Autor: "DenBaars, S P" - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""DenBaars, S P"" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 72

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Pressure Studies in InGaN/GaN Quantum Wells
Autorzy:: Patel, D.
Vaschenko, G.
Menoni, C. S.
Keller, S.
Mishra, U. K.
Denbaars, S. P.
Gardner, N. F.
Sun, J.
Götz, W.
Tomé, C. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Frontiers of High Pressure Research II: Application of High Pressure to Low-Dimensional Novel Electronic Materials. 48:331-343

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Light emitting diodes: materials growth and properties
Autorzy:: DenBaars, S. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Solid State Luminescence : Theory, materials and devices. :263-291

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Nanoindentation of laterally overgrown epitaxial gallium nitride
Autorzy:: Martyniuk, M.
Parish, G.
Marchand, H.
Fini, P. T.
DenBaars, S. P.
Faraone, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Electronic Materials Letters. April 2012 8(2):111-115

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Unpassivated GaN/AlGaN/GaN power high electron mobility transistors with dispersion controlled by epitaxial layer design
Autorzy:: Shen, L.
Coffie, R.
Buttari, D.
Heikman, S.
Chakraborty, A.
Chini, A.
Keller, S.
Denbaars, S. P.
Mishra, U. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. May 2004 33(5):422-425

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: SIMS investigations into the effect of growth conditions on residual impurity and silicon incorporation in GaN and AlxGa1−xN
Autorzy:: Parish, G.
Keller, S.
Denbaars, S. P.
Mishra, U. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. January 2000 29(1):15-20

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Flow modulation epitaxy of indium gallium nitride
Autorzy:: Keller, S.
Mishra, U. K.
Denbaars, S. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. October 1997 26(10):1118-1122

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: InP-based multiple quantum well structures grown with tertiarybutylarsine (TBA) and tertiarybutylphosphine (TBP): Effects of growth interruptions on structural and optical properties
Autorzy:: Holmes, A. L.
Heimbuch, M. E.
Fish, G.
Coldren, L. A.
Denbaars, S. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. June 1996 25(6):965-971

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Effects of deposition rate on the size of self-assembled InP islands formed on GaInP/GaAs(100) surfaces
Autorzy:: Reaves, C. M.
Bressler-Hill, V.
Weinberg, W. H.
Denbaars, S. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. November 1995 24(11):1605-1609

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: High performance AlAs/GaXIn1-xAs resonant tunneling diodes by metalorganic chemical vapor deposition
Autorzy:: Yen, J. C.
Keller, B. P.
Denbaars, S. P.
Mishra, U. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. October 1995 24(10):1387-1390

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: High performance InP JFETs grown by MOCVD using tertiarybutylphosphine
Autorzy:: Hashemi, M. M.
Shealy, J. B.
Corvini, P. J.
Denbaars, S. P.
Mishra, U. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. February 1994 23(2):233-237

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine for the MOCVD growth of low threshold 1.55 μm InxGa1-xAs/InP quantum-well lasers
Autorzy:: Heimbuch, M. E.
Holmes, A. L.
Reaves, C. M.
Mack, M. P.
Denbaars, S. P.
Coldren, L. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. February 1994 23(2):87-91

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Metalorganic chemical vapor deposition growth of high optical quality and high mobility GaN
Autorzy:: Keller, B. P.
Keller, S.
Kapolnek, D.
Jiang, W. N.
Wu, Y. F.
Masui, H.
Wu, X.
Heying, B.
Speck, J. S.
Mishra, U. K.
Denbaars, S. P.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. November 1995 24(11):1707-1709

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 72

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""DenBaars, S P"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język