- Tytuł:
-
DLTS study of annihilation of oxidation induceddeep -level defects in Ni/SiO/ n-Si MOS structures. - Autorzy:
- Źródło:
- Bulletin of Materials Science. 2011, Vol. 34 Issue 7, p1627-1631. 5p. 1 Chart, 7 Graphs.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.