Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

How small changes make a difference: Influence of low silver contents on the effect of RbF‐PDT in CIGS solar cells.

Autorzy:

Helder, Tim
Kanevce, Ana
Zinßer, Mario
Gutzler, Rico
Paetel, Stefan
Hempel, Wolfram
Magorian Friedlmeier, Theresa
Powalla, Michael

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy
COPPER
BAND gaps
CRYSTAL grain boundaries

Źródło:

Progress in Photovoltaics; Dec2023, Vol. 31 Issue 12, p1205-1214, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Effect of defect states on CH3NH3PbI3 solar cell efficiency by varying application time of antisolvents.

Autorzy:

Lee, Kyoung Su
Oh, Jaewon
Lee, Hyunbok
Ryu, Mee-Yi
Kim, Eun Kyu

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SOLAR cell efficiency
PHOTOVOLTAIC power systems
ETHYL acetate

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Sep2023, Vol. 129 Issue 9, p1-7, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

High Performance Pd/4H-SiC Epitaxial Schottky Barrier Radiation Detectors for Harsh Environment Applications.

Autorzy:

Mandal, Krishna C.
Chaudhuri, Sandeep K.
Nag, Ritwik

Pokaż więcej

Temat:

NUCLEAR counters
SCHOTTKY barrier
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR reactors
WIDE gap semiconductors
HEAT resistant alloys

Źródło:

Micromachines; Aug2023, Vol. 14 Issue 8, p1532, 13p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Nature of contaminants introduced in silicon wafers during molecular beam epitaxy chamber annealing.

Autorzy:

Yi, Chuqi
Zhou, Zhuangyi
Juhl, Mattias Klaus
Tong, Jingnan
Fong, Kean Chern
Rougieux, Fiacre Emile
Bremner, Stephen

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
MOLECULAR beam epitaxy
SILICON wafers
DEEP level transient spectroscopy
SILICON solar cells
EMISSION spectroscopy

Źródło:

AIP Advances; Mar2023, Vol. 13 Issue 3, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H–SiC epitaxial layers.

Autorzy:

Ghezellou, Misagh
Kumar, Piyush
Bathen, Marianne E.
Karsthof, Robert
Sveinbjörnsson, Einar Ö.
Grossner, Ulrike
Bergman, J. Peder
Vines, Lasse
Ul-Hassan, Jawad

Pokaż więcej

Temat:

CHARGE carrier lifetime
EPITAXIAL layers
CHARGE carrier mobility
CHARGE carriers
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

APL Materials; Mar2023, Vol. 11 Issue 3, p1-10, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Deep Level Transient Fourier Spectroscopy Investigation of Electron Traps on AlGaN/GaN-on-Si Power Diodes.

Autorzy:

Rigaud-Minet, Florian
Raynaud, Christophe
Buckley, Julien
Charles, Matthew
Pimenta-Barros, Patricia
Gwoziecki, Romain
Gillot, Charlotte
Sousa, Véronique
Morel, Hervé
Planson, Dominique

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
ELECTRON spectroscopy
POWER electronics
DIODES
SURFACE recombination

Źródło:

Energies (19961073); Jan2023, Vol. 16 Issue 2, p599, 12p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Electrical spectroscopy of defect states and their hybridization in monolayer MoS2.

Autorzy:

Zhao, Yanfei
Tripathi, Mukesh
Čerņevičs, Kristiāns
Avsar, Ahmet
Ji, Hyun Goo
Gonzalez Marin, Juan Francisco
Cheon, Cheol-Yeon
Wang, Zhenyu
Yazyev, Oleg V.
Kis, Andras

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
OPTICAL aberrations
SEMICONDUCTOR devices
MONOMOLECULAR films
FIELD-effect transistors
SCANNING transmission electron microscopy
SEMICONDUCTOR defects

Źródło:

Nature Communications; 1/3/2023, Vol. 14 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Experimental and theoretical studies of native deep-level defects in transition metal dichalcogenides.

Autorzy:

Kim, Jun Young
Gelczuk, Łukasz
Polak, Maciej P.
Hlushchenko, Daria
Morgan, Dane
Kudrawiec, Robert
Szlufarska, Izabela

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
TRANSITION metals
METAL defects
POINT defects

Źródło:

NPJ 2D Materials & Applications; 10/29/2022, Vol. 6 Issue 1, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Inspection of the Defect State Using the Mobility Spectrum Analysis Method.

Autorzy:

Ahn, Il-Ho
Kim, Deuk Young
Yang, Woochul

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
DEBYE temperatures
THERMIONIC emission
SCHOTTKY barrier diodes

Źródło:

Nanomaterials (2079-4991); Aug2022, Vol. 12 Issue 16, p2773-2773, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Effect of the Oxidation Process on Carrier Lifetime and on SF Defects of 4H SiC Thick Epilayer for Detection Applications.

Autorzy:

Meli, Alessandro
Muoio, Annamaria
Reitano, Riccardo
Sangregorio, Enrico
Calcagno, Lucia
Trotta, Antonio
Parisi, Miriam
Meda, Laura
La Via, Francesco

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL-looping combustion
CHARGE carrier lifetime
EPITAXIAL layers

Źródło:

Micromachines; Jul2022, Vol. 13 Issue 7, pN.PAG-N.PAG, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

DLTS study of the influence of annealing on deep level defects induced in xenon ions implanted n-type 4H-SiC.

Autorzy:

Omotoso, Ezekiel
Meyer, Walter E.
Igumbor, Emmanuel
Hlatshwayo, Thulani T.
Prinsloo, Aletta R. E.
Auret, F. Danie
Sheppard, Charles J.

Pokaż więcej

Temat:

SCHOTTKY barrier diodes
DEEP level transient spectroscopy
XENON
ARTIFICIAL implants
ION implantation

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2022, Vol. 33 Issue 19, p15679-15688, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates.

Autorzy:

Polyakov, A. Y.
Nikolaev, V. I.
Pechnikov, A. I.
Stepanov, S. I.
Yakimov, E. B.
Scheglov, M. P.
Shchemerov, I. V.
Vasilev, A. A.
Kochkova, A. A.
Chernykh, A. V.
Chikiryaka, A. V.
Pearton, S. J.

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM nitride films
DEEP level transient spectroscopy
CATHODOLUMINESCENCE
THIN films
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON backscattering
SAPPHIRES
ELECTRON diffraction

Źródło:

APL Materials; Jun2022, Vol. 10 Issue 6, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DEFECTS IN SILICON MULTILAYER STRUCTURES DOPED WITH HAFNIUM ATOMS.

Autorzy:

Kh., Daliev Shakhrukh
A., Ergashev Javokhir

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
HAFNIUM
SURFACE states
SILICON
ATOMS

Źródło:

European Science Review; 2022, Issue 5/6, p25-28, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Electron Emission from the Electronic States of Oxygen Precipitates in Oxygen‐Implanted Silicon.

Autorzy:

Danilov, Denis
Vyvenko, Oleg
Loshachenko, Anton
Sobolev, Nikolay

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC properties
SILICON
TRANSMISSION electron microscopy
ELECTRIC capacity
ELECTRON field emission

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2022, Vol. 219 Issue 7, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Electron Irradiation Effects and Defects Analysis of the Upright Metamorphic Four‐Junction (UMM4J) Solar Cells.

Autorzy:

Zhang, Yanqing
Zhou, Jiaming
Liu, Chaoming
Qi, Chunhua
Wang, Tianqi
Ma, Guoliang
Zhou, Bin
Xiao, Liyi
Huo, Mingxue

Pokaż więcej

Temat:

PHOTOVOLTAIC power systems
DEEP level transient spectroscopy
OPEN-circuit voltage
ENERGY dissipation
ELECTRON traps
ELECTRIC properties

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Mar2022, Vol. 219 Issue 6, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

On the nature of thermally activated defects in n-type FZ silicon grown in nitrogen atmosphere.

Autorzy:

Scheffler, L.
Lei, A.
Duun, S.
Julsgaard, B.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
NITROGEN
ELECTRIC field effects
ELECTRON emission
FIELD emission
ATMOSPHERIC nitrogen
ELECTRON capture

Źródło:

AIP Advances; Mar2022, Vol. 12 Issue 3, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

DLTS investigations on CIGS solar cells from an inline co-evaporation system with RbF post-deposition treatment.

Autorzy:

Helder, Tim
Kanevce, Ana
Bauer, Andreas
Zinßer, Mario
Paetel, Stefan
Friedlmeier, Theresa Magorian
Powalla, Michael

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

EPJ Photovoltaics; 2022, Vol. 13, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

The Role of Si Self‐interstitial Atoms in the Formation of Electrically Active Defects in Reverse‐Biased Silicon n–p Diodes upon Irradiation with Alpha Particles.

Autorzy:

Aharodnikau, Dzmitriy A.
Lastovskii, Stanislau B.
Shpakovski, Sergei V.
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.

Pokaż więcej

Temat:

ALPHA rays
SILICON diodes
SPACE charge
ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2021, Vol. 218 Issue 23, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Effect of Ultraviolet Irradiation on 4H-SiC PiN Diodes Characteristics.

Autorzy:

Xu, Xingliang
Zhang, Lin
Dong, Peng
Li, Zhiqiang
Li, Lianghui
Li, Juntao
Zhang, Jian

Pokaż więcej

Temat:

PIN diodes
DEEP level transient spectroscopy
ULTRAVIOLET radiation
HIGH voltages

Źródło:

Nanoscale Research Letters; 9/10/2021, Vol. 16 Issue 1, p1-5, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Defect analysis of crystalline Si solar cells by learning radiation-induced defects in Si.

Autorzy:

Yamaguchi, Masafumi
Kamioka, Takefumi
Kojima, Nobuaki
Ohshita, Yoshio

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
RADIATION
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

MRS Communications; Jun2021, Vol. 11 Issue 3, p272-277, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy.

Autorzy:

Wakimoto, Hiroki
Matsumoto, Takashi
Yano, Koji
Muranaka, Tsutomu

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SILICON diodes
LASER annealing
ANODES
INSULATED gate bipolar transistors
TRANSISTORS
PIN diodes

Źródło:

AIP Advances; Dec2020, Vol. 10 Issue 12, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.

Autorzy:

Jabbari, I.
Baira, M.
Maaref, H.

Pokaż więcej

Temat:

INDUCTIVE effect
ELECTRON impact ionization
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
QUANTUM tunneling

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Reliability improvement of electrically active defect investigations by analytical and experimental deep level transient: Fourier spectroscopy investigations.

Autorzy:

Kosa, Arpad
Sciana, Beata
Stuchlikova, Lubica

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
RELIABILITY in engineering
SPECTROMETRY

Źródło:

Journal of Electrical Engineering; 2019, Vol. 70 Issue 7, p27-35, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Low-Frequency Noises and DLTS Studies in HgCdTe MWIR Photodiodes.

Autorzy:

Guinedor, P.
Brunner, A.
Rubaldo, L.
Bauza, D.
Reimbold, G.
Billon-Lanfrey, D.

Pokaż więcej

Temat:

BURST noise
DEEP level transient spectroscopy
PHOTODIODES
NOISE
ELECTRO-optical effects

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Oct2019, Vol. 48 Issue 10, p6113-6117, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS.

Autorzy:

Ke, Xiao-yu
Ming, Si-ting
Wang, Duo-wei
Li, Tong
Liu, Bing-yan
Cao, Shu-rui
Ma, Yao
Li, Yun
Yang, Zhi-mei
Gong, Min
Huang, Ming-min
Bi, Jin-shun
Xu, Yan-nan
Xi, Kai
Xu, Gao-bo
Majumdar, Sandip

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
GAMMA rays
RADIATION
CAPACITORS
ELECTRIC capacity

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jun2019, Vol. 30 Issue 12, p11079-11085, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Deep trap spectra of Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire.

Autorzy:

Polyakov, A. Y.
Smirnov, N. B.
Shchemerov, I. V.
Yakimov, E. B.
Nikolaev, V. I.
Stepanov, S. I.
Pechnikov, A. I.
Chernykh, A. V.
Shcherbachev, K. D.
Shikoh, A. S.
Kochkova, A.
Vasilev, A. A.
Pearton, S. J.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
EPITAXY
EPITAXIAL layers
SAPPHIRES
IONIZATION energy
GASES

Źródło:

APL Materials; May2019, Vol. 7 Issue 5, pN.PAG-N.PAG, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al2O3 on silicon using deep-level transient spectroscopy.

Autorzy:

Chen, Zhe
Dong, Peng
Xie, Meng
Li, Yun
Yu, Xuegong
Ma, Yao

Pokaż więcej

Temat:

GAMMA ray sources
ATOMIC layer deposition
DEEP level transient spectroscopy
DIELECTRIC devices
CAPACITANCE-voltage characteristics

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jan2019, Vol. 30 Issue 2, p1148-1152, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Density of defect states retrieved from the hysteretic gate transfer characteristics of monolayer MoS2 field effect transistors.

Autorzy:

Xu, Qiang
Sun, Yingri
Yang, Peng
Dan, Yaping

Pokaż więcej

Temat:

MOLYBDENUM disulfide
DEEP level transient spectroscopy
FIELD-effect transistors

Źródło:

AIP Advances; Jan2019, Vol. 9 Issue 1, pN.PAG-N.PAG, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Effects of Iron Contamination and Hydrogen Passivation on the Electrical Properties of Oxygen Precipitates in CZ-Si.

Autorzy:

Li, Jiyang
Song, Lihui
Yu, Xuegong
Yang, Deren

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRIC properties of silicon
DEEP level transient spectroscopy
SPECTROMETRY
SOLAR cells
FOURIER transform infrared spectroscopy

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Sep2018, Vol. 47 Issue 9, p5039-5044, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Negative‐U Properties of the Deep Level E3 in ZnO.

Autorzy:

Pickenhain, Rainer
Schmidt, Matthias
von Wenckstern, Holger
Benndorf, Gabriele
Pöppl, Andreas
Böttcher, Rolf
Grundmann, Marius

Pokaż więcej

Temat:

ZINC oxide thin films
CRYSTAL defects
DEEP level transient spectroscopy
CONDUCTION bands
PHOTOLUMINESCENCE measurement
PHOTOIONIZATION
ELECTRON paramagnetic resonance

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Jul2018, Vol. 255 Issue 7, p1-1, 16p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Evolution of Electrically Active Defects in n‐GaN During Heat Treatment Typical for Ohmic Contact Formation.

Autorzy:

Boturchuk, Ievgen
Scheffler, Leopold
Larsen, Arne Nylandsted
Julsgaard, Brian

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM nitride
OHMIC contacts
HEAT treatment
TEMPERATURE effect
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; May2018, Vol. 215 Issue 9, p1-1, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

An Automated Measuring System for Current Deep-Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Ermachikhin, A. V.
Litvinov, V. G.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SEMICONDUCTOR diodes
SPECTROMETRY
TEMPERATURE measurements
SEMICONDUCTOR devices

Źródło:

Instruments & Experimental Techniques; Mar2018, Vol. 61 Issue 2, p277-282, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

DLTS Analysis and Interface Engineering of Solution Route Fabricated Zirconia Based MIS Devices Using Plasma Treatment.

Autorzy:

Kumar, Arvind
Mondal, Sandip
Koteswara Rao, K.

Pokaż więcej

Temat:

METAL-insulator-semiconductor devices
ZIRCONIUM oxide
DEEP level transient spectroscopy
OXYGEN plasmas
SOL-gel processes
ENERGY levels (Quantum mechanics)
HEAT conduction
PASSIVATION

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Feb2018, Vol. 47 Issue 2, p955-960, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Influence of PE-ALD of GaP on the Silicon Wafers Quality.

Autorzy:

Baranov, Artem I.
Gudovskikh, Alexander S.
Kudryashov, Dmitriy A.
Morozov, Ivan A.
Mozharov, Alexey M.
Nikitina, Ekaterina V.
Zelentsov, Kirill S.
Darga, Arouna
Le Gall, Sylvain
Kleider, Jean‐Paul

Pokaż więcej

Temat:

SILICON wafers
SPACE charge
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
SEMICONDUCTOR wafers
DIRECT energy conversion
SILICON solar cells

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2017, Vol. 214 Issue 12, pn/a-N.PAG, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Charge-based deep level transient spectroscopy of B-doped and undoped polycrystalline diamond films.

Autorzy:

Paprocki, Kazimierz
Fabisiak, Kazimierz
Bogdanowicz, Robert
Gołuński, Łukasz
Staryga, Elżbieta
Szybowicz, Mirosław
Kowalska, Magdalena
Banaszak-Piechowska, Agnieszka

Pokaż więcej

Temat:

POLYCRYSTALS
DIAMOND films
DOPING agents (Chemistry)
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL vapor deposition

Źródło:

Journal of Materials Science; Sep2017, Vol. 52 Issue 17, p10119-10126, 8p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Deep carrier traps in as grown isotopically pure Si FZ crystal.

Autorzy:

Mchedlidze, Teimuraz
Weber, Jörg
Abrosimov, Nikolay V.
Riemann, Helge

Pokaż więcej

Temat:

SILICON crystals
CRYSTAL growth
DEEP level transient spectroscopy
PHOTOLUMINESCENCE
AGGLOMERATES (Chemistry)

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jul2017, Vol. 214 Issue 7, pn/a-N.PAG, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Deep levels in low resistive Zn3P2.

Autorzy:

Sierański, K.
Szatkowski, J.
Hajdusianek, A.

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRICAL resistivity
PHOTOCAPACITANCE
ZINC compounds
DEEP level transient spectroscopy
ACTIVATION energy

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; May2017, Vol. 214 Issue 5, pn/a-N.PAG, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

A deep-level transient spectroscopy study of p-type silicon Schottky barriers containing a Si-O superlattice.

Autorzy:

Simoen, Eddy
Jayachandran, Suseendran
Delabie, Annelies
Caymax, Matty
Heyns, Marc

Pokaż więcej

Temat:

SUPERLATTICES
DEEP level transient spectroscopy
P-type semiconductors
SCHOTTKY barrier
SILICON
CHEMICAL vapor deposition

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Apr2017, Vol. 254 Issue 4, pn/a-N.PAG, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

COMPOSITION RELATED ELECTRICAL ACTIVE DEFECT STATES OF INGAAS AND GAASN.

Autorzy:

KOSA, Arpad
STUCHLIKOVA, Lubica
HARMATHA, Ladislav
KOVAC, Jaroslav
SCIANA, Beata
DAWIDOWSKI, Wojciech
TLACZALA, Marek

Pokaż więcej

Temat:

SEMICONDUCTOR defects
DEEP level transient spectroscopy
INDIUM
SOLAR cells
LITERATURE databases

Źródło:

Advances in Electrical & Electronic Engineering; 2017, Vol. 15 Issue 1, p114-119, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE.

Autorzy:

Gelczuk, Łukasz
Dąbrowska-Szata, Maria
Ściana, Beata
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Kopalko, Krzysztof
Tłaczała, Marek

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM arsenide
GALLIUM nitride
DEEP level transient spectroscopy
HETEROSTRUCTURES
SPECTROMETRY

Źródło:

Materials Science-Poland; Dec2016, Vol. 34 Issue 4, p726-734, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Deep level traps in semi-polar n-GaN grown on patterned sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy.

Autorzy:

Nguyen, X. S.
Hou, H. W.
De Mierry, P.
Vennéguès, P.
Tendille, F.
Arehart, A. R.
Ringel, S. A.
Fitzgerald, E. A.
Chua, S. J.

Pokaż więcej

Temat:

CHARGE carriers
DEEP level transient spectroscopy
METAL organic chemical vapor deposition
QUANTUM confined Stark effect
SOLID state physics

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Nov2016, Vol. 253 Issue 11, p2225-2229, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Interactions of hydrogen with vanadium in crystalline silicon.

Autorzy:

Mullins, Jack
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.

Pokaż więcej

Temat:

VANADIUM spectra
HYDROGEN spectra
SILICON crystals
DEEP level transient spectroscopy
SECONDARY ion mass spectrometry

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2016, Vol. 213 Issue 11, p2838-2843, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Annealing effects on.

Autorzy:

Qi, Zhen
Sheng, Fengfeng
Zhu, Liang
Chen, Xiren
Zhu, Liangqing
Zha, Fangxing
Yang, Jianrong
Shao, Jun

Pokaż więcej

Temat:

ANNEALING of semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
CRYSTAL defects
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTRAL energy distribution

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Aug2016, Vol. 253 Issue 8, p1612-1615, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Study of deep levels in GaAs p-i-n structures.

Autorzy:

Sobolev, M.
Soldatenkov, F.
Kozlov, V.

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM arsenide
PIN diodes
CRYSTAL structure
DEEP level transient spectroscopy
CAPACITANCE-voltage characteristics

Źródło:

Semiconductors; Jul2016, Vol. 50 Issue 7, p924-928, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Deep-level transient spectroscopy at platinum/titanium-dioxide hydrogen sensors.

Autorzy:

Schnorr, L.
Cerchez, M.
Ostermann, D.
Heinzel, T.

Pokaż więcej

Temat:

TITANIUM dioxide
HYDROGEN detectors
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier
MESOPOROUS materials

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Apr2016, Vol. 253 Issue 4, p690-696, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Study of Defects in GaN In Situ Doped with Eu Ion Grown by OMVPE.

Autorzy:

Wang, Jingzhou
Koizumi, Atsushi
Fujiwara, Yasufumi
Jadwisienczak, Wojciech

Pokaż więcej

Temat:

ORGANOMETALLIC compounds
METAL organic chemical vapor deposition
SCHOTTKY barrier
DEEP level transient spectroscopy
ENERGY levels (Quantum mechanics)
CONDUCTION bands

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Apr2016, Vol. 45 Issue 4, p2001-2007, 7p, 1 Diagram, 2 Charts, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Electronic properties of defects in high-fluence electron-irradiated bulk GaN.

Autorzy:

Duc, Tran Thien
Pozina, Galia
Son, Nguyen Tien
Ohshima, Takeshi
Janzén, Erik
Hemmingsson, Carl

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRIC properties of gallium nitride
CRYSTAL defects
NUCLEAR cross sections
ELECTRON capture
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON beams
VAPOR phase epitaxial growth
HIGH temperatures

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Mar2016, Vol. 253 Issue 3, p521-526, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

DLTS analysis of amphoteric interface defects in high-TiO2 MOS structures prepared by sol-gel spin-coating.

Autorzy:

Kumar, Arvind
Mondal, Sandip
Raoa, K. S. R. Koteswara

Pokaż więcej

Temat:

TITANIUM dioxide films
DEEP level transient spectroscopy
SOL-gel processes

Źródło:

AIP Advances; 2015, Vol. 5 Issue 11, p1-10, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Electrically Active Defects In Solar Cells Based On Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction After Irradiation By Heavy Xe Ions.

Autorzy:

Harmatha, Ladislav
Mikolášek, Miroslav
Stuchlíková, L'ubica
Kósa, Arpád
Žiška, Milan
Hrubčín, Ladislav
Skuratov, Vladimir A.

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
AMORPHOUS silicon
SILICON crystals
HETEROJUNCTIONS
IRRADIATION
HEAVY ions
XENON
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Journal of Electrical Engineering; Nov2015, Vol. 66 Issue 6, p323-328, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

On the nature of defects produced by motion of dislocations in silicon.

Autorzy:

Khorosheva, M. A.
Kveder, V. V.
Seibt, M.

Pokaż więcej

Temat:

DISLOCATIONS in crystals
DEEP level transient spectroscopy
POINT defects
MOTION detectors
SEMICONDUCTOR technology
THERMAL properties of semiconductors

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2015, Vol. 212 Issue 8, p1695-1703, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:

Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.

Autorzy:

Noor ul Huda Khan Asghar, H.
Gilani, Zaheer
Awan, M.
Ahmad, I.
Tan, Yi

Pokaż więcej

Temat:

INDIUM gallium nitride
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC potential measurement
LOW temperatures
LIGHT emitting diodes
BAND gaps
SEMICONDUCTORS

Źródło:

Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ); Jan2015, Vol. 40 Issue 1, p263-268, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:

DLTS characterization of proton-implanted silicon under varying annealing conditions.

Autorzy:

Laven, J. G.
Jelinek, M.
Job, R.
Schustereder, W.
Schulze, H.‐J.
Rommel, M.
Frey, L.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
PROTONS
ANNEALING of crystals
HYDROGEN
FOURIER transforms
HYDROGENATED amorphous silicon

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Nov2014, Vol. 251 Issue 11, p2189-2192, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:

Iron-related carrier traps near the np-junctions of crystalline silicon solar cells: impacts of feedstock and of the fabrication processes.

Autorzy:

Mchedlidze, Teimuraz
Weber, Jörg

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
FABRICATION (Manufacturing)
IRON analysis
PHOSPHORUS analysis
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Aug2014, Vol. 251 Issue 8, p1608-1613, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

Spectroscopy of Technological Defects in Si Solar Cells by Analysis of Temperature Dependent Generation Currents.

Autorzy:

PAVLOV, Jevgenij
BAJARŪNAS, Darius
ČEPONIS, Tomas
GAUBAS, Eugenijus
MEŠKAUSKAITĖ, Dovile

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cell efficiency
SURFACE defects
SEMICONDUCTOR junctions
ELECTRIC capacity
DEEP level transient spectroscopy

Alternatywny tytuł:

Technologinių defektų Si saulės elementuose spektroskopijos metodika, pagrįsta srovės temperatūrinių kitimų analize. (Lithuanian)

Źródło:

Materials Science / Medziagotyra; 2014, Vol. 20 Issue 3, p252-255, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:

M-Center in Neutron-Irradiated 4H-SiC.

Autorzy:

Capan, Ivana
Brodar, Tomislav
Makino, Takahiro
Radulovic, Vladimir
Snoj, Luka

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
NEUTRON irradiation
FAST neutrons

Źródło:

Crystals (2073-4352); Nov2021, Vol. 11 Issue 11, p1404, 1p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

Electronic properties of E3 electron trap in n-type ZnO.

Autorzy:

Chicot, Gauthier
Pernot, Julien
Santailler, Jean‐Louis
Chevalier, Céline
Granier, Carole
Ferret, Pierre
Ribeaud, Alexandre
Feuillet, Guy
Muret, Pierre

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps
IONIZATION energy
ELECTRIC conductivity
CROSS-sectional method

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Jan2014, Vol. 251 Issue 1, p206-210, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

Introduction and annealing of primary defects in proton-bombarded n-GaN.

Autorzy:

Schmidt, Matthias
de Meyer, Hannes
Johan Janse van Rensburg, Pieter
Ernst Meyer, Walter
Danie Auret, Francois

Pokaż więcej

Temat:

CAPACITANCE-voltage characteristics
SPECTROMETRY
CRYSTAL defects
DEEP level transient spectroscopy
PROTONS
IRRADIATION

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Jan2014, Vol. 251 Issue 1, p211-218, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:

The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS).

Autorzy:

Tiezheng Lv
Lili Zhao

Pokaż więcej

Temat:

SILICON crystals
NANOCRYSTALS
DEEP level transient spectroscopy
SUPERLATTICES
METAL oxide semiconductors
DIELECTRICS
CHEMICAL structure

Źródło:

Journal of Nanomaterials; 2014, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:

Zonal disintegration of rock mass around an underground excavation.

Autorzy:

Mirenkov, V.

Pokaż więcej

Temat:

ROCK excavation
ELASTICITY
DEEP level transient spectroscopy
ISOTROPIC properties
STRAINS & stresses (Mechanics)
MATHEMATICAL models

Źródło:

Journal of Mining Science; Jan2014, Vol. 50 Issue 1, p33-37, 5p, 2 Diagrams

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:

TCAD-based DLTS simulation for analysis of extended defects.

Autorzy:

Scheinemann, Artur
Schenk, Andreas

Pokaż więcej

Temat:

METAL oxide semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
EXTENDED defects (Crystallography)
DISLOCATION loops
HEAT treatment of metals
SIMULATION methods & models

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jan2014, Vol. 211 Issue 1, p136-142, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:

Analysis of Deep Level Trap Effects in Transistor Lasers.

Autorzy:

HORRI, A.
MIRMOEINI, S.
FAEZ, R.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
TRANSISTORS
LASER beams
SIMULATION methods & models
QUANTUM efficiency
BANDWIDTHS
SEMICONDUCTOR lasers

Źródło:

Lasers in Engineering (Old City Publishing); 2013, Vol. 25 Issue 5/6, p313-322, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:

OPTICALLY INDUCED CURRENT DEEP LEVEL SPECTROSCOPY OF RADIATION DEFECTS IN NEUTRON IRRADIATED Si PAD DETECTORS.

Autorzy:

Gaubas, E.
Bajarūnas, D.
Čeponis, T.
Meškauskaitė, D.
Pavlov, J.

Pokaż więcej

Temat:

ELECTROMAGNETIC spectrum
NEUTRONS
SILICON detectors
ELECTRIC capacity
DEEP level transient spectroscopy

Alternatywny tytuł:

NEUTRONAIS APŠVITINTŲ Si DETEKTORIŲ RADIACINIŲ DEFEKTŲ GILIŲJŲ LYGMENŲ OPTIŠKAI ŽADINAMOS SROVĖS SPEKTROSKOPIJA. (Lithuanian)

Źródło:

Lithuanian Journal of Physics; 2013, Vol. 53 Issue 4, p215-218, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:

Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO-GaAs structure based on DLTS measurements.

Autorzy:

Kochowski, S.
Drewniak, Ł.
Nitsch, K.
Paszkiewicz, R.
Paszkiewicz, B.

Pokaż więcej

Temat:

SILICON oxide
GALLIUM arsenide
METAL microstructure
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC properties of metals
INTERFACES (Physical sciences)
METAL-insulator-semiconductor structures

Źródło:

Materials Science-Poland; Aug2013, Vol. 31 Issue 3, p446-453, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:

Effect of surface passivation by SiN/SiO of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method.

Autorzy:

Gassoumi, Malek
Mosbahi, Hana
Zaidi, Mohamed
Gaquiere, Christophe
Maaref, Hassen

Pokaż więcej

Temat:

SURFACE passivation
SILICON nitride
SILICON oxide
ALUMINUM gallium nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
SUBSTRATES (Materials science)
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Semiconductors; Jul2013, Vol. 47 Issue 7, p1008-1012, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:

DLTS Study of plastically deformed copper-doped n-type germanium.

Autorzy:

Shevchenko, S.
Kolyubakin, A.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
MATERIAL plasticity
COPPER
DOPING agents (Chemistry)
GERMANIUM
ELECTRON capture

Źródło:

Semiconductors; Jun2013, Vol. 47 Issue 6, p849-855, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:

Analysis of Current Transport Mechanism in AP-MOVPE Grown GaAsN p-i-n Solar Cell.

Autorzy:

Dawidowski, Wojciech
Ściana, Beata
Bielak, Katarzyna
Mikolášek, Miroslav
Drobný, Jakub
Serafińczuk, Jarosław
Lombardero, Iván
Radziewicz, Damian
Kijaszek, Wojciech
Kósa, Arpád
Florovič, Martin
Kováč Jr., Jaroslav
Algora, Carlos
Stuchlíková, L'ubica

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
DEEP level transient spectroscopy
METAL vapors
INTERSTITIAL defects
PHOTOVOLTAIC power systems

Źródło:

Energies (19961073); Aug2021, Vol. 14 Issue 15, p4651-4651, 1p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:

Editorial for the Special Issue on "Crystalline Materials for Radiation Detection: A New Perspective".

Autorzy:

Capan, Ivana
Coutinho, José
Radulović, Vladimir
Makino, Takahiro

Pokaż więcej

Temat:

RADIATION
THERMAL neutrons
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON traps

Źródło:

Crystals (2073-4352); Aug2021, Vol. 11 Issue 8, p945, 1p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:

Identification of copper-copper and copper-hydrogen complexes in silicon.

Autorzy:

Yarykin, N.
Weber, J.

Pokaż więcej

Temat:

COPPER
HYDROGEN
SILICON
METAL inclusions
TEMPERATURE effect
PHOTOLUMINESCENCE
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Semiconductors; Feb2013, Vol. 47 Issue 2, p275-278, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:

Spectroscopy of Deep Traps in Cu2S-CdS Junction Structures.

Autorzy:

Gaubas, Eugenijus
Brytavskyi, Ievgen
Ceponis, Tomas
Kalendra, Vidmantas
Tekorius, Audrius

Pokaż więcej

Temat:

COPPER compounds
POLYCRYSTALS
DEEP level transient spectroscopy
PHOTOIONIZATION
PHOTOCURRENTS

Źródło:

Materials (1996-1944); Dec2012, Vol. 5 Issue 12, p2597-2608, 12p, 3 Charts, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:

A Q-DLTS investigation of aluminum nitride surface termination.

Autorzy:

Rothenberger, Jason B.
Montenegro, Daniel E.
Prelas, Mark A.
Ghosh, Tushar K.
Tompson, Robert V.
Loyalka, Sudarshan K.

Pokaż więcej

Temat:

ALUMINUM nitride
DEEP level transient spectroscopy
HYDROGEN
ARRHENIUS equation
SPECTRUM analysis

Źródło:

Journal of Materials Research; 2012, Vol. 27 Issue 8, p1198-1204, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:

About RC-like contacts in deep level transient spectroscopy and Cu(In,Ga)Se2 solar cells.

Autorzy:

Lauwaert, J.
Callens, L.
Khelifi, S.
Decock, K.
Burgelman, M.
Chirila, A.
Pianezzi, F.
Buecheler, S.
Tiwari, A. N.
Vrielinck, H.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SOLAR cells
BUFFER layers
VALENCE (Chemistry)
ELECTRONS
COPPER

Źródło:

Progress in Photovoltaics; Aug2012, Vol. 20 Issue 5, p588-594, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:

Point Defects in Pb-, Bi-, and In-Doped CdZnTe Detectors: Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Measurements.

Autorzy:

Gul, R.
Keeter, K.
Rodriguez, R.
Bolotnikov, A.E.
Hossain, A.
Camarda, G.S.
Kim, K.H.
Yang, G.
Cui, Y.
Carcelen, V.
Franc, J.
Li, Z.
James, R.B.

Pokaż więcej

Temat:

POINT defects
NUCLEAR counters
RESEARCH methodology
DEEP level transient spectroscopy
CADMIUM alloys
TELLURIUM
ZINC

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Mar2012, Vol. 41 Issue 3, p488-493, 6p, 1 Black and White Photograph, 2 Charts, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:

Deep Level Saturation Spectroscopy.

Autorzy:

Gavryushin, Vladimir

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
NONLINEAR optics
SEMICONDUCTORS
STATIONARY processes
LIGHT absorption
PHOTONS
CROSS-sectional method

Źródło:

International Journal of Optics; 2012, p1-16, 16p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:

DLTS study of annihilation of oxidation induced deep-level defects in Ni/SiO/ n-Si MOS structures.

Autorzy:

Shashank, N.
Gupta, Sanjeev
Madhu, K.
Akhtar, J.
Damle, R.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
ANNIHILATION reactions
OXIDATION
CRYSTAL defects
METAL oxide semiconductors
MOLECULAR structure
MICROFABRICATION

Źródło:

Bulletin of Materials Science; 2011, Vol. 34 Issue 7, p1627-1631, 5p, 1 Chart, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:

Deep Traps in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Studied by Current-Mode Deep-Level Transient Spectroscopy: Influence of Device Location.

Autorzy:

Fang, Z.-Q.
Claflin, B.
Look, D.C.

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM nitride
HETEROSTRUCTURES
FIELD-effect transistors
DEEP level transient spectroscopy
PHYSICAL measurements
ELECTRON gas
DISLOCATIONS in crystals

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Dec2011, Vol. 40 Issue 12, p2337-2343, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:

Traps in 4H-SiC Field-Effect Transistors Characterized by Capacitance- and Current-Mode Deep-Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Fang, Z.-Q.
Claflin, B.
Look, D.
Chai, F.
Odekirk, B.

Pokaż więcej

Temat:

FIELD-effect transistors
DEEP level transient spectroscopy
SEMICONDUCTOR wafers
SEMICONDUCTOR-metal boundaries
ELECTRIC currents
ELECTRIC capacity
SILICON carbide

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Nov2011, Vol. 40 Issue 11, p2179-2186, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:

Effects of cobalt doping on the electrical properties of MBE-grown ZnO.

Autorzy:

Seghier, D.
Gislason, H. P.

Pokaż więcej

Temat:

COBALT
ZINC oxide
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC resistance
FREE electron theory of metals
ANNEALING of metals
FERROMAGNETISM

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Sep2011, Vol. 22 Issue 9, p1400-1403, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:

Deep electron levels in undoped polycrystalline CdTe annealed in liquid Cd.

Autorzy:

Bobrova, E.
Klevkov, Y.

Pokaż więcej

Temat:

SEMICONDUCTOR doping
POLYCRYSTALS
ANNEALING of metals
CADMIUM
DEEP level transient spectroscopy
CRYSTAL growth
VAPOR-plating
CRYSTAL grain boundaries
ELECTRIC conductivity

Źródło:

Semiconductors; Jul2011, Vol. 45 Issue 7, p865-871, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:

DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.

Autorzy:

Shashank, N.
Singh, Vikram
Gupta, SanjeevK.
Madhu, K.V.
Akhtar, J.
Damle, R.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC potential
ION traps
CAPACITORS
LITHIUM ions
IRRADIATION
METAL oxide semiconductors

Źródło:

Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena; Apr2011, Vol. 166 Issue 4, p313-322, 10p, 2 Charts, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:

Point Defects in CdZnTe Crystals Grown by Different Techniques.

Autorzy:

Gul, R.
Bolotnikov, A.
Kim, H.
Rodriguez, R.
Keeter, K.
Li, Z.
Gu, G.
James, R.

Pokaż więcej

Temat:

POINT defects
TELLURIDES
CRYSTAL growth
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL detectors
ENERGY levels (Quantum mechanics)

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Mar2011, Vol. 40 Issue 3, p274-279, 6p, 2 Charts, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Tytuł:

Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates.

Autorzy:

Shafi, M.
Mari, R.
Khatab, A.
Taylor, D.
Henini, M.

Pokaż więcej

Temat:

QUANTUM wells
MOLECULAR beam epitaxy
GALLIUM arsenide
ALUMINUM compounds
SEMICONDUCTOR wafers
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON emission
SEMICONDUCTOR defects

Źródło:

Nanoscale Research Letters; Dec2010, Vol. 5 Issue 12, p1948-1951, 4p, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:

Relaxation spectroscopy of deep levels in semiconductors: Laplace-DLTS method.

Autorzy:

Levin, M.
Bormontov, A.
Akhkubekov, A.
Tatokhin, E.

Pokaż więcej

Temat:

RELAXATION spectroscopy
DEEP level transient spectroscopy
SEMICONDUCTORS
LAPLACE transformation
FIELD emission
INVERSE problems
ELECTRIC charge

Źródło:

Technical Physics Letters; Nov2010, Vol. 36 Issue 11, p1001-1005, 5p, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Tytuł:

Interaction of copper atoms with radiation-induced defects in silicon.

Autorzy:

Murin, L.
Medvedeva, I.
Markevich, V.

Pokaż więcej

Temat:

SILICON
SPECTRUM analysis
ELECTRIC currents
HALL effect
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Inorganic Materials; Apr2010, Vol. 46 Issue 4, p333-338, 6p, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Tytuł:

I-V , C-V and deep level transient spectroscopy study of 24 MeV proton-irradiated bipolar junction transistor.

Autorzy:

Madhu, K. V.
Kulkarni, S. R.
Damle, R.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION
PROTONS
ELECTRONS
BIPOLAR transistors
MATHEMATICAL analysis

Źródło:

Pramana: Journal of Physics; Jan2010, Vol. 74 Issue 1, p97-107, 11p, 2 Charts, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 85.

Tytuł:

Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures.

Autorzy:

GELCZUK, ŁUKASZ
DĄBROWSKA-SZATA, MARIA

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM arsenide
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
ENERGY levels (Quantum mechanics)
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Optica Applicata; 2009, Vol. 39 Issue 4, p845-852, 8p, 1 Chart, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 86.

Tytuł:

Laplace-DLTS method with the regularization parameter chosen from the L curve.

Autorzy:

Levin, M. N.
Tatarintzev, A. V.
Akhkubekov, A. E.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SEMICONDUCTORS
NUMERICAL analysis
LOGARITHMIC functions
LAPLACE transformation

Źródło:

Semiconductors; May2009, Vol. 43 Issue 5, p586-589, 4p, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 87.

Tytuł:

Characterization of a metastable defect labeled EM3 in hydrogen-implanted n-type silicon using deep-level transient spectroscopy.

Autorzy:

Tokuda, Yutaka
Takeshi Seo

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
HYDROGEN ions
ISOTHERMAL transformation diagrams
COOLING curves
PHOTOSYNTHETIC oxygen evolution

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p281-284, 4p, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88.

Tytuł:

Investigation of defects in polyhedral oligomeric silsesquioxanes based organic light emitting diodes.

Autorzy:

Renaud, Cédric
Josse, Yves
Chih-Wen Lee
Nguyen, Thien-Phap

Pokaż więcej

Temat:

SURFACE defects
LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR cross sections
SEMICONDUCTOR diodes
ACTIVATION (Chemistry)
POLYMERS
SEMICONDUCTORS
SPECTRUM analysis

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p87-91, 5p, 1 Chart, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 89.

Tytuł:

Effect of electrical operation on the defect states in organic semiconductors.

Autorzy:

Nguyen, Thien
Renaud, Cédric
Chun Huang
Chih-Nan Lo
Chih-Wen Lee
Chain-Shu Hsu

Pokaż więcej

Temat:

ORGANIC semiconductors
ELECTRONICS
DIODES
POLYMERS
SPECTRUM analysis
DENSITY
DEEP level transient spectroscopy
ATMOSPHERE
NUCLEAR cross sections

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p92-95, 4p, 2 Charts, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 90.

Tytuł:

Thermal instability of electron traps in InAs/GaAs quantum dot structures.

Autorzy:

Kaniewska, M.
Engström, O.
Kaczmarczyk, M.
Zaremba, G.

Pokaż więcej

Temat:

TEMPERATURE measurements
THERMAL insulation
QUANTUM dots
DEEP level transient spectroscopy
SURFACE defects
QUANTUM electronics
SEMICONDUCTORS
ELECTRIC oscillators
ELECTRONS

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p101-106, 6p, 1 Chart, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 91.

Tytuł:

Deep Level Transient Spectroscopy in Quantum Dot Characterization.

Autorzy:

Engström, O.
Kaniewska, M.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
QUANTUM dots
SPECTRUM analysis
TEMPERATURE
ELECTRONS
QUANTUM tunneling
NANOSCIENCE

Źródło:

Nanoscale Research Letters; May2008, Vol. 3 Issue 5, p179-185, 7p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 92.

Tytuł:

Electronic characterization of several 100 μm thick epitaxial GaAs layers.

Autorzy:

Talbi, N.
Khirouni, K.
Sun, G. C.
Samic, H.
Bourgoin, J. C.

Pokaż więcej

Temat:

EPITAXY
GALLIUM arsenide
CHEMICAL vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
ENERGY levels (Quantum mechanics)
CONDUCTION bands
ELECTRIC conductivity
ELECTRON mobility
RADIOSCOPIC diagnosis

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; May2008, Vol. 19 Issue 5, p487-492, 6p, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 93.

Tytuł:

Interaction between oxygen and dislocations in p-type silicon.

Autorzy:

Cavalcoli, D.
Castaldini, A.
Cavallini, A.

Pokaż więcej

Temat:

SILICON
OXYGEN
DISLOCATIONS in crystals
DEEP level transient spectroscopy
MATERIALS science

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Mar2008, Vol. 90 Issue 4, p619-622, 4p, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 94.

Tytuł:

Wannier-stark effect in Ge/Si quantum dot superlattices.

Autorzy:

Sobolev, M. M.
Cirlin, G. É.
Tonkikh, A. A.
Zakharov, N. D.

Pokaż więcej

Temat:

QUANTUM dots
DEEP level transient spectroscopy
SUPERLATTICES
ELECTRON emission
HETEROSTRUCTURES

Źródło:

Semiconductors; Mar2008, Vol. 42 Issue 3, p305-309, 5p, 2 Diagrams, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 95.

Tytuł:

Characterization of HgCdTe Diodes on Si Substrates Using Temperature-Dependent Current-Voltage Measurements and Deep Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Johnstone, D.
Golding, T. D.
Hellmer, R.
Dinan, J. H.
Carmody, M.

Pokaż więcej

Temat:

DIODES
VACUUM tubes
SPECTRUM analysis
DEEP level transient spectroscopy
ANNEALING of metals
MERCURY
CADMIUM
TELLURIDES

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Aug2007, Vol. 36 Issue 8, p832-836, 5p, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 96.

Tytuł:

Donor-like defects in ZnO substrate materials and ZnO thin films.

Autorzy:

von Wenckstern, H.
Brandt, M.
Schmidt, H.
Biehne, G.
Pickenhain, R.
Hochmuth, H.
Lorenz, M.
Grundmann, M.

Pokaż więcej

Temat:

ZINC oxide thin films
CRYSTAL defects
SURFACES (Technology)
DEEP level transient spectroscopy
PULSED laser deposition
HALL effect

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p135-139, 5p, 3 Charts, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 97.

Tytuł:

Electrical and optical spectroscopy on ZnO:Co thin films.

Autorzy:

Schmidt, H.
Diaconu, M.
Hochmuth, H.
Benndorf, G.
von Wenckstern, H.
Biehne, G.
Lorenz, M.
Grundmann, M.

Pokaż więcej

Temat:

OPTICAL spectroscopy
ZINC oxide
COBALT
THIN films
SPINTRONICS
PHOTOLUMINESCENCE
FERROMAGNETISM
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p157-160, 4p, 1 Chart, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 98.

Tytuł:

Properties of the oxygen vacancy in ZnO.

Autorzy:

Hofmann, D.M.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.K.
Tena-Zaera, R.
Munoz-Sanjose, V.
Frank, T.
Pensl, G.

Pokaż więcej

Temat:

ZINC oxide
ANNEALING of crystals
MAGNETIC resonance
OXYGEN
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
PHOTOLUMINESCENCE

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p147-151, 5p, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 99.

Tytuł:

Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide.

Autorzy:

Frank, T.
Pensl, G.
Tena-Zaera, R.
Zúñiga-Pérez, J.
Martínez-Tomás, C.
Muñoz-Sanjosé, V.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Hofmann, D.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.

Pokaż więcej

Temat:

CRYSTAL defects
ZINC oxide
CRYSTAL growth
CRYSTAL lattices
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p141-145, 5p, 2 Diagrams, 4 Charts, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 100.

Tytuł:

Annealing kinetics of gold and iron–gold complex.

Autorzy:

Ali, Akbar
Majid, Abdul

Pokaż więcej

Temat:

GOLD
SPECTRUM analysis
MANUFACTURING processes
DEEP level transient spectroscopy
TEMPERATURE

Źródło:

Journal of Materials Science; Jul2007, Vol. 42 Issue 13, p4753-4756, 4p, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły