Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Inspection of the Defect State Using the Mobility Spectrum Analysis Method.
Autorzy:: Ahn, Il-Ho (AUTHOR)
Kim, Deuk Young (AUTHOR)
Yang, Woochul (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991). Aug2022, Vol. 12 Issue 16, p2773-2773. 11p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Investigation of high resistivity [formula omitted]-type FZ silicon diodes after 60Co [formula omitted]-irradiation.
Autorzy:: Liao, C. (AUTHOR)
Fretwurst, E. (AUTHOR)
Garutti, E. (AUTHOR)
Schwandt, J. (AUTHOR)
Pintilie, I. (AUTHOR)
Nitescu, A. (AUTHOR)
Himmerlich, A. (AUTHOR)
Moll, M. (AUTHOR)
Gurimskaya, Y. (AUTHOR)
Li, Z. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Apr2024, Vol. 1061, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Recovery at room temperature annealing on 4H–SiC SBDs by gamma irradiation.
Autorzy:: Li, Yun (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2024, Vol. 176, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Comparing the effect between room temperature and low temperature heavy ion irradiation by deep level transient spectroscopy.
Autorzy:: Gao, Xu (AUTHOR)
Wang, Xuanyu (AUTHOR)
Li, Yun (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. May2024, Vol. 550, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Characteristics of displacement defects in PNP transistors caused by heavy ion irradiation.
Autorzy:: Yang, Jianqun (AUTHOR)
Sun, Xiangsong (AUTHOR)
Yu, Xueqiang (AUTHOR)
Qin, Zhaohui (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Mar2020, Vol. 467, p86-90. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Defects in swift heavy ion irradiated n-4H-SiC.
Autorzy:: Tunhuma, S.M. (AUTHOR)
Diale, M. (AUTHOR)
Nel, J.M. (AUTHOR)
Madito, M.J. (AUTHOR)
Hlatshwayo, T.T. (AUTHOR)
Auret, F.D. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Dec2019, Vol. 460, p119-124. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.
Autorzy:: Shashank, N. (AUTHOR)
Singh, Vikram (AUTHOR)
Gupta, SanjeevK. (AUTHOR)
Madhu, K.V. (AUTHOR)
Akhtar, J. (AUTHOR)
Damle, R. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Apr2011, Vol. 166 Issue 4, p313-322. 10p. 2 Charts, 7 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: I-V , C-V and deep level transient spectroscopy study of 24 MeV proton-irradiated bipolar junction transistor.
Autorzy:: Madhu, K. V.
Kulkarni, S. R.
Damle, R.; Pokaż więcej
Źródło:: Pramana: Journal of Physics. Jan2010, Vol. 74 Issue 1, p97-107. 11p. 2 Charts, 8 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC.
Autorzy:: Ruggiero, A.
Libertino, S.
Roccaforte, F.
La Via, F.
Calcagno, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2006, Vol. 82 Issue 3, p543-547. 5p. 4 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Deep electronic states in ion-implanted Si.
Autorzy:: Evans-Freeman, J. H.
Emiroglu, D.
Gad, M. A.
Mitromara, N.
Vernon-Parry, K. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science. Feb2006, Vol. 41 Issue 3, p1007-1012. 6p. 1 Chart, 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si.
Autorzy:: Zangenberg, N.R.
Larsen, A. Nylandsted; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2005, Vol. 80 Issue 5, p1081-1086. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: The Role of Si Self‐interstitial Atoms in the Formation of Electrically Active Defects in Reverse‐Biased Silicon n–p Diodes upon Irradiation with Alpha Particles.
Autorzy:: Aharodnikau, Dzmitriy A.
Lastovskii, Stanislau B.
Shpakovski, Sergei V.
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.; Pokaż więcej
Temat:: ALPHA rays
SILICON diodes
SPACE charge
ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2021, Vol. 218 Issue 23, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particles.
Autorzy:: Badylevich, M. V.
Blokhin, I. V.
Golovin, Yu. I.
Dmitrievskiĭ, A. A.
Kartsev, S. V.
Suchkova, N. Yu.
Tolotaev, M. Yu.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Dec2006, Vol. 40 Issue 12, p1375-1377. 3p. 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Deep level transient spectroscopy (DLTS) study of defects introduced in antimony doped Ge by 2MeV proton irradiation
Autorzy:: Nyamhere, C.
Das, A.G.M.
Auret, F.D.
Chawanda, A.
Pineda-Vargas, C.A.
Venter, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Aug2011, Vol. 406 Issue 15/16, p3056-3059. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Characterization of electron irradiated GaN n –p diode
Autorzy:: Lee, Dong Uk
Kim, Eun Kyu
Lee, Byung Cheol
Oh, Dae Kon; Pokaż więcej
Źródło:: Thin Solid Films. Apr2008, Vol. 516 Issue 11, p3482-3485. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Identification of stable and metastable forms of centers in germanium
Autorzy:: Carvalho, A.
Torres, V.J.B.
Markevich, V.P.
Coutinho, J.
Litvinov, V.V.
Peaker, A.R.
Jones, R.
Briddon, P.R.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p192-195. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Electronic properties of defects in pulsed-laser deposition grown ZnO with levels at 300 and 370meV below the conduction band
Autorzy:: Auret, F. Danie
Meyer, W.E.
Janse van Rensburg, P.J.
Hayes, M.
Nel, J.M.
von Wenckstern, Holger
Schmidt, H.
Biehne, G.
Hochmuth, H.
Lorenz, M.
Grundmann, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p378-381. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: A study of the dependence of electron-induced defects on the doping impurity density in n-type germanium by deep-level transient spectroscopy (DLTS)
Autorzy:: Nyamhere, Cloud
Auret, F.D.
Das, A.G.M.
Chawanda, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p499-502. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Deep electronic states associated with a metastable hole trap in n-type GaN
Autorzy:: Emiroglu, D.
Evans-Freeman, J.H.
Kappers, M.J.
McAleese, C.
Humphreys, C.J.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p311-314. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Deep level transient spectroscopy of transition metal impurities in germanium
Autorzy:: Clauws, P.
Van Gheluwe, J.
Lauwaert, J.
Simoen, E.
Vanhellemont, J.
Meuris, M.
Theuwis, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p188-191. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Rok publikacji