- Tytuł:
- Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Materials Science. 58(26):10651-10659
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.