Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC.
Autorzy :: Ruggiero, A.
Libertino, S.
Roccaforte, F.
La Via, F.
Calcagno, L.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2006, Vol. 82 Issue 3, p543-547. 5p. 4 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si.
Autorzy :: Zangenberg, N.R.
Larsen, A. Nylandsted; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2005, Vol. 80 Issue 5, p1081-1086. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Interaction of copper atoms with radiation-induced defects in silicon.
Autorzy :: Murin, L.
Medvedeva, I.
Markevich, V.; Pokaż więcej
Temat :: SILICON
SPECTRUM analysis
ELECTRIC currents
HALL effect
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: Inorganic Materials; Apr2010, Vol. 46 Issue 4, p333-338, 6p, 8 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Characterization of a metastable defect labeled EM3 in hydrogen-implanted n-type silicon using deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :: Tokuda, Yutaka
Takeshi Seo; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
HYDROGEN ions
ISOTHERMAL transformation diagrams
COOLING curves
PHOTOSYNTHETIC oxygen evolution
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p281-284, 4p, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Effect of electrical operation on the defect states in organic semiconductors.
Autorzy :: Nguyen, Thien
Renaud, Cédric
Chun Huang
Chih-Nan Lo
Chih-Wen Lee
Chain-Shu Hsu; Pokaż więcej
Temat :: ORGANIC semiconductors
ELECTRONICS
DIODES
POLYMERS
SPECTRUM analysis
DENSITY
DEEP level transient spectroscopy
ATMOSPHERE
NUCLEAR cross sections
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p92-95, 4p, 2 Charts, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Investigation of defects in polyhedral oligomeric silsesquioxanes based organic light emitting diodes.
Autorzy :: Renaud, Cédric
Josse, Yves
Chih-Wen Lee
Nguyen, Thien-Phap; Pokaż więcej
Temat :: SURFACE defects
LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR cross sections
SEMICONDUCTOR diodes
ACTIVATION (Chemistry)
POLYMERS
SEMICONDUCTORS
SPECTRUM analysis
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p87-91, 5p, 1 Chart, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Deep Level Transient Spectroscopy in Quantum Dot Characterization.
Autorzy :: Engström, O.
Kaniewska, M.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
QUANTUM dots
SPECTRUM analysis
TEMPERATURE
ELECTRONS
TUNNELING (Physics)
NANOSCIENCE
Źródło :: Nanoscale Research Letters; May2008, Vol. 3 Issue 5, p179-185, 7p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Characterization of HgCdTe Diodes on Si Substrates Using Temperature-Dependent Current-Voltage Measurements and Deep Level Transient Spectroscopy.
Autorzy :: Johnstone, D.
Golding, T. D.
Hellmer, R.
Dinan, J. H.
Carmody, M.; Pokaż więcej
Temat :: DIODES
VACUUM tubes
SPECTRUM analysis
DEEP level transient spectroscopy
ANNEALING of metals
MERCURY
CADMIUM
TELLURIDES
Źródło :: Journal of Electronic Materials; Aug2007, Vol. 36 Issue 8, p832-836, 5p, 8 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Properties of the oxygen vacancy in ZnO.
Autorzy :: Hofmann, D.M.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.K.
Tena-Zaera, R.
Munoz-Sanjose, V.
Frank, T.
Pensl, G.; Pokaż więcej
Temat :: ZINC oxide
ANNEALING of crystals
MAGNETIC resonance
OXYGEN
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
PHOTOLUMINESCENCE
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p147-151, 5p, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide.
Autorzy :: Frank, T.
Pensl, G.
Tena-Zaera, R.
Zúñiga-Pérez, J.
Martínez-Tomás, C.
Muñoz-Sanjosé, V.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Hofmann, D.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.; Pokaż więcej
Temat :: CRYSTAL defects
ZINC oxide
CRYSTAL growth
CRYSTAL lattices
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p141-145, 5p, 2 Diagrams, 4 Charts, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Lifetime and leakage current considerations in metal-doped germanium.
Autorzy :: Simoen, E.
Claeys, C.
Sioncke, S.
Steenbergen, J.
Meuris, M.
Forment, S.
Vanhellemont, J.
Clauws, P.
Theuwis, A.; Pokaż więcej
Temat :: GERMANIUM
DEEP level transient spectroscopy
TRANSITION metals
DENSITY
SPECTRUM analysis
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2007, Vol. 18 Issue 7, p799-804, 6p, 2 Charts, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Annealing kinetics of gold and iron–gold complex.
Autorzy :: Ali, Akbar
Majid, Abdul; Pokaż więcej
Temat :: GOLD
SPECTRUM analysis
MANUFACTURING processes
DEEP level transient spectroscopy
TEMPERATURE
Źródło :: Journal of Materials Science; Jul2007, Vol. 42 Issue 13, p4753-4756, 4p, 1 Chart, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Photoinduced current transient spectroscopy of high-resistivity layered GaSe crystals.
Autorzy :: Odrinsky, A. P.; Pokaż więcej
Temat :: SPECTRUM analysis
CRYSTALS spectra
GALLIUM compounds
OHMIC contacts
DEEP level transient spectroscopy
CRYSTAL lattices
Źródło :: Semiconductors; Jul2010, Vol. 44 Issue 7, p854-856, 3p, 1 Chart, 2 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Effect of temperature on thermally induced defects in silicon.
Autorzy :: Ali, Akbar
Majid, Abdul
Saleh, M. Nawaz; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
PHASE equilibrium
PHYSICAL metallurgy
THERMAL analysis
MICROPROBE analysis
PARTICLES (Nuclear physics)
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Mar2008, Vol. 19 Issue 3, p267-269, 3p, 1 Chart, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Publikacja

Język