Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Do, Kyoung-Il"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-12 z 12
Tytuł :
A 4H-SiC MOSFET-Based ESD Protection With Improved Snapback Characteristics for High-Voltage Applications.
Autorzy :
Do, Kyoung-Il
Won, Jong-Il
Koo, Yong-Seo
Pokaż więcej
Temat :
ELECTROSTATIC discharges
SILICON-controlled rectifiers
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
ELECTRIC fields
FIELD-effect transistors
RELIABILITY in engineering
HIGH voltages
Źródło :
IEEE Transactions on Power Electronics; May2021, Vol. 36 Issue 5, p4921-4926, 6p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-12 z 12

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies