- Tytuł:
- Highlighting the role of 3C–SiC in the performance optimization of (Al,Ga)N‒based High‒Electron mobility transistors
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science in Semiconductor Processing 1 March 2024 171
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.