Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.
Autorzy :
Shashank, N. (AUTHOR)
Singh, Vikram (AUTHOR)
Gupta, SanjeevK. (AUTHOR)
Madhu, K.V. (AUTHOR)
Akhtar, J. (AUTHOR)
Damle, R. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Apr2011, Vol. 166 Issue 4, p313-322. 10p. 2 Charts, 7 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Transformation behavior of room-temperature-stable metastable defects in hydrogen-implanted n-type silicon studied by isothermal deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :
Tokuda, Yutaka
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 7/15/2006, Vol. 100 Issue 2, p023704. 8p. 4 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies