Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Effect of defect states on CH3NH3PbI3 solar cell efficiency by varying application time of antisolvents.

Autorzy:

Lee, Kyoung Su (AUTHOR)
Oh, Jaewon (AUTHOR)
Lee, Hyunbok (AUTHOR)
Ryu, Mee-Yi (AUTHOR)
Kim, Eun Kyu (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. Sep2023, Vol. 129 Issue 9, p1-7. 7p. 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 3 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

An Automated Measuring System for Current Deep-Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Ermachikhin, A. V.
Litvinov, V. G.

Pokaż więcej

Źródło:

Instruments & Experimental Techniques. Mar2018, Vol. 61 Issue 2, p277-282. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Electrical spectroscopy of defect states and their hybridization in monolayer MoS2.

Autorzy:

Zhao, Yanfei
Tripathi, Mukesh
Čerņevičs, Kristiāns
Avsar, Ahmet
Ji, Hyun Goo
Gonzalez Marin, Juan Francisco
Cheon, Cheol-Yeon
Wang, Zhenyu
Yazyev, Oleg V.
Kis, Andras

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
OPTICAL aberrations
SEMICONDUCTOR devices
MONOMOLECULAR films
FIELD-effect transistors
SCANNING transmission electron microscopy
SEMICONDUCTOR defects

Źródło:

Nature Communications; 1/3/2023, Vol. 14 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Experimental and theoretical studies of native deep-level defects in transition metal dichalcogenides.

Autorzy:

Kim, Jun Young
Gelczuk, Łukasz
Polak, Maciej P.
Hlushchenko, Daria
Morgan, Dane
Kudrawiec, Robert
Szlufarska, Izabela

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
TRANSITION metals
METAL defects
POINT defects

Źródło:

NPJ 2D Materials & Applications; 10/29/2022, Vol. 6 Issue 1, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.

Autorzy:

Noor ul Huda Khan Asghar, H.
Gilani, Zaheer
Awan, M.
Ahmad, I.
Tan, Yi

Pokaż więcej

Źródło:

Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Jan2015, Vol. 40 Issue 1, p263-268. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

DLTS study of the influence of annealing on deep level defects induced in xenon ions implanted n-type 4H-SiC.

Autorzy:

Omotoso, Ezekiel
Meyer, Walter E.
Igumbor, Emmanuel
Hlatshwayo, Thulani T.
Prinsloo, Aletta R. E.
Auret, F. Danie
Sheppard, Charles J.

Pokaż więcej

Temat:

SCHOTTKY barrier diodes
DEEP level transient spectroscopy
XENON
ARTIFICIAL implants
ION implantation

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2022, Vol. 33 Issue 19, p15679-15688, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

DLTS Study of plastically deformed copper-doped n-type germanium.

Autorzy:

Shevchenko, S.
Kolyubakin, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jun2013, Vol. 47 Issue 6, p849-855. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

DLTS study of annihilation of oxidation induced deep-level defects in Ni/SiO/ n-Si MOS structures.

Autorzy:

Shashank, N.
Gupta, Sanjeev
Madhu, K.
Akhtar, J.
Damle, R.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of Materials Science. 2011, Vol. 34 Issue 7, p1627-1631. 5p. 1 Chart, 7 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Relaxation spectroscopy of deep levels in semiconductors: Laplace-DLTS method.

Autorzy:

Levin, M.
Bormontov, A.
Akhkubekov, A.
Tatokhin, E.

Pokaż więcej

Źródło:

Technical Physics Letters. Nov2010, Vol. 36 Issue 11, p1001-1005. 5p. 3 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

I-V , C-V and deep level transient spectroscopy study of 24 MeV proton-irradiated bipolar junction transistor.

Autorzy:

Madhu, K. V.
Kulkarni, S. R.
Damle, R.

Pokaż więcej

Źródło:

Pramana: Journal of Physics. Jan2010, Vol. 74 Issue 1, p97-107. 11p. 2 Charts, 8 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Laplace-DLTS method with the regularization parameter chosen from the L curve.

Autorzy:

Levin, M. N.
Tatarintzev, A. V.
Akhkubekov, A. E.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. May2009, Vol. 43 Issue 5, p586-589. 4p. 3 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Wannier-stark effect in Ge/Si quantum dot superlattices.

Autorzy:

Sobolev, M. M.
Cirlin, G. É.
Tonkikh, A. A.
Zakharov, N. D.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Mar2008, Vol. 42 Issue 3, p305-309. 5p. 2 Diagrams, 4 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Defect engineering for high-power 780 nm AlGaAs laser diodes.

Autorzy:

Kim, D. S.
Choi, W. C.
Moon, G. W.
Jang, K. Y.
Kim, T. G.
Sung, Y. M.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science. Nov2006, Vol. 41 Issue 22, p7319-7323. 5p. 3 Charts, 7 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Effects of implantation defects on the carrier concentration of 6H-SiC.

Autorzy:

Ruggiero, A.
Libertino, S.
Roccaforte, F.
La Via, F.
Calcagno, L.

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2006, Vol. 82 Issue 3, p543-547. 5p. 4 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Deep electronic states in ion-implanted Si.

Autorzy:

Evans-Freeman, J. H.
Emiroglu, D.
Gad, M. A.
Mitromara, N.
Vernon-Parry, K. D.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science. Feb2006, Vol. 41 Issue 3, p1007-1012. 6p. 1 Chart, 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si.

Autorzy:

Zangenberg, N.R.
Larsen, A. Nylandsted

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2005, Vol. 80 Issue 5, p1081-1086. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Measurements of Deep Trap Concentration in Diodes with a High Schottky Barrier by Deep-Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Agafonov, E. N.
Georgobiani, A. N.
Lepnev, L. S.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jun2002, Vol. 36 Issue 6, p655. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Effect of Ultraviolet Irradiation on 4H-SiC PiN Diodes Characteristics.

Autorzy:

Xu, Xingliang
Zhang, Lin
Dong, Peng
Li, Zhiqiang
Li, Lianghui
Li, Juntao
Zhang, Jian

Pokaż więcej

Temat:

PIN diodes
DEEP level transient spectroscopy
ULTRAVIOLET radiation
HIGH voltages

Źródło:

Nanoscale Research Letters; 9/10/2021, Vol. 16 Issue 1, p1-5, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Nature of Ec-0.37 eV centers and the formation of high-resistivity layers in n-type silicon.

Autorzy:

Naumova, O. V.
Smirnov, L. S.
Stas’, V. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Aug97, Vol. 31 Issue 8, p847. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Deep level transient spectroscopy under conditions of current-carrier exchange between two allowed bands.

Autorzy:

Lebedev, A. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Apr97, Vol. 31 Issue 4, p371. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Defect analysis of crystalline Si solar cells by learning radiation-induced defects in Si.

Autorzy:

Yamaguchi, Masafumi
Kamioka, Takefumi
Kojima, Nobuaki
Ohshita, Yoshio

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
RADIATION
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

MRS Communications; Jun2021, Vol. 11 Issue 3, p272-277, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

A Comment to the paper by E.A. Tatokhin, A.V. Kadantsev, A.E. Bormontov, and V.G. Zadorozhniy 'a statistical method of deep-level transient spectroscopy in semiconductors'.

Autorzy:

Yarykin, N.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jun2011, Vol. 45 Issue 6, p832-834. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particles.

Autorzy:

Badylevich, M. V.
Blokhin, I. V.
Golovin, Yu. I.
Dmitrievskiĭ, A. A.
Kartsev, S. V.
Suchkova, N. Yu.
Tolotaev, M. Yu.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Dec2006, Vol. 40 Issue 12, p1375-1377. 3p. 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement.

Autorzy:

Jabbari, I. (AUTHOR)
Baira, M. (AUTHOR)
Maaref, H. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. Jul2020, Vol. 126 Issue 7, p1-11. 11p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Distinctive features of the creation of radiation-induced defects in p-Si by photon-assisted low-dose ion implantation.

Autorzy:

Barabanenkov, M. Yu.
Leonov, A. V.
Mordkovich, V. N.
Omelyanovskaya, N. M.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Aug99, Vol. 33 Issue 8, p821. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Low-Frequency Noises and DLTS Studies in HgCdTe MWIR Photodiodes.

Autorzy:

Guinedor, P.
Brunner, A.
Rubaldo, L.
Bauza, D.
Reimbold, G.
Billon-Lanfrey, D.

Pokaż więcej

Temat:

BURST noise
DEEP level transient spectroscopy
PHOTODIODES
NOISE
ELECTRO-optical effects

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Oct2019, Vol. 48 Issue 10, p6113-6117, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS.

Autorzy:

Ke, Xiao-yu
Ming, Si-ting
Wang, Duo-wei
Li, Tong
Liu, Bing-yan
Cao, Shu-rui
Ma, Yao
Li, Yun
Yang, Zhi-mei
Gong, Min
Huang, Ming-min
Bi, Jin-shun
Xu, Yan-nan
Xi, Kai
Xu, Gao-bo
Majumdar, Sandip

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
GAMMA rays
RADIATION
CAPACITORS
ELECTRIC capacity

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jun2019, Vol. 30 Issue 12, p11079-11085, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al2O3 on silicon using deep-level transient spectroscopy.

Autorzy:

Chen, Zhe
Dong, Peng
Xie, Meng
Li, Yun
Yu, Xuegong
Ma, Yao

Pokaż więcej

Temat:

GAMMA ray sources
ATOMIC layer deposition
DEEP level transient spectroscopy
DIELECTRIC devices
CAPACITANCE-voltage characteristics

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jan2019, Vol. 30 Issue 2, p1148-1152, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Effects of Iron Contamination and Hydrogen Passivation on the Electrical Properties of Oxygen Precipitates in CZ-Si.

Autorzy:

Li, Jiyang
Song, Lihui
Yu, Xuegong
Yang, Deren

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRIC properties of silicon
DEEP level transient spectroscopy
SPECTROMETRY
SOLAR cells
FOURIER transform infrared spectroscopy

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Sep2018, Vol. 47 Issue 9, p5039-5044, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

DLTS Analysis and Interface Engineering of Solution Route Fabricated Zirconia Based MIS Devices Using Plasma Treatment.

Autorzy:

Kumar, Arvind
Mondal, Sandip
Koteswara Rao, K.

Pokaż więcej

Temat:

METAL-insulator-semiconductor devices
ZIRCONIUM oxide
DEEP level transient spectroscopy
OXYGEN plasmas
SOL-gel processes
ENERGY levels (Quantum mechanics)
HEAT conduction
PASSIVATION

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Feb2018, Vol. 47 Issue 2, p955-960, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Charge-based deep level transient spectroscopy of B-doped and undoped polycrystalline diamond films.

Autorzy:

Paprocki, Kazimierz
Fabisiak, Kazimierz
Bogdanowicz, Robert
Gołuński, Łukasz
Staryga, Elżbieta
Szybowicz, Mirosław
Kowalska, Magdalena
Banaszak-Piechowska, Agnieszka

Pokaż więcej

Temat:

POLYCRYSTALS
DIAMOND films
DOPING agents (Chemistry)
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL vapor deposition

Źródło:

Journal of Materials Science; Sep2017, Vol. 52 Issue 17, p10119-10126, 8p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Study of deep levels in GaAs p-i-n structures.

Autorzy:

Sobolev, M.
Soldatenkov, F.
Kozlov, V.

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM arsenide
PIN diodes
CRYSTAL structure
DEEP level transient spectroscopy
CAPACITANCE-voltage characteristics

Źródło:

Semiconductors; Jul2016, Vol. 50 Issue 7, p924-928, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Study of Defects in GaN In Situ Doped with Eu Ion Grown by OMVPE.

Autorzy:

Wang, Jingzhou
Koizumi, Atsushi
Fujiwara, Yasufumi
Jadwisienczak, Wojciech

Pokaż więcej

Temat:

ORGANOMETALLIC compounds
METAL organic chemical vapor deposition
SCHOTTKY barrier
DEEP level transient spectroscopy
ENERGY levels (Quantum mechanics)
CONDUCTION bands

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Apr2016, Vol. 45 Issue 4, p2001-2007, 7p, 1 Diagram, 2 Charts, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Zonal disintegration of rock mass around an underground excavation.

Autorzy:

Mirenkov, V.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Mining Science. Jan2014, Vol. 50 Issue 1, p33-37. 5p. 2 Diagrams.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Effect of surface passivation by SiN/SiO of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method.

Autorzy:

Gassoumi, Malek
Mosbahi, Hana
Zaidi, Mohamed
Gaquiere, Christophe
Maaref, Hassen

Pokaż więcej

Temat:

SURFACE passivation
SILICON nitride
SILICON oxide
ALUMINUM gallium nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
SUBSTRATES (Materials science)
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Semiconductors; Jul2013, Vol. 47 Issue 7, p1008-1012, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Identification of copper-copper and copper-hydrogen complexes in silicon.

Autorzy:

Yarykin, N.
Weber, J.

Pokaż więcej

Temat:

COPPER
HYDROGEN
SILICON
METAL inclusions
TEMPERATURE effect
PHOTOLUMINESCENCE
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Semiconductors; Feb2013, Vol. 47 Issue 2, p275-278, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

A Q-DLTS investigation of aluminum nitride surface termination.

Autorzy:

Rothenberger, Jason B.
Montenegro, Daniel E.
Prelas, Mark A.
Ghosh, Tushar K.
Tompson, Robert V.
Loyalka, Sudarshan K.

Pokaż więcej

Temat:

ALUMINUM nitride
DEEP level transient spectroscopy
HYDROGEN
ARRHENIUS equation
SPECTRUM analysis

Źródło:

Journal of Materials Research; 2012, Vol. 27 Issue 8, p1198-1204, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Electrical characterization of impurity-free disordering-induced defects in n-GaAs using native oxide layers.

Autorzy:

Deenapanray, P.N.K.
Tan, H.H.
Jagadish, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2003, Vol. 76 Issue 6, p961. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Point Defects in Pb-, Bi-, and In-Doped CdZnTe Detectors: Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Measurements.

Autorzy:

Gul, R.
Keeter, K.
Rodriguez, R.
Bolotnikov, A.E.
Hossain, A.
Camarda, G.S.
Kim, K.H.
Yang, G.
Cui, Y.
Carcelen, V.
Franc, J.
Li, Z.
James, R.B.

Pokaż więcej

Temat:

POINT defects
NUCLEAR counters
RESEARCH methodology
DEEP level transient spectroscopy
CADMIUM alloys
TELLURIUM
ZINC

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Mar2012, Vol. 41 Issue 3, p488-493, 6p, 1 Black and White Photograph, 2 Charts, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Deep Traps in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Studied by Current-Mode Deep-Level Transient Spectroscopy: Influence of Device Location.

Autorzy:

Fang, Z.-Q.
Claflin, B.
Look, D.C.

Pokaż więcej

Temat:

GALLIUM nitride
HETEROSTRUCTURES
FIELD-effect transistors
DEEP level transient spectroscopy
PHYSICAL measurements
ELECTRON gas
DISLOCATIONS in crystals

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Dec2011, Vol. 40 Issue 12, p2337-2343, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Traps in 4H-SiC Field-Effect Transistors Characterized by Capacitance- and Current-Mode Deep-Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Fang, Z.-Q.
Claflin, B.
Look, D.
Chai, F.
Odekirk, B.

Pokaż więcej

Temat:

FIELD-effect transistors
DEEP level transient spectroscopy
SEMICONDUCTOR wafers
SEMICONDUCTOR-metal boundaries
ELECTRIC currents
ELECTRIC capacity
SILICON carbide

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Nov2011, Vol. 40 Issue 11, p2179-2186, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Effects of cobalt doping on the electrical properties of MBE-grown ZnO.

Autorzy:

Seghier, D.
Gislason, H. P.

Pokaż więcej

Temat:

COBALT
ZINC oxide
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRIC resistance
FREE electron theory of metals
ANNEALING of metals
FERROMAGNETISM

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Sep2011, Vol. 22 Issue 9, p1400-1403, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Deep electron levels in undoped polycrystalline CdTe annealed in liquid Cd.

Autorzy:

Bobrova, E.
Klevkov, Y.

Pokaż więcej

Temat:

SEMICONDUCTOR doping
POLYCRYSTALS
ANNEALING of metals
CADMIUM
DEEP level transient spectroscopy
CRYSTAL growth
VAPOR-plating
CRYSTAL grain boundaries
ELECTRIC conductivity

Źródło:

Semiconductors; Jul2011, Vol. 45 Issue 7, p865-871, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Point Defects in CdZnTe Crystals Grown by Different Techniques.

Autorzy:

Gul, R.
Bolotnikov, A.
Kim, H.
Rodriguez, R.
Keeter, K.
Li, Z.
Gu, G.
James, R.

Pokaż więcej

Temat:

POINT defects
TELLURIDES
CRYSTAL growth
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL detectors
ENERGY levels (Quantum mechanics)

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Mar2011, Vol. 40 Issue 3, p274-279, 6p, 2 Charts, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Study of Electron Capture by Quantum Dots Using Deep-Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Sobolev, M. M.
Kochnev, I. V.
Lantratov, V. M.
Ledentsov, N. N.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Oct2001, Vol. 35 Issue 10, p1175. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates.

Autorzy:

Shafi, M.
Mari, R.
Khatab, A.
Taylor, D.
Henini, M.

Pokaż więcej

Temat:

QUANTUM wells
MOLECULAR beam epitaxy
GALLIUM arsenide
ALUMINUM compounds
SEMICONDUCTOR wafers
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON emission
SEMICONDUCTOR defects

Źródło:

Nanoscale Research Letters; Dec2010, Vol. 5 Issue 12, p1948-1951, 4p, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Interaction of copper atoms with radiation-induced defects in silicon.

Autorzy:

Murin, L.
Medvedeva, I.
Markevich, V.

Pokaż więcej

Temat:

SILICON
SPECTRUM analysis
ELECTRIC currents
HALL effect
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Inorganic Materials; Apr2010, Vol. 46 Issue 4, p333-338, 6p, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Characterization of a metastable defect labeled EM3 in hydrogen-implanted n-type silicon using deep-level transient spectroscopy.

Autorzy:

Tokuda, Yutaka
Takeshi Seo

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
HYDROGEN ions
ISOTHERMAL transformation diagrams
COOLING curves
PHOTOSYNTHETIC oxygen evolution

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p281-284, 4p, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Investigation of defects in polyhedral oligomeric silsesquioxanes based organic light emitting diodes.

Autorzy:

Renaud, Cédric
Josse, Yves
Chih-Wen Lee
Nguyen, Thien-Phap

Pokaż więcej

Temat:

SURFACE defects
LIGHT emitting diodes
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR cross sections
SEMICONDUCTOR diodes
ACTIVATION (Chemistry)
POLYMERS
SEMICONDUCTORS
SPECTRUM analysis

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p87-91, 5p, 1 Chart, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

Effect of electrical operation on the defect states in organic semiconductors.

Autorzy:

Nguyen, Thien
Renaud, Cédric
Chun Huang
Chih-Nan Lo
Chih-Wen Lee
Chain-Shu Hsu

Pokaż więcej

Temat:

ORGANIC semiconductors
ELECTRONICS
DIODES
POLYMERS
SPECTRUM analysis
DENSITY
DEEP level transient spectroscopy
ATMOSPHERE
NUCLEAR cross sections

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p92-95, 4p, 2 Charts, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:

Thermal instability of electron traps in InAs/GaAs quantum dot structures.

Autorzy:

Kaniewska, M.
Engström, O.
Kaczmarczyk, M.
Zaremba, G.

Pokaż więcej

Temat:

TEMPERATURE measurements
THERMAL insulation
QUANTUM dots
DEEP level transient spectroscopy
SURFACE defects
QUANTUM electronics
SEMICONDUCTORS
ELECTRIC oscillators
ELECTRONS

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p101-106, 6p, 1 Chart, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:

Deep Level Transient Spectroscopy in Quantum Dot Characterization.

Autorzy:

Engström, O.
Kaniewska, M.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
QUANTUM dots
SPECTRUM analysis
TEMPERATURE
ELECTRONS
QUANTUM tunneling
NANOSCIENCE

Źródło:

Nanoscale Research Letters; May2008, Vol. 3 Issue 5, p179-185, 7p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:

Electronic characterization of several 100 μm thick epitaxial GaAs layers.

Autorzy:

Talbi, N.
Khirouni, K.
Sun, G. C.
Samic, H.
Bourgoin, J. C.

Pokaż więcej

Temat:

EPITAXY
GALLIUM arsenide
CHEMICAL vapor deposition
DEEP level transient spectroscopy
ENERGY levels (Quantum mechanics)
CONDUCTION bands
ELECTRIC conductivity
ELECTRON mobility
RADIOSCOPIC diagnosis

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; May2008, Vol. 19 Issue 5, p487-492, 6p, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

Interaction between oxygen and dislocations in p-type silicon.

Autorzy:

Cavalcoli, D.
Castaldini, A.
Cavallini, A.

Pokaż więcej

Temat:

SILICON
OXYGEN
DISLOCATIONS in crystals
DEEP level transient spectroscopy
MATERIALS science

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Mar2008, Vol. 90 Issue 4, p619-622, 4p, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:

Characterization of HgCdTe Diodes on Si Substrates Using Temperature-Dependent Current-Voltage Measurements and Deep Level Transient Spectroscopy.

Autorzy:

Johnstone, D.
Golding, T. D.
Hellmer, R.
Dinan, J. H.
Carmody, M.

Pokaż więcej

Temat:

DIODES
VACUUM tubes
SPECTRUM analysis
DEEP level transient spectroscopy
ANNEALING of metals
MERCURY
CADMIUM
TELLURIDES

Źródło:

Journal of Electronic Materials; Aug2007, Vol. 36 Issue 8, p832-836, 5p, 8 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

Donor-like defects in ZnO substrate materials and ZnO thin films.

Autorzy:

von Wenckstern, H.
Brandt, M.
Schmidt, H.
Biehne, G.
Pickenhain, R.
Hochmuth, H.
Lorenz, M.
Grundmann, M.

Pokaż więcej

Temat:

ZINC oxide thin films
CRYSTAL defects
SURFACES (Technology)
DEEP level transient spectroscopy
PULSED laser deposition
HALL effect

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p135-139, 5p, 3 Charts, 7 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

Electrical and optical spectroscopy on ZnO:Co thin films.

Autorzy:

Schmidt, H.
Diaconu, M.
Hochmuth, H.
Benndorf, G.
von Wenckstern, H.
Biehne, G.
Lorenz, M.
Grundmann, M.

Pokaż więcej

Temat:

OPTICAL spectroscopy
ZINC oxide
COBALT
THIN films
SPINTRONICS
PHOTOLUMINESCENCE
FERROMAGNETISM
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p157-160, 4p, 1 Chart, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:

Properties of the oxygen vacancy in ZnO.

Autorzy:

Hofmann, D.M.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.K.
Tena-Zaera, R.
Munoz-Sanjose, V.
Frank, T.
Pensl, G.

Pokaż więcej

Temat:

ZINC oxide
ANNEALING of crystals
MAGNETIC resonance
OXYGEN
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
PHOTOLUMINESCENCE

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p147-151, 5p, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:

Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide.

Autorzy:

Frank, T.
Pensl, G.
Tena-Zaera, R.
Zúñiga-Pérez, J.
Martínez-Tomás, C.
Muñoz-Sanjosé, V.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Hofmann, D.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.

Pokaż więcej

Temat:

CRYSTAL defects
ZINC oxide
CRYSTAL growth
CRYSTAL lattices
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis

Źródło:

Applied Physics A: Materials Science & Processing; Jul2007, Vol. 88 Issue 1, p141-145, 5p, 2 Diagrams, 4 Charts, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:

Annealing kinetics of gold and iron–gold complex.

Autorzy:

Ali, Akbar
Majid, Abdul

Pokaż więcej

Temat:

GOLD
SPECTRUM analysis
MANUFACTURING processes
DEEP level transient spectroscopy
TEMPERATURE

Źródło:

Journal of Materials Science; Jul2007, Vol. 42 Issue 13, p4753-4756, 4p, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:

A DLTS study on plasma-hydrogenated n-type high-resistivity magnetic Cz silicon.

Autorzy:

Huang, Y.
Simoen, E.
Claeys, C.
Rafí, J.
Clauws, P.

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
HYDROGEN plasmas
PLASMA gases
SILICON
HYDROGEN

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2007, Vol. 18 Issue 7, p705-710, 6p, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:

Lifetime and leakage current considerations in metal-doped germanium.

Autorzy:

Simoen, E.
Claeys, C.
Sioncke, S.
Steenbergen, J.
Meuris, M.
Forment, S.
Vanhellemont, J.
Clauws, P.
Theuwis, A.

Pokaż więcej

Temat:

GERMANIUM
DEEP level transient spectroscopy
TRANSITION metals
DENSITY
SPECTRUM analysis

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2007, Vol. 18 Issue 7, p799-804, 6p, 2 Charts, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:

Iron-aluminium pair reconfiguration processes in SiGe alloys.

Autorzy:

Kruszewski, P.
Mesli, A.
Dobaczewski, L.
Abrosimov, N.
Markevich, V.
Peaker, A.

Pokaż więcej

Temat:

IRON
ALUMINUM
SILICON
GERMANIUM
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jul2007, Vol. 18 Issue 7, p759-762, 4p, 2 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:

Iron and gold related defects in water quenched silicon.

Autorzy:

Akbar Ali
Abdul Majid
M. Saleh

Pokaż więcej

Temat:

SILICON
IRON
GOLD
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Apr2007, Vol. 18 Issue 4, p421-425, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:

Formation of oxygen precipitates in silicon.

Autorzy:

Antonova, I. V.
Popov, V. P.
Shaımeev, S. S.
Misiuk, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Aug97, Vol. 31 Issue 8, p852. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:

Photoinduced current transient spectroscopy of high-resistivity layered GaSe crystals.

Autorzy:

Odrinsky, A. P.

Pokaż więcej

Temat:

SPECTRUM analysis
CRYSTALS spectra
GALLIUM compounds
OHMIC contacts
DEEP level transient spectroscopy
CRYSTAL lattices

Źródło:

Semiconductors; Jul2010, Vol. 44 Issue 7, p854-856, 3p, 1 Chart, 2 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:

Effect of temperature on thermally induced defects in silicon.

Autorzy:

Ali, Akbar
Majid, Abdul
Saleh, M. Nawaz

Pokaż więcej

Temat:

DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
PHASE equilibrium
PHYSICAL metallurgy
THERMAL analysis
MICROPROBE analysis
PARTICLES (Nuclear physics)

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Mar2008, Vol. 19 Issue 3, p267-269, 3p, 1 Chart, 3 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:

Radiation damages of GaAlAs LEDs by 70-MeV proton and 2-MeV electron irradiation.

Autorzy:

Ohyama, H.
Shitogiden, H.
Takakura, K.
Shigaki, K.
Kuboyama, S.
Kamesawa, C.
Simoen, E.
Claeys, C.

Pokaż więcej

Temat:

RADIATION
LIGHT emitting diodes
PROTONS
ELECTRONS
IRRADIATION
DEEP level transient spectroscopy
CYCLOTRONS

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Feb2008, Vol. 19 Issue 2, p171-173, 3p, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły