Ali, M. (AUTHOR)
Fahad, S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2022, Vol. 138, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: GaN surface sputter damage investigated using deep level transient spectroscopy.
Autorzy:: Tang, Xiaoyan (AUTHOR)
Hammersley, Simon (AUTHOR)
Markevich, Vladimir (AUTHOR)
Hawkins, Ian (AUTHOR)
Crowe, Iain (AUTHOR)
Martin, Trevor (AUTHOR)
Peaker, Tony (AUTHOR)
Halsall, Matthew (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. May2021, Vol. 126, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: A deep-level transient spectroscopy study of transition metals in n-type germanium
Autorzy:: Forment, S.
Vanhellemont, J.
Clauws, P.
Van Steenbergen, J.
Sioncke, S.
Meuris, M.
Simoen, E.
Theuwis, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p559-563. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: A deep-level transient spectroscopy study of Co- and Ni-germanided n-type germanium
Autorzy:: Opsomer, K.
Simoen, E.
Claeys, C.
Maex, K.
Detavernier, C.
Van Meirhaeghe, R.L.
Forment, S.
Clauws, P.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p554-558. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Hydrogen-related shallow donors in Ge crystals implanted with protons
Autorzy:: Pokotilo, Ju.M.
Petukh, A.N.
Litvinov, V.V.
Markevich, V.P.
Kazuchits, N.M.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p629-633. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Electrical characterization of defects introduced during electron beam deposition of Schottky contacts on n-type Ge
Autorzy:: Auret, F.D.
Meyer, W.E.
Coelho, S.
Hayes, M.
Nel, J.M.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p576-579. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Metals in germanium
Autorzy:: Clauws, P.
Simoen, E.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p546-553. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Defects induced by irradiation with fast neutrons in n-type germanium
Autorzy:: Kovačević, I.
Pivac, B.
Jac˘imović, R.
Khan, M.K.
Markevich, V.P.
Peaker, A.R.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p606-612. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Competition between internal and heavy doping gettering options in epi-silicon
Autorzy:: Frigeri, C.
Gombia, E.
Motta, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p74-77. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Electrical activity of deep levels in the presence of InAs/GaAs quantum dots
Autorzy:: Kaniewska, M.
Engström, O.
Barcz, A.
Pacholak-Cybulska, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p36-40. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Deep levels in Yb–Al co-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy
Autorzy:: Kaniewska, M.
Krukovsky, S.I.
Zayachuk, D.M.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p366-370. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
Autorzy:: Li, Z.
Li, C.J.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p283-287. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Effects of rapid thermal annealing on deep-level defects and optical properties of n-type GaAsBi alloys grown by molecular beam epitaxy at low temperature.
Autorzy:: Gelczuk, Łukasz (AUTHOR)
Kopaczek, Jan (AUTHOR)
Pucicki, Damian (AUTHOR)
Rockett, Thomas B.O. (AUTHOR)
Richards, Robert D. (AUTHOR)
Kudrawiec, Robert (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jan2024, Vol. 169, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Influence of device deposition techniques on the process optimization of CdZnTe thin-film matrix using charge-based analysis.
Autorzy:: Haider, Ijlal (AUTHOR)
Khan, Basit (AUTHOR)
Ali, Muhammad (AUTHOR)
Shuja, Ahmed (AUTHOR)
Qureshi, Asad Farooq (AUTHOR)
Ali, Zulfiqar (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2020, Vol. 114, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Isothermal deep-level transient spectroscopy study of metastable defects in hydrogen-implanted n-type silicon
Autorzy:: Tokuda, Yutaka
Nakamura, Wakana
Terashima, Hiroshi; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p288-291. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: The different behaviour of CiOi and CiCs defects in SiGe
Autorzy:: Tan, J.
Davies, G.
Hayama, S.
Markevich, V.P.; Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p58-61. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Carrier removal and transport in photonic integrated circuit ready InGaAsP/InP substrate: Electrical and transients of charges evaluation.
Autorzy:: Hussain, Khurram (AUTHOR)
Shuja, Ahmed (AUTHOR)
Ali, Muhammad (AUTHOR)
Fahad, Shah (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jan2021, Vol. 121, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Język

Rok publikacji