Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-8 z 8

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Effects of compressive stress on the electronic states and atomic configurations of the Pt–H2 defect in silicon
Autorzy :: Kamiura, Yoichi
Sato, Kimihiro
Yamashita, Yoshifumi
Ishiyama, Takeshi; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Oct2006, Vol. 134 Issue 2/3, p213-217. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: A reliable procedure for the analysis of multiexponential transients that arise in deep level transient spectroscopy
Autorzy :: Hanine, M.
Masmoudi, M.
Marcon, J.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Dec2004, Vol. 114-115, p322-329. 8p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Electrical fingerprint of pipeline defects
Autorzy :: Mica, Isabella
Polignano, Maria Luisa
Marco, Cinzia De; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Dec2004, Vol. 114-115, p299-303. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Electrical and structural characterization of defects introduced in p-SiGe during low energy erbium implantation
Autorzy :: Mamor, M.
Pipeleers, B.
Auret, F.D.
Maes, J.
Hayne, M.
Moshchalkov, V.V.
Vantomme, A.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Dec2003, Vol. 105 Issue 1-3, p179. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Spectroscopy of metal related levels in Ge by transient infrared and microwave absorption techniques
Autorzy :: Gaubas, E.
Uleckas, A.
Grigonis, R.
Sirutkaitis, V.
Vanhellemont, J.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Dec2008, Vol. 154-155, p172-174. 3p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: High resolution deep level transient spectroscopy and process-induced defects in silicon
Autorzy :: Evans-Freeman, J.H.
Emiroglu, D.
Vernon-Parry, K.D.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Dec2004, Vol. 114-115, p307-311. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Negative-bias-temperature-instability in metal–insulator–semiconductor structures
Autorzy :: Volkos, S.N.
Peaker, A.R.
Hawkins, I.D.
Efthimiou, E.
Petkos, G.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Jun2004, Vol. 109 Issue 1-3, p127-130. 4p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Leakage current and deep levels in CoSi2 silicided junctions
Autorzy :: Codegoni, D.
Carnevale, G.P.
De Marco, C.
Mica, I.
Polignano, M.L.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science & Engineering: B. Dec2005, Vol. 124-125, p349-353. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-8 z 8

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu