- Tytuł:
- Effect of GaN cap layer on the performance of AlInN/GaN-based HEMTs
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering 1 April 2022 258
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.