Temat: "DEEP level transient spectroscopy" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Probing the trap states in N–i–P Sb2(S,Se)3 solar cells by deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :: Lian, Weitao (AUTHOR)
Tang, Rongfeng (AUTHOR)
Ma, Yuyuan (AUTHOR)
Wu, Chunyan (AUTHOR)
Chen, Chao (AUTHOR)
Wang, Xiaomin (AUTHOR)
Fang, Fang (AUTHOR)
Zhang, Jianwang (AUTHOR)
Wang, Zheng (AUTHOR)
Ju, Huanxin (AUTHOR)
Zhu, Changfei (AUTHOR)
Chen, Tao (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Chemical Physics. 9/28/2020, Vol. 153 Issue 12, p1-7. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Deep-level defects in high-voltage AlGaAs p–i–n diodes and the effect of these defects on the temperature dependence of the minority carrier lifetime.
Autorzy :: Sobolev, M. M. (AUTHOR)
Soldatenkov, F. Y. (AUTHOR)
Danil'chenko, V. G. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 9/7/2020, Vol. 128 Issue 9, p1-6. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Compensation in (2¯01) homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
Autorzy :: Eisner, Brian A.
Ranga, Praneeth
Bhattacharyya, Arkka
Krishnamoorthy, Sriram
Scarpulla, Michael A.; Pokaż więcej
Temat :: THIN films
METAL organic chemical vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
HOMOEPITAXY
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTAL orientation
Źródło :: Journal of Applied Physics; 11/21/2020, Vol. 128 Issue 19, p1-9, 9p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Gelczuk, Ł. (AUTHOR)
Dąbrowska-Szata, M. (AUTHOR)
Kolkovsky, Vl. (AUTHOR)
Sochacki, M. (AUTHOR)
Szmidt, J. (AUTHOR)
Gotszalk, T. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-6. 6p. 2 Charts, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Identification of the donor and acceptor states of the bond-centered hydrogen–carbon pair in Si and diluted SiGe alloys.
Autorzy :: Stübner, R. (AUTHOR)
Kolkovsky, Vl. (AUTHOR)
Weber, J. (AUTHOR)
Abrosimov, N. V. (AUTHOR)
Stanley, C. M. (AUTHOR)
Backlund, D. J. (AUTHOR)
Estreicher, S. K. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 1/31/2020, Vol. 127 Issue 4, p1-12. 12p. 3 Diagrams, 3 Charts, 16 Graphs, 1 Map.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Deep donors and acceptors in β-Ga2O3 crystals: Determination of the Fe2+/3+ level by a noncontact method.
Autorzy :: Lenyk, C. A. (AUTHOR)
Gustafson, T. D. (AUTHOR)
Halliburton, L. E. (AUTHOR)
Giles, N. C. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 12/28/2019, Vol. 126 Issue 24, p1-9. 9p. 8 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: On the alloying and strain effects of divacancy energy level in n-type Si1 − xGex.
Autorzy :: Mamor, Mohammed (AUTHOR)
Bouziane, Khalid (AUTHOR)
Maaza, Malik (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 12/21/2019, Vol. 126 Issue 23, p1-4. 4p. 3 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Process-induced defects in Au-hyperdoped Si photodiodes.
Autorzy :: Lim, S. Q. (AUTHOR)
Lew, C. T.-K. (AUTHOR)
Chow, P. K. (AUTHOR)
Warrender, J. M. (AUTHOR)
Williams, J. S. (AUTHOR)
Johnson, B. C. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 12/14/2019, Vol. 126 Issue 22, p1-9. 9p. 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Three-step growth of highly photoresponsive BaSi2 light absorbing layers with uniform Ba to Si atomic ratios.
Autorzy :: Yamashita, Yudai (AUTHOR)
Sato, Takuma (AUTHOR)
Saitoh, Noriyuki (AUTHOR)
Yoshizawa, Noriko (AUTHOR)
Toko, Kaoru (AUTHOR)
Suemasu, Takashi (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 12/7/2019, Vol. 126 Issue 21, p1-7. 7p. 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Deep-level defects in gallium oxide.
Autorzy :: Wang, Zhengpeng (AUTHOR)
Chen, Xuanhu (AUTHOR)
Ren, Fang-Fang (AUTHOR)
Gu, Shulin (AUTHOR)
Ye, Jiandong (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics. 1/28/2021, Vol. 54 Issue 4, p1-31. 31p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Wakimoto, Hiroki (AUTHOR)
Matsumoto, Takashi (AUTHOR)
Yano, Koji (AUTHOR)
Muranaka, Tsutomu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: AIP Advances. Dec2020, Vol. 10 Issue 12, p1-9. 9p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Defect states and their electric field-enhanced electron thermal emission in heavily Zr-doped β-Ga2O3 crystals.
Autorzy :: Sun, Rujun (AUTHOR)
Ooi, Yu Kee (AUTHOR)
Bhattacharyya, Arkka (AUTHOR)
Saleh, Muad (AUTHOR)
Krishnamoorthy, Sriram (AUTHOR)
Lynn, Kelvin G. (AUTHOR)
Scarpulla, Michael A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 11/23/2020, Vol. 117 Issue 21, p1-6. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Analysis of defects of PV solar modules using deep level transient spectroscopy. Feasability and limits.
Autorzy :: Zaraket, Jean (AUTHOR)
Kokanyan, Ninel (AUTHOR)
Aillerie, Michel (AUTHOR)
Salame, Chafic (AUTHOR)
Salame, Chafic-Touma (AUTHOR)
Shaban, Auday (AUTHOR)
Jabur, Akram R (AUTHOR)
Haider, Adawiya J (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2020, Vol. 2307 Issue 1, p1-9. 9p.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide-semiconductor power transistors.
Autorzy :: Huang, Sen (AUTHOR)
Wang, Xinhua (AUTHOR)
Liu, Xinyu (AUTHOR)
Zhao, Rui (AUTHOR)
Shi, Wen (AUTHOR)
Zhang, Yichuan (AUTHOR)
Fan, Jie (AUTHOR)
Yin, Haibo (AUTHOR)
Wei, Ke (AUTHOR)
Zheng, Yingkui (AUTHOR)
Shi, Jingyuan (AUTHOR)
Wang, Xiaolei (AUTHOR)
Wang, Wenwu (AUTHOR)
Sun, Qian (AUTHOR)
Chen, Kevin J. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 10/28/2019, Vol. 126 Issue 16, pN.PAG-N.PAG. 8p. 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Deep trap analysis in green light emitting diodes: Problems and solutions.
Autorzy :: Polyakov, A. Y. (AUTHOR)
Shmidt, N. M. (AUTHOR)
Smirnov, N. B. (AUTHOR)
Shchemerov, I. V. (AUTHOR)
Shabunina, E. I. (AUTHOR)
Tal'nishnih, N. A. (AUTHOR)
Lee, In-Hwan (AUTHOR)
Alexanyan, L. A. (AUTHOR)
Tarelkin, S. A. (AUTHOR)
Pearton, S. J. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG. 8p. 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Influence of growth temperature on defect states throughout the bandgap of MOCVD-grown β-Ga2O3.
Autorzy :: Ghadi, Hemant (AUTHOR)
McGlone, Joe F. (AUTHOR)
Feng, Zixuan (AUTHOR)
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin (AUTHOR)
Zhao, Hongping (AUTHOR)
Arehart, Aaron R. (AUTHOR)
Ringel, Steven A. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 10/26/2020, Vol. 117 Issue 17, p1-6. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Defect studies on short-wave infrared photovoltaic devices based on HgTe nanocrystals/TiO2 heterojunction.
Autorzy :: Sreeshma, D (AUTHOR)
Janani, B (AUTHOR)
Jagtap, Amardeep (AUTHOR)
Abhale, Atul (AUTHOR)
Rao, K S R Koteswara (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nanotechnology. 9/18/2020, Vol. 31 Issue 38, p1-12. 12p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC.
Autorzy :: Capan, Ivana (AUTHOR)
Brodar, Tomislav (AUTHOR)
Yamazaki, Yuichi (AUTHOR)
Oki, Yuya (AUTHOR)
Ohshima, Takeshi (AUTHOR)
Chiba, Yoji (AUTHOR)
Hijikata, Yasuto (AUTHOR)
Snoj, Luka (AUTHOR)
Radulović, Vladimir (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Sep2020, Vol. 478, p224-228. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation.
Autorzy :: Uvarov, A V (AUTHOR)
Gudovskikh, A S (AUTHOR)
Nevedomskiy, V N (AUTHOR)
Baranov, A I (AUTHOR)
Kudryashov, D A (AUTHOR)
Morozov, I A (AUTHOR)
Kleider, J-P (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics. 8/19/2020, Vol. 53 Issue 34, p1-6. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :: Wen, Wei-Chen
Yamamoto, Keisuke
Wang, Dong
Nakashima, Hiroshi; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 20, pN.PAG-N.PAG. 11p. 5 Diagrams, 9 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21 21.

Tytuł :: Degradation in AlGaN-based UV-C LEDs under constant current stress: A study on defect behaviors.
Autorzy :: Wang, Ying-Zhe (AUTHOR)
Zheng, Xue-Feng (AUTHOR)
Zhu, Jia-Duo (AUTHOR)
Xu, Lin-Lin (AUTHOR)
Xu, Sheng-Rui (AUTHOR)
Liang, Ren-Li (AUTHOR)
Dai, Jiang-Nan (AUTHOR)
Li, Pei-Xian (AUTHOR)
Zhou, Xiao-Wei (AUTHOR)
Mao, Wei (AUTHOR)
Zhang, Jin-Cheng (AUTHOR)
Ma, Xiao-Hua (AUTHOR)
Hao, Yue (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 5/18/2020, Vol. 116 Issue 20, p1-5. 5p. 1 Diagram, 4 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22 22.

Tytuł :: Characterization of traps in InAlN by optically and thermally stimulated deep level defect spectroscopies.
Autorzy :: Farzana, Esmat
Foronda, Humberto M.
Jackson, Christine M.
Razzak, Towhidur
Zhang, Zeng
Speck, James S.
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 14, pN.PAG-N.PAG. 8p. 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23 23.

Tytuł :: Deep level transient spectroscopy study of heavy ion implantation induced defects in silicon.
Autorzy :: Lew, C. T.-K.
Johnson, B. C.
McCallum, J. C.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 12, pN.PAG-N.PAG. 7p. 7 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24 24.

Tytuł :: Thermally activated defects in float zone silicon: Effect of nitrogen on the introduction of deep level states.
Autorzy :: Mullins, Jack
Markevich, Vladimir P.
Vaqueiro-Contreras, Michelle
Grant, Nicholas E.
Jensen, Leif
Jabłoński, Jarosław
Murphy, John D.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 3, pN.PAG-N.PAG. 9p. 1 Chart, 9 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25 25.

Tytuł :: An Automated Measuring System for Current Deep-Level Transient Spectroscopy.
Autorzy :: Ermachikhin, A. V.
Litvinov, V. G.; Pokaż więcej
Źródło :: Instruments & Experimental Techniques. Mar2018, Vol. 61 Issue 2, p277-282. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 26 26.

Tytuł :: Effect of electric field on radiation defects in NPN transistors.
Autorzy :: Yang, Jianqun (AUTHOR)
Gao, Yi (AUTHOR)
Jiao, Qiang (AUTHOR)
Wei, Yidan (AUTHOR)
Li, Hongxia (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Mar2020, Vol. 467, p114-117. 4p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27 27.

Tytuł :: Characteristics of displacement defects in PNP transistors caused by heavy ion irradiation.
Autorzy :: Yang, Jianqun (AUTHOR)
Sun, Xiangsong (AUTHOR)
Yu, Xueqiang (AUTHOR)
Qin, Zhaohui (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Mar2020, Vol. 467, p86-90. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28 28.

Tytuł :: Ti- and Fe-related charge transition levels in β−Ga2O3.
Autorzy :: Zimmermann, Christian (AUTHOR)
Frodason, Ymir Kalmann (AUTHOR)
Barnard, Abraham Willem (AUTHOR)
Varley, Joel Basile (AUTHOR)
Irmscher, Klaus (AUTHOR)
Galazka, Zbigniew (AUTHOR)
Karjalainen, Antti (AUTHOR)
Meyer, Walter Ernst (AUTHOR)
Auret, Francois Danie (AUTHOR)
Vines, Lasse (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 2/18/2020, Vol. 116 Issue 7, p1-5. 5p. 2 Charts, 3 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29 29.

Tytuł :: Electrical characterization of GaN Schottky barrier diode at cryogenic temperatures.
Autorzy :: Chen, Jiaxiang (AUTHOR)
Zhu, Min (AUTHOR)
Lu, Xing (AUTHOR)
Zou, Xinbo (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 2/10/2020, Vol. 116 Issue 6, p1-5. 5p. 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30 30.

Tytuł :: Dynamic Performance and Characterization of Traps Using Different Measurements Techniques for the New AlGaN/GaN HEMT of 0.15- $\mu$ m Ultrashort Gate Length.
Autorzy :: Bouslama, Mohamed
Gillet, Vincent
Chang, Christophe
Nallatamby, Jean-Christophe
Sommet, Raphael
Prigent, Michel
Quere, Raymond
Lambert, Benoit; Pokaż więcej
Źródło :: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques. Jul2019, Vol. 67 Issue 7, p2475-2482. 8p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31 31.

Tytuł :: On the recombination centers of iron-gallium pairs in Ga-doped silicon.
Autorzy :: Nærland, Tine Uberg
Bernardini, Simone
Haug, Halvard
Grini, Sigbjørn
Vines, Lasse
Stoddard, Nathan
Bertoni, Mariana; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2017, Vol. 122 Issue 8, p1-10. 10p. 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32 32.

Tytuł :: New Insights into the Thermally Activated Defects in n-Type Float-Zone Silicon.
Autorzy :: Yan Zhu
Rougieux, Fiacre
Grant, Nicholas
Mullins, Jack
Ann De Guzman, Joyce
Murphy, John D.
Markevich, Vladimir P.
Coletti, Gianluca
Peaker, Anthony R.
Hameiri, Ziv; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings. 2019, Vol. 2147 Issue 1, p140014-1-140014-6. 6p.
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33 33.

Tytuł :: Effect of H2 on interface traps in the LPNP transistors caused by 3 MeV proton irradiations.
Autorzy :: Yang, Jianqun (AUTHOR)
Hua, Zhengyong (AUTHOR)
Wu, Xue (AUTHOR)
Lei, Dong (AUTHOR)
Li, Hongxia (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Jan2020, Vol. 463, p64-68. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34 34.

Tytuł :: Reliability improvement of electrically active defect investigations by analytical and experimental deep level transient: Fourier spectroscopy investigations.
Autorzy :: Kosa, Arpad (AUTHOR)
Sciana, Beata (AUTHOR)
Stuchlikova, Lubica (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electrical Engineering. 2019, Vol. 70 Issue 7, p27-35. 9p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35 35.

Tytuł :: Defects in swift heavy ion irradiated n-4H-SiC.
Autorzy :: Tunhuma, S.M. (AUTHOR)
Diale, M. (AUTHOR)
Nel, J.M. (AUTHOR)
Madito, M.J. (AUTHOR)
Hlatshwayo, T.T. (AUTHOR)
Auret, F.D. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Dec2019, Vol. 460, p119-124. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36 36.

Tytuł :: Defect suppression and photoresponsivity enhancement in methylammonium lead halide perovskites by CdSe/ZnS quantum dots
Autorzy :: Vu, Thi Kim Oanh; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Colloid And Interface Science January 2020
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37 37.

Tytuł :: Electric field dependence of major electron trap emission in bulk β-Ga2O3: Poole–Frenkel effect versus phonon-assisted tunneling.
Autorzy :: Polyakov, A Y
Lee, In-Hwan
Smirnov, N B
Shchemerov, I V
Vasilev, A A
Chernykh, A V
Pearton, S J; Pokaż więcej
Temat :: POOLE-Frenkel effect
ELECTRON traps
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC fields
ELECTRON emission
ELECTRON tunneling
POLARONS
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics; 7/22/2020, Vol. 53 Issue 30, p1-9, 9p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38 38.

Tytuł :: Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.
Autorzy :: Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.; Pokaż więcej
Temat :: INDUCTIVE effect
ELECTRON impact ionization
NEAR-fields
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
TUNNELING (Physics)
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11, 11p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39 39.

Tytuł :: Impact of Traps on the Adjacent Channel Power Ratios of GaN HEMTs.
Autorzy :: Sun, Wenyuan
Jimenez, Jose L.
Arehart, Aaron R.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
ALUMINUM gallium nitride
Źródło :: IEEE Electron Device Letters; Jun2020, Issue 6, p816-819, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40 40.

Tytuł :: Study of single-layer stacking faults in 4H–SiC by deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Feklisova, O. V. (AUTHOR)
Yakimov, E. E. (AUTHOR)
Yakimov, E. B. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 4/27/2020, Vol. 116 Issue 17, p1-3. 3p. 1 Diagram, 2 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41 41.

Tytuł :: Detection of electron emission as DLTS signal in CdTe solar cells.
Autorzy :: Ding, Y. M.
Cheng, Z.
Tan, X.
Misra, D.
Delahoy, A. E.
Chin, K. K.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2016, Vol. 120 Issue 13, p1-8. 8p. 2 Charts, 9 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42 42.

Tytuł :: Donor and double-donor transitions of the carbon vacancy related EH6/7 deep level in 4H-SiC.
Autorzy :: Booker, I. D.
Janzén, E.
Son, N. T.
Hassan, J.
Stenberg, P.
Sveinbjörnsson, E. Ö.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 6/21/2016, Vol. 119 Issue 23, p235703-1-235703-9. 9p. 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43 43.

Tytuł :: A physical model for the reverse leakage current in (In,Ga)N/GaN light-emitting diodes based on nanowires.
Autorzy :: Musolino, M.
van Treeck, D.
Tahraoui, A.
Scarparo, L.
De Santi, C.
Meneghini, M.
Zanoni, E.
Geelhaar, L.
Riechert, H.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2016, Vol. 119 Issue 4, p1-10. 10p. 2 Color Photographs, 1 Chart, 7 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44 44.

Tytuł :: Identification of critical buffer traps in Si δ-doped β-Ga2O3 MESFETs.
Autorzy :: McGlone, Joe F. (AUTHOR)
Xia, Zhanbo (AUTHOR)
Joishi, Chandan (AUTHOR)
Lodha, Saurabh (AUTHOR)
Rajan, Siddharth (AUTHOR)
Ringel, Steven (AUTHOR)
Arehart, Aaron R. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 10/7/2019, Vol. 115 Issue 15, pN.PAG-N.PAG. 5p. 1 Diagram, 4 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45 45.

Tytuł :: Impact of iron atoms on electronic properties of FZ n-Si with dislocations.
Autorzy :: Khorosheva, Мaria (AUTHOR)
Kveder, Vitaly (AUTHOR)
Tereshchenko, Alexey (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Physica B. Oct2019, Vol. 570, p274-279. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46 46.

Tytuł :: Hole trap, leakage current and barrier inhomogeneity in (Pt/Au)[sbnd]Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructures.
Autorzy :: Saadaoui, Salah (AUTHOR)
Fathallah, Olfa (AUTHOR)
Albouchi, Fethi (AUTHOR)
Mongi Ben Salem, Mohamed (AUTHOR)
Gaquière, Christophe (AUTHOR)
Maaref, Hassen (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Physics & Chemistry of Solids. Sep2019, Vol. 132, p157-161. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47 47.

Tytuł :: The stability study of numerical solution of Fredholm integral equations of the first kind with emphasis on its application in boundary elements method
Autorzy :: Hosseinzadeh, Hossein; Pokaż więcej
Źródło :: In Applied Numerical Mathematics December 2020 158:134-151
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48 48.

Tytuł :: Laplace deep level transient spectroscopy on self-assembled quantum dots.
Autorzy :: Schnorr, L.
Heinzel, T.
Scholz, S.
Ludwig, A.
Wieck, A. D.; Pokaż więcej
Temat :: QUANTUM dots
LAPLACE distribution
DEEP level transient spectroscopy
SPECTROMETRY
QUANTUM electronics
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 10, pN.PAG-N.PAG, 8p, 3 Charts, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49 49.

Tytuł :: Interaction between the divacancy and hydrogen in silicon: Observation of fast and slow kinetics.
Autorzy :: Kolevatov, I. L.
Svensson, B. G.
Monakhov, E. V.; Pokaż więcej
Temat :: SILICON
HYDROGEN
DEEP level transient spectroscopy
SPECTROMETRY
SPECTRUM analysis
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 8, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Chart, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50 50.

Tytuł :: Investigation of the structural, optical and electrical properties of indium-doped TiO2 thin films grown by Pulsed Laser Deposition technique on low and high index GaAs planes
Autorzy :: Al mashary, Faisal S.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials Science & Engineering B September 2020 259
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51 51.

Tytuł :: Deep defect levels in CuInSe2 single crystals using DLTS, MCTS and photoacoustic spectroscopy.
Autorzy :: Benhenni, Azidine (AUTHOR)
Satour, Fatima Zohra (AUTHOR)
Zouaoui, Ahmed (AUTHOR)
Zegadi, Ameur (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Infrared Physics & Technology. Jun2019, Vol. 99, p172-177. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52 52.

Tytuł :: New view on the variation of forward conduction mechanisms derived from electrical stress in UV-A light emitting diodes.
Autorzy :: Wang, Ying-Zhe (AUTHOR)
Zheng, Xue-Feng (AUTHOR)
Zhu, Jia-Duo (AUTHOR)
Li, Pei-Xian (AUTHOR)
Ma, Xiao-Hua (AUTHOR)
Hao, Yue (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Superlattices & Microstructures. Jun2019, Vol. 130, p208-214. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53 53.

Tytuł :: Effect of electron injection on defect reactions in irradiated silicon containing boron, carbon, and oxygen.
Autorzy :: Makarenko, L. F.
Lastovskii, S. B.
Yakushevich, H. S.
Moll, M.
Pintilie, I.; Pokaż więcej
Temat :: COMPARATIVE studies
ELECTRIC properties of silicon
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION
ANNEALING of metals
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 7p, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54 54.

Tytuł :: Defects induced by solid state reactions at the tungsten-silicon carbide interface.
Autorzy :: Tunhuma, S. M.
Diale, M.
Legodi, M. J.
Nel, J. M.
Thabete, T. T.
Auret, F. D.; Pokaż więcej
Temat :: SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTAL defects
SOLID state physics
SILICON carbide
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Black and White Photograph, 2 Charts, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55 55.

Tytuł :: Thermally stimulated capacitance in gamma irradiated epitaxial 4H-SiC Schottky barrier diodes.
Autorzy :: Vigneshwara Raja, P.
Narasimha Murty, N. V. L.; Pokaż więcej
Temat :: SCHOTTKY barrier diodes
GAMMA rays
SILICON carbide
PHOTODETECTORS
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 9p, 2 Diagrams, 2 Charts, 11 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56 56.

Tytuł :: Surface acceptor states in MBE-grown CdTe layers.
Autorzy :: Wichrowska, Karolina
Wosinski, Tadeusz
Tkaczyk, Zbigniew
Kolkovsky, Valery
Karczewski, Grzegorz; Pokaż więcej
Temat :: MOLECULAR beam epitaxy
CADMIUM telluride
SURFACE defects
DEEP level transient spectroscopy
ACTIVATION energy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 6p, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57 57.

Tytuł :: Deep level transient spectroscopic analysis of p/n junction implanted with boron in n-type silicon substrate.
Autorzy :: Wakimoto, Hiroki
Nakazawa, Haruo
Matsumoto, Takashi
Nabetani, Yoichi; Pokaż więcej
Temat :: PIN diodes
P-N junctions (Semiconductors)
DEEP level transient spectroscopy
SILICON crystals
ELECTRON traps
SEMICONDUCTOR defects
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 5p, 2 Diagrams, 4 Charts, 8 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58 58.

Tytuł :: Exploration of the two-diode model of deep level transient spectroscopy signal originating from secondary barriers.
Autorzy :: Wiśniewski, K.
Urbaniak, A.
Zabierowski, P.; Pokaż więcej
Źródło :: Thin Solid Films. Mar2019, Vol. 674, p76-81. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59 59.

Tytuł :: Defect mapping of active layer of CdTe solar cells using charge deep level transient spectroscopy (Q-DLTS).
Autorzy :: Fahad, S. (AUTHOR)
Noman, M. (AUTHOR)
Qureshi, A.F. (AUTHOR)
Ali, M. (AUTHOR)
Ahmed, S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Engineering Failure Analysis. Jan2021, Vol. 119, pN.PAG-N.PAG. 1p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60 60.

Tytuł :: Deep traps in InGaN/GaN single quantum well structures grown with and without InGaN underlayers.
Autorzy :: Polyakov, A.Y. (AUTHOR)
Haller, C. (AUTHOR)
Butté, R. (AUTHOR)
Smirnov, N.B. (AUTHOR)
Alexanyan, L.A. (AUTHOR)
Kochkova, A.I. (AUTHOR)
Shikoh, S.A. (AUTHOR)
Shchemerov, I.V. (AUTHOR)
Chernykh, A.V. (AUTHOR)
Lagov, P.B. (AUTHOR)
Pavlov, Yu S. (AUTHOR)
Carlin, J.-F. (AUTHOR)
Mosca, M. (AUTHOR)
Grandjean, N. (AUTHOR)
Pearton, S.J. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Alloys & Compounds. Dec2020, Vol. 845, pN.PAG-N.PAG. 1p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61 61.

Tytuł :: Oxygen- and photoresist-related interface states of 4H-SiC Schottky diode observed by deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :: Hong Jeon Kang
Jeong Hyun Moon
Wook Bahng
Suhyeong Lee
Hyunwoo Kim
Sang-Mo Koo
Dohyun Lee
Dongwha Lee
Hoon-Young Cho
Jaeyeong Heo
Hyeong Joon Kim; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTORS
SCHOTTKY barrier diodes
DEEP level transient spectroscopy
X-ray photoelectron spectroscopy
SCANNING electron microscopy
PHOTORESISTS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 122 Issue 9, p1-6, 6p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 2 Charts, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62 62.

Tytuł :: Current-mode deep level transient spectroscopy of a semiconductor nanowire field-effect transistor.
Autorzy :: Isakov, Ivan
Sourribes, Marion J. L.
Warburton, Paul A.; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTORS
NANOWIRES
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC capacity
ACTIVATION energy
ZINC oxide
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 122 Issue 9, p1-8, 8p, 2 Charts, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63 63.

Tytuł :: Density of defect states retrieved from the hysteretic gate transfer characteristics of monolayer MoS2 field effect transistors.
Autorzy :: Xu, Qiang
Sun, Yingri
Yang, Peng
Dan, Yaping; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Advances. Jan2019, Vol. 9 Issue 1, pN.PAG-N.PAG. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64 64.

Tytuł :: Isolated Ti in Si: Deep level transient spectroscopy, minority carrier transient spectroscopy, and high-resolution Laplace deep level transient spectroscopy studies.
Autorzy :: Scheffler, L.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2015, Vol. 117 Issue 4, p045713-1-045713-7. 7p. 1 Chart, 8 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65 65.

Tytuł :: Hole traps associated with high-concentration residual carriers in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy.
Autorzy :: Omar Elleuch
Li Wang
Kan-Hua Lee
Koshiro Demizu
Kazuma Ikeda
Nobuaki Kojima
Yoshio Ohshita
Masafumi Yamaguchi; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2015, Vol. 117 Issue 4, p045712-1-045712-5. 5p. 1 Chart, 8 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66 66.

Tytuł :: Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.
Autorzy :: Noor ul Huda Khan Asghar, H.
Gilani, Zaheer
Awan, M.
Ahmad, I.
Tan, Yi; Pokaż więcej
Źródło :: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Jan2015, Vol. 40 Issue 1, p263-268. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 67 67.

Tytuł :: Electrical characterisation of deep level defects created by bombarding the n-type 4H-SiC with 1.8 MeV protons.
Autorzy :: Omotoso, E.
Paradzah, A.T.
Janse Van Rensburg, P.J.
Legodi, M.J.
Auret, F.D.
Igumbor, E.
Danga, H.T.
Diale, M.
Meyer, W.E.; Pokaż więcej
Źródło :: Surface & Coatings Technology. Dec2018, Vol. 355, p2-6. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68 68.

Tytuł :: Impact of band to band tunneling in In0.53Ga0.47As tunnel diodes on the deep level transient spectra.
Autorzy :: Gupta, S.
Simoen, E.
Loo, R.
Smets, Q.
Verhulst, A. S.
Lauwaert, J.
Vrielinck, H.
Heyns, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 12/3/2018, Vol. 113 Issue 23, pN.PAG-N.PAG. 5p. 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69 69.

Tytuł :: Defect identification based on first-principles calculations for deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Wickramaratne, Darshana
Dreyer, Cyrus E.
Monserrat, Bartomeu
Shen, Jimmy-Xuan
Lyons, John L.
Alkauskas, Audrius
Van de Walle, Chris G.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 11/5/2018, Vol. 113 Issue 19, pN.PAG-N.PAG. 5p. 1 Diagram, 3 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70 70.

Tytuł :: Electrical levels in nickel doped silicon.
Autorzy :: Scheffler, L.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 116 Issue 17, p173704-1-173704-8. 8p. 1 Diagram, 1 Chart, 12 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71 71.

Tytuł :: Identification of nitrogen- and host-related deep-level traps in n-type GaNAs and their evolution upon annealing.
Autorzy :: Gelczuk, Ł.
Kudrawiec, R.
Henini, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 116 Issue 1, p013705-1-013705-9. 9p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72 72.

Tytuł :: DLTS Study of Defect Distribution in Metal-Porous Silicon-Silicon Structures for Solar Application.
Autorzy :: Harmatha, Ladislav
Kosa, Arpad
Drobny, Jakub
Mikolasek, Miroslav
Svitac, Erik
Benko, Peter
Gregus, Ján
Bacová, Silvia
Zitto, Peter
Stuchlikova, Lubica; Pokaż więcej
Temat :: SOLAR power plants
SILICON solar cells
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL sample preparation
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2019, Vol. 2131 Issue 1, p020016-1-020016-4, 4p, 1 Chart, 2 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73 73.

Tytuł :: Breakdown Walkout in Polarization-Doped Vertical GaN Diodes.
Autorzy :: Fabris, Elena
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Li, Wenshen
Gao, Xiang
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace; Pokaż więcej
Temat :: INDIUM gallium nitride
AVALANCHE photodiodes
DIODES
DEEP level transient spectroscopy
STRIKES & lockouts
BREAKDOWN voltage
OPTICAL spectroscopy
Źródło :: IEEE Transactions on Electron Devices; Nov2019, Vol. 66 Issue 11, p4597-4603, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74 74.

Tytuł :: C-DLTS interface defects in Al0.22Ga0.78N/GaN HEMTs on SiC: Spatial location of E2 traps.
Autorzy :: Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.
Mghaieth, R.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica E. Oct2018, Vol. 104, p216-222. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75 75.

Tytuł :: Characterization of Defects in AlGaN/GaN HEMTs Based on Nonlinear Microwave Current Transient Spectroscopy.
Autorzy :: Benvegnu, Agostino
Laurent, Sylvain
Jardel, Olivier
Muraro, Jean-Luc
Meneghini, Matteo
Barataud, Denis
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Quere, Raymond; Pokaż więcej
Źródło :: IEEE Transactions on Electron Devices. May2017, Vol. 64 Issue 5, p2135-2141. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76 76.

Tytuł :: Transformation of divacancies to divacancy-oxygen pairs in p-type Czochralski-silicon; mechanism of divacancy diffusion.
Autorzy :: Ganagona, N.
Vines, L.
Monakhov, E. V.
Svensson, B. G.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 115 Issue 3, p1-5. 5p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 77 77.

Tytuł :: On the capability of deep level transient spectroscopy for characterizing multi-crystalline silicon.
Autorzy :: Mchedlidze, T.
Nacke, M.
Hieckmann, E.
Weber, J.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 115 Issue 1, p1-5. 5p. 2 Black and White Photographs, 3 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78 78.

Tytuł :: Donor levels of the divacancy-oxygen defect in silicon.
Autorzy :: Markevich, V. P.
Peaker, A. R.
Hamilton, B.
Lastovskii, S. B.
Murin, L. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 115 Issue 1, p1-6. 6p. 1 Chart, 7 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 79 79.

Tytuł :: Analysis of Deep Level Trap Effects in Transistor Lasers.
Autorzy :: HORRI, A.
MIRMOEINI, S.
FAEZ, R.; Pokaż więcej
Źródło :: Lasers in Engineering (Old City Publishing). 2013, Vol. 25 Issue 5/6, p313-322. 10p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 80 80.

Tytuł :: DLTS Study of plastically deformed copper-doped n-type germanium.
Autorzy :: Shevchenko, S.
Kolyubakin, A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. Jun2013, Vol. 47 Issue 6, p849-855. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 81 81.

Tytuł :: Charge deep-level transient spectroscopy of SiO2 and Al2O3 layers with embedded Ge nanocrystals.
Autorzy :: Antonova, I. V.
Popov, V. I.
Smagulova, S. A.
Jedrzejewski, J.
Balberg, I.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. Feb2013, Vol. 113 Issue 8, p084308. 7p. 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82 82.

Tytuł :: Assessing mobile ions contributions to admittance spectra and current-voltage characteristics of 3D and 2D/3D perovskite solar cells.
Autorzy :: Shikoh, Ali Sehpar (AUTHOR)
Paek, Sanghyun (AUTHOR)
Polyakov, Alexander Y. (AUTHOR)
Smirnov, Nikolai B. (AUTHOR)
Shchemerov, Ivan V. (AUTHOR)
Saranin, Danila S. (AUTHOR)
Didenko, Sergey I. (AUTHOR)
Ahmad, Zubair (AUTHOR)
Touati, Farid (AUTHOR)
Nazeeruddin, Mohammad Khaja (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Solar Energy Materials & Solar Cells. Sep2020, Vol. 215, pN.PAG-N.PAG. 1p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83 83.

Tytuł :: Influence of device deposition techniques on the process optimization of CdZnTe thin-film matrix using charge-based analysis.
Autorzy :: Haider, Ijlal (AUTHOR)
Khan, Basit (AUTHOR)
Ali, Muhammad (AUTHOR)
Shuja, Ahmed (AUTHOR)
Qureshi, Asad Farooq (AUTHOR)
Ali, Zulfiqar (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2020, Vol. 114, pN.PAG-N.PAG. 1p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 84 84.

Tytuł :: The fine structure of electron irradiation induced EL2-like defects in n-GaAs.
Autorzy :: Tunhuma, S. M.
Auret, F. D.
Legodi, M. J.
Diale, M.; Pokaż więcej
Temat :: IRRADIATION
ELECTRONS
SCHOTTKY barrier diodes
GALLIUM arsenide
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 119 Issue 14, p145705-1-145705-5, 5p, 2 Charts, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 85 85.

Tytuł :: Electronic properties and transformation kinetics of two prominent metastable defects introduced in GaAs during sputter deposition of Au Schottky contacts
Autorzy :: Taghizadeh, F.
Janse van Rensburg, P.J.
Ostvar, K.
Meyer, W.E.
Auret, F.D.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials Science in Semiconductor Processing 15 August 2019 99:23-27
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 86 86.

Tytuł :: Low-Frequency Noises and DLTS Studies in HgCdTe MWIR Photodiodes.
Autorzy :: Guinedor, P.
Brunner, A.
Rubaldo, L.
Bauza, D.
Reimbold, G.
Billon-Lanfrey, D.; Pokaż więcej
Temat :: BURST noise
DEEP level transient spectroscopy
PHOTODIODES
NOISE
ELECTRO-optical effects
Źródło :: Journal of Electronic Materials; Oct2019, Vol. 48 Issue 10, p6113-6117, 5p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 87 87.

Tytuł :: Electrical characterization and comparison of CIGS solar cells made with different structures and fabrication techniques
Współwytwórcy :: Mansfield, Lorelle [National Renewable Energy Lab. (NREL), Golden, CO (United States)] (ORCID:0000000272064105)
Źródło :: Solar Energy Materials and Solar Cells; 174; C
Materiał oryginalny :: NREL/JA--5K00-67143
AC36-08GO28308
Opis pliku :: Medium: ED; Size: p. 77-83
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1389740
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88 88.

Tytuł :: Comparison of Gain Degradation and Deep Level Transient Spectroscopy in pnp Si Bipolar Junction Transistors Irradiated With Different Ion Species.
Autorzy :: Aguirre, B. A.
Bielejec, E.
Fleming, R. M.
Vizkelethy, G.
Vaandrager, B.
Campbell, J.
Martin, W. J.
King, D. B.; Pokaż więcej
Źródło :: IEEE Transactions on Nuclear Science. Jan2017, Vol. 64 Issue 1, part 1, p190-196. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 89 89.

Tytuł :: Characterizing slow state near Si-SiO 2 in MOS structure.
Autorzy :: Guenifi, N.
Bauza, D.
Mahamdi, R.; Pokaż więcej
Źródło :: Phosphorus, Sulfur & Silicon & the Related Elements. 2018, Vol. 193 Issue 2, p88-91. 4p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 90 90.

Tytuł :: Deep level relaxation spectroscopy and nondestructive testing of potential defects in the semiconductor electronic component base
Autorzy :: V. P. Krylov
A. M. Bogachev
T. Yu. Pronin; Pokaż więcej
Temat :: semiconductor components
potential defect
deep level transient spectroscopy
frequency scanning
Electronics
TK7800-8360
Źródło :: Радиопромышленность, Vol 29, Iss 2, Pp 35-44 (2019)
Opis pliku :: electronic resource
Relacje :: https://www.radioprom.org/jour/article/view/486; https://doaj.org/toc/2413-9599; https://doaj.org/toc/2541-870X
Dostęp URL :: https://doaj.org/article/e758ba0d199445399cb85a03e0f2c9a7
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 91 91.

Tytuł :: Evolution of radiation defects in NPN bipolar junction transistors irradiated by 3 MeV protons
Autorzy :: Liu, Chaoming; Pokaż więcej
Źródło :: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 April 2019 444:50-53
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 92 92.

Tytuł :: Capacitance spectroscopy study of deep levels in Cl-implanted 4H-SiC.
Autorzy :: Alfieri, G.
Kimoto, T.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. Sep2012, Vol. 112 Issue 6, p063717. 4p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 93 93.

Tytuł :: A deep acceptor defect responsible for the yellow luminescence in GaN and AlGaN.
Autorzy :: Kamyczek, P.
Placzek-Popko, E.
Kolkovsky, Vl.
Grzanka, S.
Czernecki, R.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. Jun2012, Vol. 111 Issue 11, p113105. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 94 94.

Tytuł :: Investigation of defect states in heavily dislocated thin silicon films.
Autorzy :: Mchedlidze, T.
Kittler, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Physics. Mar2012, Vol. 111 Issue 5, p053706. 7p. 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 95 95.

Tytuł :: Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS.
Autorzy :: Ke, Xiao-yu
Ming, Si-ting
Wang, Duo-wei
Li, Tong
Liu, Bing-yan
Cao, Shu-rui
Ma, Yao
Li, Yun
Yang, Zhi-mei
Gong, Min
Huang, Ming-min
Bi, Jin-shun
Xu, Yan-nan
Xi, Kai
Xu, Gao-bo
Majumdar, Sandip; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
GAMMA rays
RADIATION
CAPACITORS
ELECTRIC capacity
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jun2019, Vol. 30 Issue 12, p11079-11085, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 96 96.

Tytuł :: Deep trap spectra of Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire.
Autorzy :: Polyakov, A. Y.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Yakimov, E. B.
Nikolaev, V. I.
Stepanov, S. I.
Pechnikov, A. I.
Chernykh, A. V.
Shcherbachev, K. D.
Shikoh, A. S.
Kochkova, A.
Vasilev, A. A.
Pearton, S. J.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
EPITAXIAL layers
SAPPHIRES
IONIZATION energy
GASES
Źródło :: APL Materials; May2019, Vol. 7 Issue 5, pN.PAG-N.PAG, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 97 97.

Tytuł :: Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage.
Autorzy :: Polyakov, A. Y.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Yakimov, E. B.
Yang, Jiancheng
Ren, F.
Yang, Gwangseok
Kim, Jihyun
Kuramata, A.
Pearton, S. J.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics Letters. 1/20/2018, Vol. 112 Issue 3, p032107-1-N.PAG. 5p. 1 Chart, 4 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 98 98.

Tytuł :: Injection deep level transient spectroscopy: An improved method for measuring capture rates of hot carriers in semiconductors
Współwytwórcy :: Campbell, J. [Sandia National Laboratories (SNL-NM), Albuquerque, NM (United States)]
Źródło :: Journal of Applied Physics; 118; 1
Materiał oryginalny :: SAND--2015-5982J
AC04-94AL85000
Opis pliku :: Medium: ED; Size: Article No. 015703
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1239986
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 99 99.

Tytuł :: Comparison of gain degradation and deep level transient spectroscopy in pnp Si bipolar junction transistors irradiated with different ion species
Współwytwórcy :: King, D. [Sandia National Lab. (SNL-NM), Albuquerque, NM (United States)]
Źródło :: IEEE Transactions on Nuclear Science; 64; 1
Materiał oryginalny :: SAND--2016-6546C
AC04-94AL85000
Opis pliku :: Medium: ED; Size: p. 190-196
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1356233
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 100 100.

Tytuł :: Exceptional gettering response of epitaxially grown kerfless silicon
Współwytwórcy :: Buonassisi, T. [Massachusetts Inst. of Technology (MIT), Cambridge, MA (United States)]
Źródło :: Journal of Applied Physics; 119; 6
Materiał oryginalny :: EE0005314
Opis pliku :: Medium: ED; Size: Article No. 065101
Dostęp URL :: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1237895
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język