- Tytuł:
- Annealing studies of AlN capped, MOCVD grown GaN films
- Autorzy:
- Źródło:
- In Solid State Electronics November 2014 101:23-28
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.