Skocz do pozycji: 201.

Tytuł:

Metals in germanium

Autorzy:

Clauws, P.
Simoen, E.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p546-553. 8p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 202.

Tytuł:

Defects induced by irradiation with fast neutrons in n-type germanium

Autorzy:

Kovačević, I.
Pivac, B.
Jac˘imović, R.
Khan, M.K.
Markevich, V.P.
Peaker, A.R.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p606-612. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 203.

Tytuł:

Defect states investigation in poly(2-methoxy,5-(2′ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene) (MEH-PPV)

Autorzy:

Nguyen, T.P.
Le Rendu, P.
Gaudin, O.
Lee, A.J.T.
Jackman, R.B.
Huang, C.H.

Pokaż więcej

Źródło:

Thin Solid Films. Jul2006, Vol. 511-512, p338-341. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 204.

Tytuł:

Analysis of structure and defects in thin silicon films deposited from hydrogen diluted silane

Autorzy:

van Elzakker, G.
Nádaždy, V.
Tichelaar, F.D.
Metselaar, J.W.
Zeman, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Thin Solid Films. Jul2006, Vol. 511-512, p252-257. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 205.

Tytuł:

Defect engineering for 650nm high-power AlGaInP laser diodes

Autorzy:

Kim, D.S.
Kim, K.C.
Shin, Y.C.
Kang, D.H.
Kim, B.J.
Kim, Y.M.
Park, Y.
Kim, T.G.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p610-613. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 206.

Tytuł:

Vacancy defect reactions associated with oxygen and bismuth in irradiated germanium

Autorzy:

Markevich, V.P.
Peaker, A.R.
Emtsev, V.V.
Litvinov, V.V.
Murin, L.I.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p93-96. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 207.

Tytuł:

Phonon-assisted changes in charge states of deep level defects in germanium

Autorzy:

Markevich, A.V.
Litvinov, V.V.
Emtsev, V.V.
Markevich, V.P.
Peaker, A.R.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p61-65. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 208.

Tytuł:

High-resolution DLTS of vacancy–donor pairs in P-, As- and Sb-doped silicon

Autorzy:

Auret, F.D.
Peaker, A.R.
Markevich, V.P.
Dobaczewski, L.
Gwilliam, R.M.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p73-76. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 209.

Tytuł:

Characterization of defects created in Cz and epitaxial Si doped with Ga or B using Laplace-DLTS

Autorzy:

Nyamhere, Cloud
Deenapanray, P.N.K.
Auret, F.D.
Farlow, F.C.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p161-164. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 210.

Tytuł:

Local motion of hydrogen around platinum in Si

Autorzy:

Bao, N.
Kamiura, Y.
Yamashita, Y.
Ishiyama, T.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p81-84. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 211.

Tytuł:

Stress-induced reorientation of the Pt–H2 complex in Si

Autorzy:

Sato, K.
Kamiura, Y.
Yamashita, Y.
Ishiyama, T.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p77-80. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 212.

Tytuł:

Deep levels in GaInNAs grown by molecular beam epitaxy and their concentration reduction with annealing treatment

Autorzy:

Rangel-Kuoppa, V.T.
Dekker, J.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Apr2006, Vol. 129 Issue 1-3, p222-227. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 213.

Tytuł:

Effect of deep levels and interface states on the minority carrier lifetime control of trench-IGBTs by electron irradiation

Autorzy:

Nakabayashi, M.
Ohyama, H.
Shitogiden, H.
Ueno, R.
Miyagawa, Y.
Hirao, T.
Shigaki, K.
Kudou, T.
Simoen, E.
Claeys, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p395-398. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 214.

Tytuł:

Inductively coupled plasma-induced defects in n-type GaN studied from Schottky diode characteristics

Autorzy:

Nakamura, W.
Tokuda, Y.
Ueda, H.
Kachi, T.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p516-519. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 215.

Tytuł:

Fe gettering by p layer in bifacial Si solar cell fabrication

Autorzy:

Terakawa, T.
Wang, D.
Nakashima, H.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p231-235. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 216.

Tytuł:

Competition between internal and heavy doping gettering options in epi-silicon

Autorzy:

Frigeri, C.
Gombia, E.
Motta, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p74-77. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 217.

Tytuł:

Electrical activity of deep levels in the presence of InAs/GaAs quantum dots

Autorzy:

Kaniewska, M.
Engström, O.
Barcz, A.
Pacholak-Cybulska, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p36-40. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 218.

Tytuł:

Deep levels in Yb–Al co-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy

Autorzy:

Kaniewska, M.
Krukovsky, S.I.
Zayachuk, D.M.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p366-370. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 219.

Tytuł:

Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors

Autorzy:

Li, Z.
Li, C.J.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Feb2006, Vol. 9 Issue 1-3, p283-287. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 220.

Tytuł:

Defect production in γ-irradiated silicon at different temperatures

Autorzy:

Kovačević, I.
Pivac, B.

Pokaż więcej

Źródło:

Vacuum. Oct2005, Vol. 80 Issue 1-3, p223-228. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 221.

Tytuł:

Continuous wave operation of a 250mW AlGaAs laser diode

Autorzy:

Kim, T.G.
Kim, D.S.
Kim, K.C.
Jang, K.Y.
Moon, G.W.
Park, J.I.
Lee, S.W.
Kim, M.D.
Koh, J.H.

Pokaż więcej

Źródło:

Solid-State Electronics. Oct2005, Vol. 49 Issue 10, p1674-1677. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 222.

Tytuł:

Laplace-DLTS analysis of the minority carrier traps in the Cu(In,Ga)Se2-based solar cells

Autorzy:

Zabierowski, P.
Edoff, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Thin Solid Films. Jun2005, Vol. 480-481, p301-306. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 223.

Tytuł:

High-temperature annealing of electron-irradiated high-voltage diode structures on neutron transmutation-doped Si

Autorzy:

Korshunov, F.P.
Zhdanovich, N.E.
Karas, V.I.
Marchenko, I.G.

Pokaż więcej

Źródło:

Vacuum. May2005, Vol. 78 Issue 2-4, p211-215. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 224.

Tytuł:

Optical and deep-level spectroscopic study on In0.38GaAsN x /GaAs single-quantum-well structures of x⩾3% grown by molecular beam epitaxy

Autorzy:

Lay, T.S.
Lin, E.Y.
Chang, C.Y.
Kong, K.M.
Chen, L.P.
Chang, T.Y.
Wang, J.S.
Lin, G.
Chi, J.Y.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Crystal Growth. May2005, Vol. 278 Issue 1-4, p575-579. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 225.

Tytuł:

DLTS and PL study of defects in InAlAs/InP heterojunctions grown by metal organic chemical vapor deposition

Autorzy:

Bouzgarrou, S.
Ben Salem, M.M.
Hassen, F.
Kalboussi, A.
Souifi, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Jan2005, Vol. 116 Issue 2, p202-207. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 226.

Tytuł:

Electrical fingerprint of pipeline defects

Autorzy:

Mica, Isabella
Polignano, Maria Luisa
Marco, Cinzia De

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Dec2004, Vol. 114-115, p299-303. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 227.

Tytuł:

A reliable procedure for the analysis of multiexponential transients that arise in deep level transient spectroscopy

Autorzy:

Hanine, M.
Masmoudi, M.
Marcon, J.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Dec2004, Vol. 114-115, p322-329. 8p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 228.

Tytuł:

Characterisation of defects in rare earth implanted GaN by deep level transient spectroscopy

Autorzy:

Colder, A.
Marie, P.
Wojtowicz, T.
Ruterana, P.
Eimer, S.
Méchin, L.
Lorenz, K.
Wahl, U.
Alves, E.
Matias, V.
Mamor, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Superlattices & Microstructures. Oct2004, Vol. 36 Issue 4-6, p713-719. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 229.

Tytuł:

Investigation of the quantum confinement effects in Ge dots by electrical measurements

Autorzy:

Ma, X.Y.
Huang, Sh. H.
Chen, Y.
Lu, F.

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Surface Science. Mar2004, Vol. 225 Issue 1-4, p281. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 230.

Tytuł:

Characterization of deep defects in CdS/CdTe thin film solar cells using deep level transient spectroscopy

Autorzy:

Versluys, J.
Clauws, P.
Nollet, P.
Degrave, S.
Burgelman, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Thin Solid Films. Mar2004, Vol. 451/452, p434. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 231.

Tytuł:

Analysis of deep traps in 4,4-bis(4-dimethylaminostyryl benzene) based light emitting diode devices

Autorzy:

Nguyen, T.P.
Le Rendu, P.
Lévêque, P.
Ip, J.
Gaudin, O.
Jackman, R.B.

Pokaż więcej

Źródło:

Organic Electronics. Mar2004, Vol. 5 Issue 1-3, p53-58. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 232.

Tytuł:

Radiation Effects in GaN

Autorzy:

Polyakov, Alexander Y.

Pokaż więcej

Źródło:

GaN and ZnO-based Materials and Devices. 156:251-294

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 233.

Tytuł:

Pressure Studies

Autorzy:

Prins, Andrew
Adams, Alf
Sweeney, Stephen

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductor Research : Experimental Techniques. 150:171-195

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 234.

Tytuł:

Electrical and structural characterization of defects introduced in p-SiGe during low energy erbium implantation

Autorzy:

Mamor, M.
Pipeleers, B.
Auret, F.D.
Maes, J.
Hayne, M.
Moshchalkov, V.V.
Vantomme, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Dec2003, Vol. 105 Issue 1-3, p179. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 235.

Tytuł:

Preparation and characterisation of Au/InGaP/GaAs Schottky barriers for radiation damage investigation

Autorzy:

Gombia, E.
Mosca, R.
Pal, D.
Busi, S.
Tarricone, L.
Fuochi, P.G.
Lavalle, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Jan2003, Vol. 97 Issue 1, p39. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 236.

Tytuł:

Interface properties and deep levels in InGaAsN/GaAs and GaAsN/GaAs heterojunctions

Autorzy:

Polyakov, A.Y.
Smirnov, N.B.
Govorkov, A.V.
Botchkarev, Andrei E.
Nelson, Nicole N.
Fahmi, M.M.E.
Griffin, James A.
Khan, Arif
Noor Mohammad, S.
Johnstone, D.K.
Bublik, V.T.
Chsherbatchev, K.D.
Voronova, M.I.

Pokaż więcej

Źródło:

Solid-State Electronics. Dec2002, Vol. 46 Issue 12, p2141. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 237.

Tytuł:

Studies of deep centers in dilute GaAsN and InGaAsN films grown by molecular beam epitaxy

Autorzy:

Polyakov, A.Y.
Smirnov, N.B.
Govorkov, A.V.
Botchkarev, Andrei E.
Nelson, Nicole N.
Fahmi, M.M.E.
Griffin, James A.
Khan, Arif
Noor Mohammad, S.
Johnstone, D.K.
Bublik, V.T.
Chsherbatchev, K.D.
Voronova, M.I.
Kasatochkin, V.S.

Pokaż więcej

Źródło:

Solid-State Electronics. Dec2002, Vol. 46 Issue 12, p2155. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 238.

Tytuł:

Deformation of a deep-level transient spectroscopy spectrum by an inhomogeneous carrier concentration depth profile

Autorzy:

Ito, Akira
Tokuda, Yutaka

Pokaż więcej

Źródło:

Solid-State Electronics. Sep2002, Vol. 46 Issue 9, p1307. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 239.

Tytuł:

Electronic stability and noise reduction in Doppler broadening spectroscopy systems

Autorzy:

Ching, H.M.
Zhang, J.D.
Beling, C.D.
Fung, S.

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Surface Science. Jun2002, Vol. 194 Issue 1-4, p250. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 240.

Tytuł:

Electron and hole trapping in the bulk and interface with Si of a thermal oxide grown on the sidewalls and base of a U-shaped silicon trench

Autorzy:

Suliman, S.A.
Awadelkarim, O.O.
Fonash, S.J.
Ridley, R.S.
Dolny, G.M.
Hao, J.
Knoedler, C.M.

Pokaż więcej

Źródło:

Solid-State Electronics. Jun2002, Vol. 46 Issue 6, p837. 9p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 241.

Tytuł:

Electrical Properties

Autorzy:

Schumacher, Bernd
Bach, Heinz-Gunter
Spitzer, Petra
Obrzut, Jan
Seitz, Steffen

Pokaż więcej

Źródło:

Springer Handbook of Metrology and Testing. :485-540

Degree:

Prof.
Ph.D.
Dr.

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 242.

Tytuł:

Effects of rapid thermal annealing on deep-level defects and optical properties of n-type GaAsBi alloys grown by molecular beam epitaxy at low temperature.

Autorzy:

Gelczuk, Łukasz (AUTHOR)
Kopaczek, Jan (AUTHOR)
Pucicki, Damian (AUTHOR)
Rockett, Thomas B.O. (AUTHOR)
Richards, Robert D. (AUTHOR)
Kudrawiec, Robert (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Jan2024, Vol. 169, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 243.

Tytuł:

Diffusion transport over grain-boundary barriers as the origin of N1 deep level transient spectroscopy signal in [formula omitted] solar cells.

Autorzy:

Wiśniewski, K. (AUTHOR)
Zabierowski, P. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Thin Solid Films. Mar2021, Vol. 721, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 244.

Tytuł:

Spectral diffusion dephasing and motional narrowing in single semiconductor quantum dots

Autorzy:

Cassabois, Guillaume

Pokaż więcej

Źródło:

Optical Generation and Control of Quantum Coherence in Semiconductor Nanostructures. :25-35

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 245.

Tytuł:

Self-Assembly of Quantum Dots and Rings on Semiconductor Surfaces

Autorzy:

Heyn, Christian
Stemmann, Andrea
Hansen, Wolfgang

Pokaż więcej

Źródło:

Quantum Materials, Lateral Semiconductor Nanostructures, Hybrid Systems and Nanocrystals : Lateral Semiconductor Nanostructures, Hybrid Systems and Nanocrystals. :1-24

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 246.

Tytuł:

Origins and Atomic Properties of H-Like Centres

Autorzy:

Pajot, Bernard

Pokaż więcej

Źródło:

Optical Absorption of Impurities and Defects in SemiconductingCrystals : 1. Hydrogen-like Centres. 158:21-44

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 247.

Tytuł:

Excitation Mechanisms of RE Ions in Semiconductors

Autorzy:

Braud, Alain

Pokaż więcej

Źródło:

Rare Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications. 124:269-307

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 248.

Tytuł:

Theoretical Modelling of Rare Earth Dopants in GaN

Autorzy:

Jones, R.
Hourahine, B.

Pokaż więcej

Źródło:

Rare Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications. 124:1-24

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 249.

Tytuł:

Damage Formation and Evolution in Ion-Implanted Crystalline Si

Autorzy:

Libertino, Sebania
La Magna, Antonino

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science with Ion Beams. 116:147-212

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 250.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 251.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 252.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 253.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 254.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 255.

Tytuł:

A deep-level transient spectroscopy study of p-type silicon Schottky barriers containing a Si-O superlattice.

Autorzy:

Simoen, Eddy
Jayachandran, Suseendran
Delabie, Annelies
Caymax, Matty
Heyns, Marc

Pokaż więcej

Temat:

SUPERLATTICES
DEEP level transient spectroscopy
P-type semiconductors
SCHOTTKY barrier
SILICON
CHEMICAL vapor deposition

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Apr2017, Vol. 254 Issue 4, pn/a-N.PAG, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 256.

Tytuł:

COMPOSITION RELATED ELECTRICAL ACTIVE DEFECT STATES OF INGAAS AND GAASN.

Autorzy:

KOSA, Arpad
STUCHLIKOVA, Lubica
HARMATHA, Ladislav
KOVAC, Jaroslav
SCIANA, Beata
DAWIDOWSKI, Wojciech
TLACZALA, Marek

Pokaż więcej

Temat:

SEMICONDUCTOR defects
DEEP level transient spectroscopy
INDIUM
SOLAR cells
LITERATURE databases

Źródło:

Advances in Electrical & Electronic Engineering; 2017, Vol. 15 Issue 1, p114-119, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 257.

Tytuł:

Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE.

Autorzy:

Gelczuk, Łukasz
Dąbrowska-Szata, Maria
Ściana, Beata
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Kopalko, Krzysztof
Tłaczała, Marek

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM arsenide
GALLIUM nitride
DEEP level transient spectroscopy
HETEROSTRUCTURES
SPECTROMETRY

Źródło:

Materials Science-Poland; Dec2016, Vol. 34 Issue 4, p726-734, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 258.

Tytuł:

Deep level traps in semi-polar n-GaN grown on patterned sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy.

Autorzy:

Nguyen, X. S.
Hou, H. W.
De Mierry, P.
Vennéguès, P.
Tendille, F.
Arehart, A. R.
Ringel, S. A.
Fitzgerald, E. A.
Chua, S. J.

Pokaż więcej

Temat:

CHARGE carriers
DEEP level transient spectroscopy
METAL organic chemical vapor deposition
QUANTUM confined Stark effect
SOLID state physics

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Nov2016, Vol. 253 Issue 11, p2225-2229, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 259.

Tytuł:

Interactions of hydrogen with vanadium in crystalline silicon.

Autorzy:

Mullins, Jack
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.

Pokaż więcej

Temat:

VANADIUM spectra
HYDROGEN spectra
SILICON crystals
DEEP level transient spectroscopy
SECONDARY ion mass spectrometry

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2016, Vol. 213 Issue 11, p2838-2843, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 260.

Tytuł:

Annealing effects on.

Autorzy:

Qi, Zhen
Sheng, Fengfeng
Zhu, Liang
Chen, Xiren
Zhu, Liangqing
Zha, Fangxing
Yang, Jianrong
Shao, Jun

Pokaż więcej

Temat:

ANNEALING of semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
CRYSTAL defects
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTRAL energy distribution

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Aug2016, Vol. 253 Issue 8, p1612-1615, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 261.

Tytuł:

Study of deep levels in GaAs p-i-n structures.

Autorzy:

Sobolev, M.
Soldatenkov, F.
Kozlov, V.

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM arsenide
PIN diodes
CRYSTAL structure
DEEP level transient spectroscopy
CAPACITANCE-voltage characteristics

Źródło:

Semiconductors; Jul2016, Vol. 50 Issue 7, p924-928, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 262.

Tytuł:

Thermochemical and Kinetic Databases for the Solar Cell Silicon Materials

Autorzy:

Tang, Kai
Øvrelid, Eivind J.
Tranell, Gabriella
Tangstad, Merete

Pokaż więcej

Źródło:

Crystal Growth of Si for Solar Cells. 14:219-251

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 263.

Tytuł:

Experimental and Computational Characterization

Współwytwórcy:

Seebauer, Edmund G.
Kratzer, Meredith C.

Źródło:

Charged Semiconductor Defects : Structure, Thermodynamics and Diffusion. :39-61

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 264.

Tytuł:

Electrical and Optical Properties

Współwytwórcy:

Hull, R., editor
Osgood, R. M. Jr., editor
Parisi, J., editor
Warlimont, H., editor
Claeys, Cor, editor
Simoen, Eddy, editor

Źródło:

Extended Defects in Germanium : Fundamental and Technological Aspects. 118:65-136

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 265.

Tytuł:

Capacitance-Voltage Spectroscopy of InAs Quantum Dots

Autorzy:

Reuter, D.

Pokaż więcej

Źródło:

Self-Assembled Quantum Dots. 1:337-357

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 266.

Tytuł:

Trapping Phenomena in Nanocrystalline Semiconductors

Autorzy:

Ciurea, Magdalena Lidia

Pokaż więcej

Źródło:

Nanoelectronics and Photonics : From Atoms to Materials, Devices, and Architectures. :191-222

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 267.

Tytuł:

Application of Scanning Capacitance Microscopy to Analysis at the Nanoscale

Autorzy:

Lanyi, Stefan

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Scanning Probe Methods VIII : Scanning Probe Microscopy Techniques. :377-420

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 268.

Tytuł:

Defects and Doping

Autorzy:

Morkoç, Hadis

Pokaż więcej

Źródło:

Nitride Semiconductors and Devices. 32:149-190

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 269.

Tytuł:

Defect mapping of active layer of CdTe solar cells using charge deep level transient spectroscopy (Q-DLTS).

Autorzy:

Fahad, S. (AUTHOR)
Noman, M. (AUTHOR)
Qureshi, A.F. (AUTHOR)
Ali, M. (AUTHOR)
Ahmed, S. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Engineering Failure Analysis. Jan2021, Vol. 119, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 270.

Tytuł:

Defect suppression and photoresponsivity enhancement in methylammonium lead halide perovskites by CdSe/ZnS quantum dots.

Autorzy:

Vu, Thi Kim Oanh (AUTHOR)
Cho, Il-Wook (AUTHOR)
Oh, Jaewon (AUTHOR)
Lee, Dong Uk (AUTHOR)
Ryu, Mee-Yi (AUTHOR)
Kim, Eun Kyu (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Colloid & Interface Science. May2021, Vol. 590, p19-27. 9p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 271.

Tytuł:

Structures and electronic properties of defects on the borders of silicon bonded wafers

Autorzy:

Tereshchenko, A. N.
Steinman, E. A.
Mazilkin, A. A.
Khorosheva, M. A.
Kononchuk, O.

Pokaż więcej

Źródło:

Russian Microelectronics. December 2015 44(8):585-589

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 272.

Tytuł:

Impact of structural defect density on gettering of transition metal impurities during phosphorus emitter diffusion in multi-crystalline silicon solar cell processing

Autorzy:

Park, Yongkook
Lu, Jinggang
Park, Jin-Hong
Rozgonyi, George

Pokaż więcej

Źródło:

Electronic Materials Letters. July 2015 11(4):658-663

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 273.

Tytuł:

RADIATION EFFECTS OF PROTONS AND ELECTRONS ON BACKFIELD SILICON SOLAR CELLS

Autorzy:

HU, ZHENGYU
HE, SHIYU
YANG, DEZHUANG

Pokaż więcej

Źródło:

PROTECTION OF MATERIALS AND STRUCTURES FROM THE SPACE ENVIRONMENT. 6:1-8

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 274.

Tytuł:

ELECTRICAL DEFECTS IN ATOMIC LAYER DEPOSITED HFO2 FILMS ON SILICON: INFLUENCE OF PRECURSOR CHEMISTRIES AND SUBSTRATE TREATMENT

Autorzy:

DUEÑAS, SALVADOR
CASTÁN, HELENA
GARCÍA, HÉCTOR
BAILÓN, LUIS
KUKLI, KAUPO
RITALA, MIKKO
LESKELÄ, MARKKU

Pokaż więcej

Źródło:

Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices. 220:287-298

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 275.

Tytuł:

DEFECTS AT THE HIGH-κ /SEMICONDUCTOR INTERFACES INVESTIGATED BY SPIN DEPENDENT SPECTROSCOPIES

Autorzy:

FANCIULLI, MARCO
COSTA, OMAR
BALDOVINO, SILVIA
COCCO, SIMONE
SEGUINI, GABRIELE
PRATI, ENRICO
SCAREL, GIOVANNA

Pokaż więcej

Źródło:

Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices. 220:263-276

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 276.

Tytuł:

Quantum Mechanical Studies of Boron Clustering in Silicon

Autorzy:

Deák, Péter
Gali, Ádám
Pichler, Peter

Pokaż więcej

Źródło:

High Performance Computing in Science and Engineering’ 05 : Transactions of the High Performance Computing Center Stuttgart (HLRS) 2005. :257-267

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 277.

Tytuł:

Nanocavity Structures Produced by Ion Implantation Into Silicon for Semiconductor Applications

Autorzy:

Hurley, R. E.
Gamble, H. S.
Suder, S.

Pokaż więcej

Źródło:

Nanostructured and Advanced Materials for Applications in Sensor, Optoelectronic and Photovoltaic Technology : Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Nanostructured and Advanced Materials for Applications in Sensors, Optoelectronic and Photovoltaic Technology Sozopol, Bulgaria 6–17 September 2004. 204:299-308

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 278.

Tytuł:

Electronic Characterisation and Modelling of Disordered Semiconductors

Autorzy:

Marshall, J. M.
Main, C.Aff5, Aff6

Pokaż więcej

Źródło:

Nanostructured and Advanced Materials for Applications in Sensor, Optoelectronic and Photovoltaic Technology : Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Nanostructured and Advanced Materials for Applications in Sensors, Optoelectronic and Photovoltaic Technology Sozopol, Bulgaria 6–17 September 2004. 204:51-76

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 279.

Tytuł:

Nanodefects

Autorzy:

Fahrner, W. R.

Pokaż więcej

Źródło:

Nanotechnology and Nanoelectronics : Materials, Devices, Measurement Techniques. :17-38

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 280.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 281.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 282.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 283.

Tytuł:

Phytochrome photoconversion.

Autorzy:

Braslavsky, S. E.
Gärtner, W.
Schaffner, K.

Pokaż więcej

Źródło:

Plant, Cell & Environment. Jun1997, Vol. 20 Issue 6, p700-706. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 284.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 285.

Tytuł:

Carrier Diffusion Processes

Autorzy:

Seeger, KarlheinzAff3, Aff4

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductor Physics : An Introduction. :118-158

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 286.

Tytuł:

Epitaxial Growth and Device Processing of SiC on Non-Basal Planes

Autorzy:

Kimoto, T.
Yano, H.
Negoro, Y.
Hashimoto, K.
Matsunami, H.

Pokaż więcej

Źródło:

Silicon Carbide : Recent Major Advances. :711-733

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 287.

Tytuł:

Low-Defect 3C-SiC Grown on Undulant-Si (001) Substrates

Autorzy:

Nagasawa, H.
Yagi, K.
Kawahara, T.
Hatta, N.
Pensl, G.
Choyke, W. J.
Yamada, T.
Itoh, H.
Schöner, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Silicon Carbide : Recent Major Advances. :207-228

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 288.

Tytuł:

Hydrogen in SiC

Autorzy:

Deák, P.
Gali, A.
Aradi, B.

Pokaż więcej

Źródło:

Silicon Carbide : Recent Major Advances. :57-88

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 289.

Tytuł:

Lattice Dynamics of Defects and Thermal Properties of 3C-SiC

Autorzy:

Talwar, D. N.

Pokaż więcej

Źródło:

SiC Power Materials : Devices and Applications. 73:161-208

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 290.

Tytuł:

III-V compounds

Autorzy:

Madelung, Otfried

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors: Data Handbook. :71-172

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 291.

Tytuł:

Influence of device deposition techniques on the process optimization of CdZnTe thin-film matrix using charge-based analysis.

Autorzy:

Haider, Ijlal (AUTHOR)
Khan, Basit (AUTHOR)
Ali, Muhammad (AUTHOR)
Shuja, Ahmed (AUTHOR)
Qureshi, Asad Farooq (AUTHOR)
Ali, Zulfiqar (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2020, Vol. 114, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 292.

Tytuł:

Microstructural Characterization of Materials: An Assessment

Autorzy:

Cahn, R. W.
Ertl, G.
Heydenreich, J.

Pokaż więcej

Źródło:

High-Resolution Imaging and Spectrometry of Materials. 50:419-433

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 293.

Tytuł:

Light Emission of Er3+ in Silicon

Autorzy:

Ossicini, Stefano
Pavesi, Lorenzo
Priolo, Francesco

Pokaż więcej

Źródło:

Light Emitting Silicon for Microphotonics. 194:179-226

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 294.

Tytuł:

Deep-level transient spectroscopy at platinum/titanium-dioxide hydrogen sensors.

Autorzy:

Schnorr, L.
Cerchez, M.
Ostermann, D.
Heinzel, T.

Pokaż więcej

Temat:

TITANIUM dioxide
HYDROGEN detectors
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier
MESOPOROUS materials

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Apr2016, Vol. 253 Issue 4, p690-696, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 295.

Tytuł:

Electronic properties of defects in high-fluence electron-irradiated bulk GaN.

Autorzy:

Duc, Tran Thien
Pozina, Galia
Son, Nguyen Tien
Ohshima, Takeshi
Janzén, Erik
Hemmingsson, Carl

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRIC properties of gallium nitride
CRYSTAL defects
NUCLEAR cross sections
ELECTRON capture
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON beams
VAPOR phase epitaxial growth
HIGH temperatures

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Mar2016, Vol. 253 Issue 3, p521-526, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 296.

Tytuł:

Uncertainty analysis of the DLT-Lines calibration algorithm for cameras with radial distortion.

Autorzy:

Galego, Ricardo
Ortega, Agustin
Ferreira, Ricardo
Bernardino, Alexandre
Andrade-Cetto, Juan
Gaspar, José

Pokaż więcej

Temat:

GEOGRAPHIC information systems
RADIAL distortion
DEEP level transient spectroscopy
CAMERAS
MONTE Carlo method

Źródło:

Computer Vision & Image Understanding; Nov2015, Vol. 140, p115-126, 12p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 297.

Tytuł:

Electrically Active Defects In Solar Cells Based On Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction After Irradiation By Heavy Xe Ions.

Autorzy:

Harmatha, Ladislav
Mikolášek, Miroslav
Stuchlíková, L'ubica
Kósa, Arpád
Žiška, Milan
Hrubčín, Ladislav
Skuratov, Vladimir A.

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
AMORPHOUS silicon
SILICON crystals
HETEROJUNCTIONS
IRRADIATION
HEAVY ions
XENON
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Journal of Electrical Engineering; Nov2015, Vol. 66 Issue 6, p323-328, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 298.

Tytuł:

Electronic Characterisation And Modelling Of Disordered Semiconductors

Autorzy:

Marshall, J. M.

Pokaż więcej

Źródło:

Photovoltaic and Photoactive Materials — Properties, Technology and Applications. 80:49-66

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 299.

Tytuł:

Defect Creation Mechanisms Due to Hot-Carriers in 0.15 μm SIMOX MOSFETs

Autorzy:

Dimitrakis, P.
Jomaah, J.
Balestra, F.
Papaioannou, G. J.

Pokaż więcej

Źródło:

Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions. 58:263-268

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 300.

Tytuł:

Carrier Diffusion Processes

Autorzy:

Seeger, KarlheinzAff3, Aff4

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductor Physics : An Introduction. :118-158

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły