Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 119
Tytuł:
Deep-Level Transient Spectroscopy Studies on Four Different Zinc Oxide Morphologies
Autorzy:
Rusiri Rathnasekara
Grant M. Mayberry
Parameswar Hari
Pokaż więcej
Temat:
deep-level transient spectroscopy
defect energy levels
nanoribbons
nanoshuttles
capture cross-section
activation energy
Crystallography
QD901-999
Źródło:
Crystals, Vol 14, Iss 3, p 224 (2024)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://www.mdpi.com/2073-4352/14/3/224; https://doaj.org/toc/2073-4352
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/f85f5ebf51f14216a15d38d3b7f18237  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Electrical characteristics and deep-level transient spectroscopy of a fast-neutron-irradiated 4H–SiC Schottky barrier diode
Autorzy:
Junesic Park
Byung-Gun Park
Hani Baek
Gwang-Min Sun
Pokaż więcej
Temat:
Silicon carbide
Neutron irradiation
Radiation damage
Schottky barrier diode
Deep-level transient spectroscopy
Nuclear engineering. Atomic power
TK9001-9401
Źródło:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 55, Iss 1, Pp 201-208 (2023)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S173857332200403X; https://doaj.org/toc/1738-5733
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/55795bad06fe44969759e9d667a83330  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Thermal-annealing behavior of in-core neutron-irradiated epitaxial 4HSiC
Autorzy:
Junesic Park
Byung-Gun Park
Gwang-Min Sun
Pokaż więcej
Temat:
Silicon carbide
Neutron irradiation
Radiation damage
Thermal annealing
Deep-level transient spectroscopy
Nuclear engineering. Atomic power
TK9001-9401
Źródło:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 55, Iss 1, Pp 209-214 (2023)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1738573322004430; https://doaj.org/toc/1738-5733
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/03dac6ef77fe4d368fd3fbeb99237d15  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Deep Levels and Electron Paramagnetic Resonance Parameters of Substitutional Nitrogen in Silicon from First Principles
Autorzy:
Chloé Simha
Gabriela Herrero-Saboya
Luigi Giacomazzi
Layla Martin-Samos
Anne Hemeryck
Nicolas Richard
Pokaż więcej
Temat:
density functional theory
silicon
defects
electron paramagnetic resonance spectroscopy
deep-level transient spectroscopy
Chemistry
QD1-999
Źródło:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2123 (2023)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://www.mdpi.com/2079-4991/13/14/2123; https://doaj.org/toc/2079-4991
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/8c48c9a6e43c47639f88b6e6c5a92436  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Influence of PE-ALD of GaP on the Silicon Wafers Quality.
Autorzy:
Baranov, Artem I.
Gudovskikh, Alexander S.
Kudryashov, Dmitriy A.
Morozov, Ivan A.
Mozharov, Alexey M.
Nikitina, Ekaterina V.
Zelentsov, Kirill S.
Darga, Arouna
Le Gall, Sylvain
Kleider, Jean‐Paul
Pokaż więcej
Temat:
SILICON wafers
SPACE charge
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
SEMICONDUCTOR wafers
DIRECT energy conversion
SILICON solar cells
Źródło:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2017, Vol. 214 Issue 12, pn/a-N.PAG, 6p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Combining steady-state photo-capacitance spectra with first-principles calculations: the case of Fe and Ti in β-Ga2O3
Autorzy:
C Zimmermann
Y Kalmann Frodason
V Rønning
J B Varley
L Vines
Pokaż więcej
Temat:
defects in semiconductors
steady-state photo-capacitance
first-principles calculations
β-Ga2O3
deep-level transient spectroscopy
wide band gap semiconductors
Science
Physics
QC1-999
Źródło:
New Journal of Physics, Vol 22, Iss 6, p 063033 (2020)
Opis pliku:
electronic resource
Relacje:
https://doaj.org/toc/1367-2630
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/a979aa5b0b89436dbe8aea695dd7c466  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 119

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies