Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Investigation of high resistivity [formula omitted]-type FZ silicon diodes after 60Co [formula omitted]-irradiation.

Autorzy:

Liao, C. (AUTHOR)
Fretwurst, E. (AUTHOR)
Garutti, E. (AUTHOR)
Schwandt, J. (AUTHOR)
Pintilie, I. (AUTHOR)
Nitescu, A. (AUTHOR)
Himmerlich, A. (AUTHOR)
Moll, M. (AUTHOR)
Gurimskaya, Y. (AUTHOR)
Li, Z. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Apr2024, Vol. 1061, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Recovery at room temperature annealing on 4H–SiC SBDs by gamma irradiation.

Autorzy:

Li, Yun (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2024, Vol. 176, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Comparing the effect between room temperature and low temperature heavy ion irradiation by deep level transient spectroscopy.

Autorzy:

Gao, Xu (AUTHOR)
Wang, Xuanyu (AUTHOR)
Li, Yun (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. May2024, Vol. 550, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Characteristics of displacement defects in PNP transistors caused by heavy ion irradiation.

Autorzy:

Yang, Jianqun (AUTHOR)
Sun, Xiangsong (AUTHOR)
Yu, Xueqiang (AUTHOR)
Qin, Zhaohui (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Mar2020, Vol. 467, p86-90. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Defects in swift heavy ion irradiated n-4H-SiC.

Autorzy:

Tunhuma, S.M. (AUTHOR)
Diale, M. (AUTHOR)
Nel, J.M. (AUTHOR)
Madito, M.J. (AUTHOR)
Hlatshwayo, T.T. (AUTHOR)
Auret, F.D. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Dec2019, Vol. 460, p119-124. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.

Autorzy:

Shashank, N. (AUTHOR)
Singh, Vikram (AUTHOR)
Gupta, SanjeevK. (AUTHOR)
Madhu, K.V. (AUTHOR)
Akhtar, J. (AUTHOR)
Damle, R. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Apr2011, Vol. 166 Issue 4, p313-322. 10p. 2 Charts, 7 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

I-V , C-V and deep level transient spectroscopy study of 24 MeV proton-irradiated bipolar junction transistor.

Autorzy:

Madhu, K. V.
Kulkarni, S. R.
Damle, R.

Pokaż więcej

Źródło:

Pramana: Journal of Physics. Jan2010, Vol. 74 Issue 1, p97-107. 11p. 2 Charts, 8 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Deep electronic states in ion-implanted Si.

Autorzy:

Evans-Freeman, J. H.
Emiroglu, D.
Gad, M. A.
Mitromara, N.
Vernon-Parry, K. D.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Materials Science. Feb2006, Vol. 41 Issue 3, p1007-1012. 6p. 1 Chart, 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

The Role of Si Self‐interstitial Atoms in the Formation of Electrically Active Defects in Reverse‐Biased Silicon n–p Diodes upon Irradiation with Alpha Particles.

Autorzy:

Aharodnikau, Dzmitriy A.
Lastovskii, Stanislau B.
Shpakovski, Sergei V.
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.

Pokaż więcej

Temat:

ALPHA rays
SILICON diodes
SPACE charge
ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION

Źródło:

Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2021, Vol. 218 Issue 23, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particles.

Autorzy:

Badylevich, M. V.
Blokhin, I. V.
Golovin, Yu. I.
Dmitrievskiĭ, A. A.
Kartsev, S. V.
Suchkova, N. Yu.
Tolotaev, M. Yu.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Dec2006, Vol. 40 Issue 12, p1375-1377. 3p. 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Deep level transient spectroscopy (DLTS) study of defects introduced in antimony doped Ge by 2MeV proton irradiation

Autorzy:

Nyamhere, C.
Das, A.G.M.
Auret, F.D.
Chawanda, A.
Pineda-Vargas, C.A.
Venter, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Aug2011, Vol. 406 Issue 15/16, p3056-3059. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Characterization of electron irradiated GaN n –p diode

Autorzy:

Lee, Dong Uk
Kim, Eun Kyu
Lee, Byung Cheol
Oh, Dae Kon

Pokaż więcej

Źródło:

Thin Solid Films. Apr2008, Vol. 516 Issue 11, p3482-3485. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Defects induced by irradiation with fast neutrons in n-type germanium

Autorzy:

Kovačević, I.
Pivac, B.
Jac˘imović, R.
Khan, M.K.
Markevich, V.P.
Peaker, A.R.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2006, Vol. 9 Issue 4/5, p606-612. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Vacancy defect reactions associated with oxygen and bismuth in irradiated germanium

Autorzy:

Markevich, V.P.
Peaker, A.R.
Emtsev, V.V.
Litvinov, V.V.
Murin, L.I.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p93-96. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Characterization of defects created in Cz and epitaxial Si doped with Ga or B using Laplace-DLTS

Autorzy:

Nyamhere, Cloud
Deenapanray, P.N.K.
Auret, F.D.
Farlow, F.C.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p161-164. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Effect of deep levels and interface states on the minority carrier lifetime control of trench-IGBTs by electron irradiation

Autorzy:

Nakabayashi, M.
Ohyama, H.
Shitogiden, H.
Ueno, R.
Miyagawa, Y.
Hirao, T.
Shigaki, K.
Kudou, T.
Simoen, E.
Claeys, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Apr2006, Vol. 376-377, p395-398. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Defect production in γ-irradiated silicon at different temperatures

Autorzy:

Kovačević, I.
Pivac, B.

Pokaż więcej

Źródło:

Vacuum. Oct2005, Vol. 80 Issue 1-3, p223-228. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

High-temperature annealing of electron-irradiated high-voltage diode structures on neutron transmutation-doped Si

Autorzy:

Korshunov, F.P.
Zhdanovich, N.E.
Karas, V.I.
Marchenko, I.G.

Pokaż więcej

Źródło:

Vacuum. May2005, Vol. 78 Issue 2-4, p211-215. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Electronic properties of defects in high-fluence electron-irradiated bulk GaN.

Autorzy:

Duc, Tran Thien
Pozina, Galia
Son, Nguyen Tien
Ohshima, Takeshi
Janzén, Erik
Hemmingsson, Carl

Pokaż więcej

Temat:

ELECTRIC properties of gallium nitride
CRYSTAL defects
NUCLEAR cross sections
ELECTRON capture
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON beams
VAPOR phase epitaxial growth
HIGH temperatures

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Mar2016, Vol. 253 Issue 3, p521-526, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Electrically Active Defects In Solar Cells Based On Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction After Irradiation By Heavy Xe Ions.

Autorzy:

Harmatha, Ladislav
Mikolášek, Miroslav
Stuchlíková, L'ubica
Kósa, Arpád
Žiška, Milan
Hrubčín, Ladislav
Skuratov, Vladimir A.

Pokaż więcej

Temat:

SOLAR cells
AMORPHOUS silicon
SILICON crystals
HETEROJUNCTIONS
IRRADIATION
HEAVY ions
XENON
DEEP level transient spectroscopy

Źródło:

Journal of Electrical Engineering; Nov2015, Vol. 66 Issue 6, p323-328, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Introduction and annealing of primary defects in proton-bombarded n-GaN.

Autorzy:

Schmidt, Matthias
de Meyer, Hannes
Johan Janse van Rensburg, Pieter
Ernst Meyer, Walter
Danie Auret, Francois

Pokaż więcej

Temat:

CAPACITANCE-voltage characteristics
SPECTROMETRY
CRYSTAL defects
DEEP level transient spectroscopy
PROTONS
IRRADIATION

Źródło:

Physica Status Solidi (B); Jan2014, Vol. 251 Issue 1, p211-218, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Investigation of Silicon Defects Parameters in Electron Irradiated Diodes.

Autorzy:

Bobrovs, V.
Porins, J.
Ivanovs, G.

Pokaż więcej

Temat:

SILICON diodes
ELECTRONS
ATOMS
IRRADIATION
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis

Źródło:

Electronics & Electrical Engineering; 2007, Issue 76, p13-16, 4p, 1 Diagram, 5 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Radiation damages of GaAlAs LEDs by 70-MeV proton and 2-MeV electron irradiation.

Autorzy:

Ohyama, H.
Shitogiden, H.
Takakura, K.
Shigaki, K.
Kuboyama, S.
Kamesawa, C.
Simoen, E.
Claeys, C.

Pokaż więcej

Temat:

RADIATION
LIGHT emitting diodes
PROTONS
ELECTRONS
IRRADIATION
DEEP level transient spectroscopy
CYCLOTRONS

Źródło:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Feb2008, Vol. 19 Issue 2, p171-173, 3p, 6 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Interaction of alpha radiation with thermally-induced defects in silicon

Autorzy:

Ali, Akbar
Majid, Abdul

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Characterization. Jan2008, Vol. 59 Issue 1, p100-103. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Gain and defect bi-stability in radiation damaged silicon bipolar transistors

Autorzy:

Fleming, R.M.
Seager, C.H.
Lang, D.V.
Bielejec, E.
Campbell, J.M.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p21-24. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Determination of parameters of radiation induced traps in silicon

Autorzy:

Siemieniec, R.
Südkamp, W.
Lutz, J.

Pokaż więcej

Źródło:

Solid-State Electronics. Jun2002, Vol. 46 Issue 6, p891. 11p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Analysis of deep level defects in bipolar junction transistors irradiated by 2 MeV electrons.

Autorzy:

Ma, Yao
Xu, Pengfei
Guan, Mingyue
Boi, Filippo
Bo, Gao
Gong, Min
Wu, Xue
Wang, Yuxin
Wang, Hua
Niao, ZengQiang

Pokaż więcej

Źródło:

Microelectronics Reliability. Dec2017, Vol. 79, p149-152. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Electrical characterization of electron irradiated and annealed lowly-doped 4H-SiC.

Autorzy:

Omotoso, E.
Paradzah, A.T.
Legodi, M.J.
Diale, M.
Meyer, W.E.
Auret, F.D.

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Oct2017, Vol. 409, p41-45. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

DLTS characterization of defects in GaN induced by electron beam exposure.

Autorzy:

Ngoepe, P.N.M.
Meyer, W.E.
Auret, F.D.
Omotoso, E.
Diale, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Jun2017, Vol. 64, p29-31. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Investigation of deep level defects in electron irradiated indium arsenide quantum dots embedded in a gallium arsenide matrix.

Autorzy:

Strong, Wyatt H.
Forbes, David V.
Hubbard, Seth M.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Sep2014, Vol. 25, p76-83. 8p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Effect of electron irradiation on defect structure of 6H–SiC grown by PVT method

Autorzy:

Kozubal, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Tymicki, E.
Grasza, K.
Warchoł, S.

Pokaż więcej

Źródło:

Superlattices & Microstructures. Apr2009, Vol. 45 Issue 4/5, p402-406. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Electrical passivation by hydrogen of substitutional cobalt in monocrystalline germanium

Autorzy:

Lauwaert, J.
Van Gheluwe, J.
Clauws, P.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2007, Vol. 401-402, p210-213. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Point defect production efficiency in ion irradiated 4H–SiC

Autorzy:

Calcagno, L.
Ruggiero, A.
Musumeci, P.
Cuttone, G.
La Via, F.
Foti, G.

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Apr2007, Vol. 257 Issue 1/2, p279-282. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Electrically active centers induced by electron irradiation in n-type si detectors

Autorzy:

Ögmundsson, A.
Monakhov, E.V.
Hansen, T.E.
Grepstad, J.K.
Svensson, B.G.

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Oct2005, Vol. 552 Issue 1/2, p61-65. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Studies on the nitrogen ion irradiation induced defects in n-GaAs by deep level transient spectroscopy

Autorzy:

Jayavel, P.
Santhakumar, K.
Asokan, K.

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Dec2003, Vol. 212 Issue 1-4, p496. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Evolution of radiation defects in NPN bipolar junction transistors irradiated by 3 MeV protons.

Autorzy:

Liu, Chaoming
Zhang, Yanqing
Qi, Chunhua
Li, Heyi
Wei, Yidan
Wang, Tianqi
Ma, Guoliang
Zhou, Bin
Huo, Mingxue

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Apr2019, Vol. 444, p50-53. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Radiation damage and defects in NPN bipolar junction transistors irradiated by silicon ions with various energies.

Autorzy:

Liu, Chaoming
Zhang, Xiaodong
Yang, Jianqun
Li, Xingji
Ma, Guoliang

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Oct2017, Vol. 409, p246-250. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Recrystallization effects of swift heavy 209Bi ions irradiation on electrical degradation in 4H-SiC Schottky barrier diode.

Autorzy:

Yang, Zhimei
Ma, Yao
Gong, Min
Li, Yun
Huang, Mingmin
Gao, Bo
Zhao, Xin

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Jun2017, Vol. 401, p51-55. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Effects of 5.4 MeV alpha-particle irradiation on the electrical properties of nickel Schottky diodes on 4H–SiC.

Autorzy:

Omotoso, E.
Meyer, W.E.
Auret, F.D.
Paradzah, A.T.
Diale, M.
Coelho, S.M.M.
Janse van Rensburg, P.J.
Ngoepe, P.N.M.

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Dec2015 Part A, Vol. 365, p264-268. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Properties of a previously unobserved donor-related electrically active defect in Ge induced by alpha particle irradiation.

Autorzy:

Barnard, Abraham W.
Meyer, Walter E.
Auret, F. Danie

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Sep2017 Part B, Vol. 406, p680-682. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Degradation of GaN LEDs by electron irradiation

Autorzy:

Ohyama, H.
Takakura, K.
Hanada, M.
Nagano, T.
Yoshino, K.
Nakashima, T.
Kuboyama, S.
Simoen, E.
Claeys, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Oct2010, Vol. 173 Issue 1-3, p57-60. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Recombination characteristics in 2–3MeV protons irradiated FZ Si

Autorzy:

Gaubas, E.
Čeponis, T.
Uleckas, A.
Vaitkus, J.
Raisanen, J.

Pokaż więcej

Źródło:

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Jan2010, Vol. 612 Issue 3, p559-562. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Self-interstitials and related defects in irradiated silicon

Autorzy:

Gorelkinskii, Yu.V.
Abdullin, Kh.A.
Mukashev, B.N.
Turmagambetov, T.S.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2009, Vol. 404 Issue 23/24, p4579-4582. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Donor level of interstitial hydrogen in semiconductors: Deep level transient spectroscopy

Autorzy:

Kolkovsky, Vl.
Dobaczewski, L.
Nielsen, K. Bonde
Kolkovsky, V.
Larsen, A. Nylandsted
Weber, J.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2009, Vol. 404 Issue 23/24, p5080-5084. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Tytuł:

Effects of irradiation induced lattice defects on standard trench and fine pattern trench IGBT characteristics

Autorzy:

Nakabayashi, M.
Ohyama, H.
Kaneko, T.
Hanano, K.
Rafi, J.M.
Simoen, E.
Claeys, C.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2009, Vol. 404 Issue 23/24, p4674-4677. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:

Neutron-irradiation-induced defects in germanium: A Laplace deep level transient spectroscopy study

Autorzy:

Capan, I.
Pivac, B.
Hawkins, I.D.
Markevich, V.P.
Peaker, A.R.
Dobaczewski, L.
Jačimović, R.

Pokaż więcej

Źródło:

Vacuum. Aug2009, Vol. 84 Issue 1, p32-36. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:

Irradiation-induced defects in SiGe

Autorzy:

Larsen, A. Nylandsted
Hansen, A. Bro
Mesli, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science & Engineering: B. Dec2008, Vol. 154-155, p85-89. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Tytuł:

Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge

Autorzy:

Markevich, V.P.
Bernardini, S.
Hawkins, I.D.
Peaker, A.R.
Kolkovsky, Vl.
Nylandsted Larsen, A.
Dobaczewski, L.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Oct2008, Vol. 11 Issue 5, p354-359. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

No trace of divacancies at room temperature in germanium

Autorzy:

Kolkovsky, Vl.
Christian Petersen, M.
Nylandsted Larsen, A.
Mesli, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science in Semiconductor Processing. Oct2008, Vol. 11 Issue 5, p336-339. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:

Radiation-induced deep levels in n-type GaAs grown by metal-organic chemical-vapor deposition

Autorzy:

Naz, Nazir A.
Qurashi, Umar S.
Zafar Iqbal, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2009, Vol. 404 Issue 23/24, p4981-4983. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

Deep level defects in proton irradiated p-type Al0.5Ga0.5As

Autorzy:

Szatkowski, J.
Sierański, K.
Płaczek-Popko, E.
Gumienny, Z.

Pokaż więcej

Źródło:

Physica B. Dec2009, Vol. 404 Issue 23/24, p4967-4969. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

Defect-impurity complexes with high thermal stability in epi-Si n-p diodes irradiated with MeV electrons

Autorzy:

Korshunov, F.P.
Lastovskii, S.B.
Markevich, V.P.
Murin, L.I.
Bogatyrev, Yu.V.
Peaker, A.R.

Pokaż więcej

Źródło:

Vacuum. May2009 Supplement 1, Vol. 83, pS131-S133. 0p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły