Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-14 z 14
Tytuł :
Characterization of a metastable defect labeled EM3 in hydrogen-implanted n-type silicon using deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :
Tokuda, Yutaka
Takeshi Seo
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
HYDROGEN ions
ISOTHERMAL transformation diagrams
COOLING curves
PHOTOSYNTHETIC oxygen evolution
Źródło :
Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p281-284, 4p, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of electrical operation on the defect states in organic semiconductors.
Autorzy :
Nguyen, Thien
Renaud, Cédric
Chun Huang
Chih-Nan Lo
Chih-Wen Lee
Chain-Shu Hsu
Pokaż więcej
Temat :
ORGANIC semiconductors
ELECTRONICS
DIODES
POLYMERS
SPECTRUM analysis
DENSITY
DEEP level transient spectroscopy
ATMOSPHERE
NUCLEAR cross sections
Źródło :
Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p92-95, 4p, 2 Charts, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Investigation of defects in polyhedral oligomeric silsesquioxanes based organic light emitting diodes.
Autorzy :
Renaud, Cédric
Josse, Yves
Chih-Wen Lee
Nguyen, Thien-Phap
Pokaż więcej
Temat :
SURFACE defects
LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR cross sections
SEMICONDUCTOR diodes
ACTIVATION (Chemistry)
POLYMERS
SEMICONDUCTORS
SPECTRUM analysis
Źródło :
Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p87-91, 5p, 1 Chart, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Characterization of HgCdTe Diodes on Si Substrates Using Temperature-Dependent Current-Voltage Measurements and Deep Level Transient Spectroscopy.
Autorzy :
Johnstone, D.
Golding, T. D.
Hellmer, R.
Dinan, J. H.
Carmody, M.
Pokaż więcej
Temat :
DIODES
VACUUM tubes
SPECTRUM analysis
DEEP level transient spectroscopy
ANNEALING of metals
MERCURY
CADMIUM
TELLURIDES
Źródło :
Journal of Electronic Materials; Aug2007, Vol. 36 Issue 8, p832-836, 5p, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide.
Autorzy :
Frank, T.
Pensl, G.
Tena-Zaera, R.
Zúñiga-Pérez, J.
Martínez-Tomás, C.
Muñoz-Sanjosé, V.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Hofmann, D.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.
Pokaż więcej
Temat :
CRYSTAL defects
ZINC oxide
CRYSTAL growth
CRYSTAL lattices
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p141-145, 5p, 2 Diagrams, 4 Charts, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-14 z 14

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies