Autor: "Dhar, Sarit" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Clinical Conundrum: An Unusual Case of Persistent Dyspnea and Eructation
Autorzy:: Dhar, Sarit
Deane, Janis
Chorney, Stephen R.
Dhar, Shumon I.Aff2, IDs0045502310593y_cor4; Pokaż więcej
Źródło:: Dysphagia: Dedicated to advancing the art and science of deglutology. 39(1):159-162

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The utility and accuracy of ChatGPT in providing post-operative instructions following tonsillectomy: A pilot study
Autorzy:: Dhar, Sarit
Kothari, Dhruv
Vasquez, Missael
Clarke, Travis
Maroda, Andrew
McClain, Wade G.
Sheyn, Anthony
Tuliszewski, Robert M.
Tang, Dennis M.
Rangarajan, Sanjeet V.; Pokaż więcej
Źródło:: In International Journal of Pediatric Otorhinolaryngology April 2024 179

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Effects and mechanisms of RIE on SiC inversion layer mobility and its recovery
Autorzy:: Liu, Gang
Xu, Yi
Xu, Can
Basile, Alberto
Wang, Feng
Dhar, Sarit
Conrad, Edward
Mooney, Patricia
Gustafsson, Torgny
Feldman, Leonard C.; Pokaż więcej
Źródło:: In Applied Surface Science 1 January 2015 324:30-34

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Kinetics of nitrogen incorporation at the SiO2/4H-SiC interface during an NO passivation
Autorzy:: Chen, Zengjun
Xu, Yi
Garfunkel, Eric
Feldman, Leonard C.
Buyuklimanli, Temel
Ou, Wei
Serfass, Jeff
Wan, Alan
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Źródło:: In Applied Surface Science 30 October 2014 317:593-597

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Study of Carrier Mobilities in 4H-SiC MOSFETS Using Hall Analysis.
Autorzy:: Das, Suman
Zheng, Yongju
Ahyi, Ayayi
Kuroda, Marcelo A.
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
FIELD-effect transistors
METAL oxide semiconductor field
CHARGE carrier mobility
TEMPERATURE inversions
HOLE mobility
ELECTRIC field effects
Źródło:: Materials (1996-1944); Oct2022, Vol. 15 Issue 19, p6736, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Nitrogen‐Induced Changes in the Electronic and Structural Properties of 4H‐SiC (0001)/SiO2 Interfaces.
Autorzy:: Wang, Lu
Dhar, Sarit
Feldman, Leonard C.
Kuroda, Marcelo A.; Pokaż więcej
Temat:: DENSITY functional theory
ELECTRON density
NITRIDATION
ELECTRONIC equipment
Źródło:: Physica Status Solidi (B); Feb2022, Vol. 259 Issue 2, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Static Performance of 20 A, 1200 V 4H-SiC Power MOSFETs at Temperatures of −187°C to 300°C
Autorzy:: Cheng, Lin
Agarwal, Anant K.
Dhar, Sarit
Ryu, Sei-Hyung
Palmour, John W.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. May 2012 41(5):910-914

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Synthesis and characterization of porous TiO2 with wormhole-like framework structure
Autorzy:: Narayanaswamy, Arun
McBride, James
Swafford, Laura A.
Dhar, Sarit
Budai, John D.
Feldman, Leonard C.
Rosenthal, Sandra J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Porous Materials. February 2008 15(1):21-27

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Interface Passivation for Silicon Dioxide Layers on Silicon Carbide
Autorzy:: Dhar, Sarit
Wang, Shurui
Williams, John R.
Pantelides, Sokrates T.
Feldman, Leonard C.; Pokaż więcej
Źródło:: MRS Bulletin. 30(4):288-292

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Tuning the threshold voltage from depletion to enhancement mode in a multilayer MoS2 transistor via oxygen adsorption and desorption.
Autorzy:: Jiang, Jie
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Źródło:: Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 1/14/2016, Vol. 18 Issue 2, p685-689, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Chitosan solid electrolyte as electric double layer in multilayer MoS2 transistor for low-voltage operation.
Autorzy:: Jiang, Jie
Kuroda, Marcelo A.
Ahyi, Ayayi C.
Isaacs‐Smith, Tamara
Mirkhani, Vahid
Park, Minseo
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Temat:: CHITOSAN
ELECTRIC double layer
FIELD-effect transistors
ELECTRODES
CONTACT resistance (Materials science)
MOLYBDENUM disulfide
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Oct2015, Vol. 212 Issue 10, p2219-2225, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Chitosan solid electrolyte as electric double layer in multilayer MoS2transistor for low‐voltage operation
Autorzy:: Jiang, Jie
Kuroda, Marcelo A.
Ahyi, Ayayi C.
Isaacs‐Smith, Tamara
Mirkhani, Vahid
Park, Minseo
Dhar, Sarit; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; October 2015, Vol. 212 Issue: 10 p2219-2225, 7p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Dhar, Sarit"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji