Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Exceptional gettering response of epitaxially grown kerfless silicon
Współwytwórcy :
Buonassisi, T. [Massachusetts Inst. of Technology (MIT), Cambridge, MA (United States)]
Źródło :
Journal of Applied Physics; 119; 6
Materiał oryginalny :
EE0005314
Opis pliku :
Medium: ED; Size: Article No. 065101
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1237895
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies