- Tytuł:
- Al-implantation induced damage in 4H-SiC.
- Autorzy:
- Źródło:
- Materials Science in Semiconductor Processing. May2024, Vol. 174, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.