Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""DEEP level transient spectroscopy"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Probing the trap states in N–i–P Sb2(S,Se)3 solar cells by deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :
Lian, Weitao (AUTHOR)
Tang, Rongfeng (AUTHOR)
Ma, Yuyuan (AUTHOR)
Wu, Chunyan (AUTHOR)
Chen, Chao (AUTHOR)
Wang, Xiaomin (AUTHOR)
Fang, Fang (AUTHOR)
Zhang, Jianwang (AUTHOR)
Wang, Zheng (AUTHOR)
Ju, Huanxin (AUTHOR)
Zhu, Changfei (AUTHOR)
Chen, Tao (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Chemical Physics. 9/28/2020, Vol. 153 Issue 12, p1-7. 7p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Compensation in (2¯01) homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
Autorzy :
Eisner, Brian A.
Ranga, Praneeth
Bhattacharyya, Arkka
Krishnamoorthy, Sriram
Scarpulla, Michael A.
Pokaż więcej
Temat :
THIN films
METAL organic chemical vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
HOMOEPITAXY
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTAL orientation
Źródło :
Journal of Applied Physics; 11/21/2020, Vol. 128 Issue 19, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Identification of the donor and acceptor states of the bond-centered hydrogen–carbon pair in Si and diluted SiGe alloys.
Autorzy :
Stübner, R. (AUTHOR)
Kolkovsky, Vl. (AUTHOR)
Weber, J. (AUTHOR)
Abrosimov, N. V. (AUTHOR)
Stanley, C. M. (AUTHOR)
Backlund, D. J. (AUTHOR)
Estreicher, S. K. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 1/31/2020, Vol. 127 Issue 4, p1-12. 12p. 3 Diagrams, 3 Charts, 16 Graphs, 1 Map.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide-semiconductor power transistors.
Autorzy :
Huang, Sen (AUTHOR)
Wang, Xinhua (AUTHOR)
Liu, Xinyu (AUTHOR)
Zhao, Rui (AUTHOR)
Shi, Wen (AUTHOR)
Zhang, Yichuan (AUTHOR)
Fan, Jie (AUTHOR)
Yin, Haibo (AUTHOR)
Wei, Ke (AUTHOR)
Zheng, Yingkui (AUTHOR)
Shi, Jingyuan (AUTHOR)
Wang, Xiaolei (AUTHOR)
Wang, Wenwu (AUTHOR)
Sun, Qian (AUTHOR)
Chen, Kevin J. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 10/28/2019, Vol. 126 Issue 16, pN.PAG-N.PAG. 8p. 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep trap analysis in green light emitting diodes: Problems and solutions.
Autorzy :
Polyakov, A. Y. (AUTHOR)
Shmidt, N. M. (AUTHOR)
Smirnov, N. B. (AUTHOR)
Shchemerov, I. V. (AUTHOR)
Shabunina, E. I. (AUTHOR)
Tal'nishnih, N. A. (AUTHOR)
Lee, In-Hwan (AUTHOR)
Alexanyan, L. A. (AUTHOR)
Tarelkin, S. A. (AUTHOR)
Pearton, S. J. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG. 8p. 6 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC.
Autorzy :
Capan, Ivana (AUTHOR)
Brodar, Tomislav (AUTHOR)
Yamazaki, Yuichi (AUTHOR)
Oki, Yuya (AUTHOR)
Ohshima, Takeshi (AUTHOR)
Chiba, Yoji (AUTHOR)
Hijikata, Yasuto (AUTHOR)
Snoj, Luka (AUTHOR)
Radulović, Vladimir (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Sep2020, Vol. 478, p224-228. 5p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Degradation in AlGaN-based UV-C LEDs under constant current stress: A study on defect behaviors.
Autorzy :
Wang, Ying-Zhe (AUTHOR)
Zheng, Xue-Feng (AUTHOR)
Zhu, Jia-Duo (AUTHOR)
Xu, Lin-Lin (AUTHOR)
Xu, Sheng-Rui (AUTHOR)
Liang, Ren-Li (AUTHOR)
Dai, Jiang-Nan (AUTHOR)
Li, Pei-Xian (AUTHOR)
Zhou, Xiao-Wei (AUTHOR)
Mao, Wei (AUTHOR)
Zhang, Jin-Cheng (AUTHOR)
Ma, Xiao-Hua (AUTHOR)
Hao, Yue (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics Letters. 5/18/2020, Vol. 116 Issue 20, p1-5. 5p. 1 Diagram, 4 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ti- and Fe-related charge transition levels in β−Ga2O3.
Autorzy :
Zimmermann, Christian (AUTHOR)
Frodason, Ymir Kalmann (AUTHOR)
Barnard, Abraham Willem (AUTHOR)
Varley, Joel Basile (AUTHOR)
Irmscher, Klaus (AUTHOR)
Galazka, Zbigniew (AUTHOR)
Karjalainen, Antti (AUTHOR)
Meyer, Walter Ernst (AUTHOR)
Auret, Francois Danie (AUTHOR)
Vines, Lasse (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics Letters. 2/18/2020, Vol. 116 Issue 7, p1-5. 5p. 2 Charts, 3 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Dynamic Performance and Characterization of Traps Using Different Measurements Techniques for the New AlGaN/GaN HEMT of 0.15- $\mu$ m Ultrashort Gate Length.
Autorzy :
Bouslama, Mohamed
Gillet, Vincent
Chang, Christophe
Nallatamby, Jean-Christophe
Sommet, Raphael
Prigent, Michel
Quere, Raymond
Lambert, Benoit
Pokaż więcej
Źródło :
IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques. Jul2019, Vol. 67 Issue 7, p2475-2482. 8p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Electric field dependence of major electron trap emission in bulk β-Ga2O3: Poole–Frenkel effect versus phonon-assisted tunneling.
Autorzy :
Polyakov, A Y
Lee, In-Hwan
Smirnov, N B
Shchemerov, I V
Vasilev, A A
Chernykh, A V
Pearton, S J
Pokaż więcej
Temat :
POOLE-Frenkel effect
ELECTRON traps
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC fields
ELECTRON emission
ELECTRON tunneling
POLARONS
Źródło :
Journal of Physics: D Applied Physics; 7/22/2020, Vol. 53 Issue 30, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.
Autorzy :
Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.
Pokaż więcej
Temat :
INDUCTIVE effect
ELECTRON impact ionization
NEAR-fields
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
TUNNELING (Physics)
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11, 11p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Defects induced by solid state reactions at the tungsten-silicon carbide interface.
Autorzy :
Tunhuma, S. M.
Diale, M.
Legodi, M. J.
Nel, J. M.
Thabete, T. T.
Auret, F. D.
Pokaż więcej
Temat :
SCHOTTKY barrier diodes
CRYSTAL defects
SOLID state physics
SILICON carbide
DEEP level transient spectroscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 7p, 1 Black and White Photograph, 2 Charts, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep level transient spectroscopic analysis of p/n junction implanted with boron in n-type silicon substrate.
Autorzy :
Wakimoto, Hiroki
Nakazawa, Haruo
Matsumoto, Takashi
Nabetani, Yoichi
Pokaż więcej
Temat :
PIN diodes
P-N junctions (Semiconductors)
DEEP level transient spectroscopy
SILICON crystals
ELECTRON traps
SEMICONDUCTOR defects
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 5p, 2 Diagrams, 4 Charts, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep traps in InGaN/GaN single quantum well structures grown with and without InGaN underlayers.
Autorzy :
Polyakov, A.Y. (AUTHOR)
Haller, C. (AUTHOR)
Butté, R. (AUTHOR)
Smirnov, N.B. (AUTHOR)
Alexanyan, L.A. (AUTHOR)
Kochkova, A.I. (AUTHOR)
Shikoh, S.A. (AUTHOR)
Shchemerov, I.V. (AUTHOR)
Chernykh, A.V. (AUTHOR)
Lagov, P.B. (AUTHOR)
Pavlov, Yu S. (AUTHOR)
Carlin, J.-F. (AUTHOR)
Mosca, M. (AUTHOR)
Grandjean, N. (AUTHOR)
Pearton, S.J. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Alloys & Compounds. Dec2020, Vol. 845, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Oxygen- and photoresist-related interface states of 4H-SiC Schottky diode observed by deep-level transient spectroscopy.
Autorzy :
Hong Jeon Kang
Jeong Hyun Moon
Wook Bahng
Suhyeong Lee
Hyunwoo Kim
Sang-Mo Koo
Dohyun Lee
Dongwha Lee
Hoon-Young Cho
Jaeyeong Heo
Hyeong Joon Kim
Pokaż więcej
Temat :
SEMICONDUCTORS
SCHOTTKY barrier diodes
DEEP level transient spectroscopy
X-ray photoelectron spectroscopy
SCANNING electron microscopy
PHOTORESISTS
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 122 Issue 9, p1-6, 6p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
DLTS Study of Defect Distribution in Metal-Porous Silicon-Silicon Structures for Solar Application.
Autorzy :
Harmatha, Ladislav
Kosa, Arpad
Drobny, Jakub
Mikolasek, Miroslav
Svitac, Erik
Benko, Peter
Gregus, Ján
Bacová, Silvia
Zitto, Peter
Stuchlikova, Lubica
Pokaż więcej
Temat :
SOLAR power plants
SILICON solar cells
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL sample preparation
Źródło :
AIP Conference Proceedings; 2019, Vol. 2131 Issue 1, p020016-1-020016-4, 4p, 1 Chart, 2 Graphs
Konferencja
Tytuł :
Breakdown Walkout in Polarization-Doped Vertical GaN Diodes.
Autorzy :
Fabris, Elena
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Li, Wenshen
Gao, Xiang
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM gallium nitride
AVALANCHE photodiodes
DIODES
DEEP level transient spectroscopy
STRIKES & lockouts
BREAKDOWN voltage
OPTICAL spectroscopy
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Nov2019, Vol. 66 Issue 11, p4597-4603, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Assessing mobile ions contributions to admittance spectra and current-voltage characteristics of 3D and 2D/3D perovskite solar cells.
Autorzy :
Shikoh, Ali Sehpar (AUTHOR)
Paek, Sanghyun (AUTHOR)
Polyakov, Alexander Y. (AUTHOR)
Smirnov, Nikolai B. (AUTHOR)
Shchemerov, Ivan V. (AUTHOR)
Saranin, Danila S. (AUTHOR)
Didenko, Sergey I. (AUTHOR)
Ahmad, Zubair (AUTHOR)
Touati, Farid (AUTHOR)
Nazeeruddin, Mohammad Khaja (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Solar Energy Materials & Solar Cells. Sep2020, Vol. 215, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Electrical characterization and comparison of CIGS solar cells made with different structures and fabrication techniques
Współwytwórcy :
Mansfield, Lorelle [National Renewable Energy Lab. (NREL), Golden, CO (United States)] (ORCID:0000000272064105)
Źródło :
Solar Energy Materials and Solar Cells; 174; C
Materiał oryginalny :
NREL/JA--5K00-67143
AC36-08GO28308
Opis pliku :
Medium: ED; Size: p. 77-83
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1389740
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep level relaxation spectroscopy and nondestructive testing of potential defects in the semiconductor electronic component base
Autorzy :
V. P. Krylov
A. M. Bogachev
T. Yu. Pronin
Pokaż więcej
Temat :
semiconductor components
potential defect
deep level transient spectroscopy
frequency scanning
Electronics
TK7800-8360
Źródło :
Радиопромышленность, Vol 29, Iss 2, Pp 35-44 (2019)
Opis pliku :
electronic resource
Relacje :
https://www.radioprom.org/jour/article/view/486; https://doaj.org/toc/2413-9599; https://doaj.org/toc/2541-870X
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/e758ba0d199445399cb85a03e0f2c9a7
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS.
Autorzy :
Ke, Xiao-yu
Ming, Si-ting
Wang, Duo-wei
Li, Tong
Liu, Bing-yan
Cao, Shu-rui
Ma, Yao
Li, Yun
Yang, Zhi-mei
Gong, Min
Huang, Ming-min
Bi, Jin-shun
Xu, Yan-nan
Xi, Kai
Xu, Gao-bo
Majumdar, Sandip
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
GAMMA rays
RADIATION
CAPACITORS
ELECTRIC capacity
Źródło :
Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jun2019, Vol. 30 Issue 12, p11079-11085, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep trap spectra of Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire.
Autorzy :
Polyakov, A. Y.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Yakimov, E. B.
Nikolaev, V. I.
Stepanov, S. I.
Pechnikov, A. I.
Chernykh, A. V.
Shcherbachev, K. D.
Shikoh, A. S.
Kochkova, A.
Vasilev, A. A.
Pearton, S. J.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
EPITAXIAL layers
SAPPHIRES
IONIZATION energy
GASES
Źródło :
APL Materials; May2019, Vol. 7 Issue 5, pN.PAG-N.PAG, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Injection deep level transient spectroscopy: An improved method for measuring capture rates of hot carriers in semiconductors
Współwytwórcy :
Campbell, J. [Sandia National Laboratories (SNL-NM), Albuquerque, NM (United States)]
Źródło :
Journal of Applied Physics; 118; 1
Materiał oryginalny :
SAND--2015-5982J
AC04-94AL85000
Opis pliku :
Medium: ED; Size: Article No. 015703
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1239986
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Comparison of gain degradation and deep level transient spectroscopy in pnp Si bipolar junction transistors irradiated with different ion species
Współwytwórcy :
King, D. [Sandia National Lab. (SNL-NM), Albuquerque, NM (United States)]
Źródło :
IEEE Transactions on Nuclear Science; 64; 1
Materiał oryginalny :
SAND--2016-6546C
AC04-94AL85000
Opis pliku :
Medium: ED; Size: p. 190-196
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1356233
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Exceptional gettering response of epitaxially grown kerfless silicon
Współwytwórcy :
Buonassisi, T. [Massachusetts Inst. of Technology (MIT), Cambridge, MA (United States)]
Źródło :
Journal of Applied Physics; 119; 6
Materiał oryginalny :
EE0005314
Opis pliku :
Medium: ED; Size: Article No. 065101
Dostęp URL :
http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/1237895
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies