Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Dai, Ning"" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy
Autorzy:
Liu, ChixianAff1, Aff2, Aff3
Dou, WeiAff1, Aff2, Aff3
Pan, ChangyiAff1, Aff2, Aff5
Yin, ZiweiAff1, Aff2
Liu, XiaoyanAff2, Aff5
Ling, JingweiAff1, Aff2
Chen, TianyeAff1, Aff2, Aff3
Shan, YufengAff1, Aff2, Aff5
Zhu, JiaqiAff1, Aff2, Aff5, IDs10853023086751_cor9
Deng, HuiyongAff1, Aff2, Aff4, IDs10853023086751_cor10
Dai, NingAff1, Aff2, Aff4, Aff5, Aff6, IDs10853023086751_cor11
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Materials Science. 58(26):10651-10659
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies