Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Dogmus, Ezgi"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-16 z 16
Tytuł :
Evidence of optically induced degradation in gallium nitride optoelectronic devices
Autorzy :
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Renso, Nicola
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Applied Physics Express, IOPScience - Japan Society of Applied Physics, 2018, 11 (11), pp.111002. ⟨10.7567/APEX.11.111002⟩
Tytuł :
GaN-on-silicon high-electron-mobility transistor technology with ultra-low leakage up to 3000 V using local substrate removal and AlN ultra-wide bandgap
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
Applied Physics Express, IOPScience - Japan Society of Applied Physics, 2018, 11 (3), pp.034102. ⟨10.7567/APEX.11.034102⟩
Tytuł :
Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors
Autorzy :
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Caria, Alessandro
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
Gallium Nitride Materials and Devices XIII, Jan 2018, San Francisco, France. pp.54, ⟨10.1117/12.2289466⟩
Gallium Nitride Materials and Devices XIII
Tytuł :
Characterization of InxGa1-xN/GaN MQWs heterostructures for solar cells applications
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Largeau, Ludovic
Rolland, Natalie
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Źródło :
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p
Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Tytuł :
High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs.
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Kabouche, Riad
Linge, Astrid
Okada, Etienne
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
ELECTRON energy band gaps
PERFORMANCE evaluation
ELECTRIC fields
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2017, Vol. 214 Issue 8, pn/a-N.PAG, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells.
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Largeau, Ludovic
Tchernycheva, Maria
Neplokh, Vladimir
Weiszer, Saskia
Schuster, Fabian
Stutzmann, Martin
Foldyna, Martin
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM gallium nitride
QUANTUM well lasers
SOLAR cells
ELECTRON beam induced current
LIGHT emitting diodes
ENERGY gaps (Physics)
Źródło :
Physica Status Solidi (C); Dec2015, Vol. 12 Issue 12, p1412-1415, 4p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-16 z 16

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies