Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DEFECTS IN SILICON MULTILAYER STRUCTURES DOPED WITH HAFNIUM ATOMS.
Autorzy:: Kh., Daliev Shakhrukh
A., Ergashev Javokhir; Pokaż więcej
Źródło:: European Science Review. 2022, Issue 5/6, p25-28. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electron Emission from the Electronic States of Oxygen Precipitates in Oxygen‐Implanted Silicon.
Autorzy:: Danilov, Denis (AUTHOR)
Vyvenko, Oleg (AUTHOR)
Loshachenko, Anton (AUTHOR)
Sobolev, Nikolay (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Apr2022, Vol. 219 Issue 7, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Deep Levels and Electron Paramagnetic Resonance Parameters of Substitutional Nitrogen in Silicon from First Principles
Autorzy:: Chloé Simha
Gabriela Herrero-Saboya
Luigi Giacomazzi
Layla Martin-Samos
Anne Hemeryck
Nicolas Richard; Pokaż więcej
Temat:: density functional theory
silicon
defects
electron paramagnetic resonance spectroscopy
deep-level transient spectroscopy
Chemistry
QD1-999
Źródło:: Nanomaterials, Vol 13, Iss 14, p 2123 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2079-4991/13/14/2123; https://doaj.org/toc/2079-4991
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/8c48c9a6e43c47639f88b6e6c5a92436 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Impact of iron atoms on electronic properties of FZ n-Si with dislocations.
Autorzy:: Khorosheva, Мaria (AUTHOR)
Kveder, Vitaly (AUTHOR)
Tereshchenko, Alexey (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Oct2019, Vol. 570, p274-279. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Deep electronic states in ion-implanted Si.
Autorzy:: Evans-Freeman, J. H.
Emiroglu, D.
Gad, M. A.
Mitromara, N.
Vernon-Parry, K. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science. Feb2006, Vol. 41 Issue 3, p1007-1012. 6p. 1 Chart, 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si.
Autorzy:: Zangenberg, N.R.
Larsen, A. Nylandsted; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2005, Vol. 80 Issue 5, p1081-1086. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The Role of Si Self‐interstitial Atoms in the Formation of Electrically Active Defects in Reverse‐Biased Silicon n–p Diodes upon Irradiation with Alpha Particles.
Autorzy:: Aharodnikau, Dzmitriy A.
Lastovskii, Stanislau B.
Shpakovski, Sergei V.
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.; Pokaż więcej
Temat:: ALPHA rays
SILICON diodes
SPACE charge
ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2021, Vol. 218 Issue 23, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Nature of Ec-0.37 eV centers and the formation of high-resistivity layers in n-type silicon.
Autorzy:: Naumova, O. V.
Smirnov, L. S.
Stas’, V. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug97, Vol. 31 Issue 8, p847. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particles.
Autorzy:: Badylevich, M. V.
Blokhin, I. V.
Golovin, Yu. I.
Dmitrievskiĭ, A. A.
Kartsev, S. V.
Suchkova, N. Yu.
Tolotaev, M. Yu.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Dec2006, Vol. 40 Issue 12, p1375-1377. 3p. 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: A deep-level transient spectroscopy study of p-type silicon Schottky barriers containing a Si-O superlattice.
Autorzy:: Simoen, Eddy
Jayachandran, Suseendran
Delabie, Annelies
Caymax, Matty
Heyns, Marc; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (B). Apr2017, Vol. 254 Issue 4, pn/a-N.PAG. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Distinctive features of the creation of radiation-induced defects in p-Si by photon-assisted low-dose ion implantation.
Autorzy:: Barabanenkov, M. Yu.
Leonov, A. V.
Mordkovich, V. N.
Omelyanovskaya, N. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug99, Vol. 33 Issue 8, p821. 3p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: On the nature of defects produced by motion of dislocations in silicon.
Autorzy:: Khorosheva, M. A.
Kveder, V. V.
Seibt, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Aug2015, Vol. 212 Issue 8, p1695-1703. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: DLTS characterization of proton-implanted silicon under varying annealing conditions.
Autorzy:: Laven, J. G.
Jelinek, M.
Job, R.
Schustereder, W.
Schulze, H.‐J.
Rommel, M.
Frey, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (B). Nov2014, Vol. 251 Issue 11, p2189-2192. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Effects of Iron Contamination and Hydrogen Passivation on the Electrical Properties of Oxygen Precipitates in CZ-Si.
Autorzy:: Li, Jiyang
Song, Lihui
Yu, Xuegong
Yang, Deren; Pokaż więcej
Temat:: ELECTRIC properties of silicon
DEEP level transient spectroscopy
SPECTROMETRY
SOLAR cells
FOURIER transform infrared spectroscopy
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Sep2018, Vol. 47 Issue 9, p5039-5044, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Influence of PE-ALD of GaP on the Silicon Wafers Quality.
Autorzy:: Baranov, Artem I.
Gudovskikh, Alexander S.
Kudryashov, Dmitriy A.
Morozov, Ivan A.
Mozharov, Alexey M.
Nikitina, Ekaterina V.
Zelentsov, Kirill S.
Darga, Arouna
Le Gall, Sylvain
Kleider, Jean‐Paul; Pokaż więcej
Temat:: SILICON wafers
SPACE charge
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
SEMICONDUCTOR wafers
DIRECT energy conversion
SILICON solar cells
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2017, Vol. 214 Issue 12, pn/a-N.PAG, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Deep carrier traps in as grown isotopically pure Si FZ crystal.
Autorzy:: Mchedlidze, Teimuraz
Weber, Jörg
Abrosimov, Nikolay V.
Riemann, Helge; Pokaż więcej
Temat:: SILICON crystals
CRYSTAL growth
DEEP level transient spectroscopy
PHOTOLUMINESCENCE
AGGLOMERATES (Chemistry)
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jul2017, Vol. 214 Issue 7, pn/a-N.PAG, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Laplace deep level transient spectroscopy: Embodiment and evolution
Autorzy:: Peaker, A.R.
Markevich, V.P.
Hawkins, I.D.
Hamilton, B.
Bonde Nielsen, K.
Gościński, K.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Aug2012, Vol. 407 Issue 15, p3026-3030. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: DLTS spectra of silicon diodes with p+-n-junction irradiated with high energy krypton ions
Autorzy:: Nikolai A. Poklonski
Nikolay I. Gorbachuk
Sergey V. Shpakovski
Viktor A. Filipenia
Arkady S. Turtsevich
Sergey V. Shvedov
Nha Vo Quang
Nguyen Thi Thanh Binh
Vladimir A. Skuratov
Andreas D. Wieck; Pokaż więcej
Temat:: Deep-level transient spectroscopy
Irradiation-induced defects
Silicon
Diode
High energy ion implantation
Electronics
TK7800-8360
Źródło:: Modern Electronic Materials, Vol 2, Iss 2, Pp 48-50 (2016)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2452177916300494; https://doaj.org/toc/2452-1779
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/3147505172db43aaa5758e083dfd1b73 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Photoconductivity spectra and deep levels in the irradiated p Si detectors
Autorzy:: Kalendra, V.
Gaubas, E.
Kazukauskas, V.
Zasinas, E.
Vaitkus, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Jan2010, Vol. 612 Issue 3, p555-558. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji