Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-20 z 46

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Electronic properties and transformation kinetics of two prominent metastable defects introduced in GaAs during sputter deposition of Au Schottky contacts
Autorzy :: Taghizadeh, F.
Janse van Rensburg, P.J.
Ostvar, K.
Meyer, W.E.
Auret, F.D.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials Science in Semiconductor Processing 15 August 2019 99:23-27
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: High resolution observation of defects at SiO2/4H-SiC interfaces using time-resolved scanning nonlinear dielectric microscopy
Autorzy :: Yamagishi, Y.
Cho, Y.; Pokaż więcej
Źródło :: In 29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis ( ESREF 2018 ), Microelectronics Reliability September 2018 88-90:242-245
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: DLTS study of InGaAs and GaAsN structures with different indium and nitrogen compositions
Autorzy :: Kosa, Arpad; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials Science in Semiconductor Processing February 2018 74:313-318
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Analysis of deep level defects in bipolar junction transistors irradiated by 2 MeV electrons
Autorzy :: Ma, Yao; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability December 2017 79:149-152
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers
Autorzy :: Miyazaki, T.; Pokaż więcej
Źródło :: In 16th international conference on Defects, Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Superlattices and Microstructures November 2016 99:197-201
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy
Autorzy :: Chinone, N.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Microelectronics Reliability September 2016 64:566-569
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Deep trap-induced dynamic on-resistance degradation in GaN-on-Si power MISHEMTs
Autorzy :: Sasikumar, A.
Arehart, A.R.
Cardwell, D.W.
Jackson, C.M.
Sun, W.
Zhang, Z.
Ringel, S.A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability January 2016 56:37-44
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Identification of an RF degradation mechanism in GaN based HEMTs triggered by midgap traps
Autorzy :: Sasikumar, A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability November 2015 55(11):2258-2262
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Low rate deep level transient spectroscopy - a powerful tool for defect characterization in wide bandgap semiconductors
Autorzy :: Schmidt, Florian; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics February 2014 92:40-46
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Charge carrier traffic at self-assembled Ge quantum dots on Si
Autorzy :: Kaniewska, M.; Pokaż więcej
Źródło :: In Selected Papers from the 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2012), Solid State Electronics May 2013 83:99-106
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Current transport mechanisms in Ru/Pd/n-GaN Schottky barrier diodes and deep level defect studies
Autorzy :: Rajagopal Reddy, V.
Nanda Kumar Reddy, N.; Pokaż więcej
Źródło :: In Superlattices and Microstructures September 2012 52(3):484-499
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Tailoring the Absorption Properties of Black Silicon
Autorzy :: Baumann, A.L.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the 2nd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics SiliconPV 2012, Energy Procedia 2012 27:480-484
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Study on carrier trapping and emission processes in InAs/GaAs self-assembled quantum dots by varying filling pulse width during DLTS measurements
Autorzy :: Kim, Jin Soak; Pokaż więcej
Źródło :: In NanoSEA2008, Superlattices and Microstructures 2009 46(1):312-317
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al + ion implanted 4H-SiC p +/n diodes
Autorzy :: Fabbri, F.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the 9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS 2008) Toledo (Spain), 29 June-3 July 2008, Superlattices and Microstructures 2009 45(4):383-387
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 46

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Publikacja

Język