Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Dvoretskii, S. A."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Investigation of Stimulated Emission from HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in the 3–5 μm Atmospheric Transparency Window
Autorzy :
Kushkov, L. A.Aff1, Aff2
Utochkin, V.V.Aff1, Aff2
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Kudryavtsev, K. E.
Gavrilenko, V. I.
Kulikov, N. S.Aff1, Aff2
Fadeev, M. A.
Rumyantsev, V. V.
Mikhailov, N. N.
Dvoretskii, S. A.
Razova, A. A.Aff1, Aff2
Morozov, S. V.
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. 54(10):1365-1370
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE
Autorzy :
Izhnin, I. I.Aff1, Aff2
Fitsych, O. I.
Voitsekhovskii, A. V.
Korotaev, A. G.
Mynbaev, K. D.
Kurbanov, K. R.
Varavin, V. S.
Dvoretskii, S. A.
Mikhailov, N. N.
Remesnik, V. G.
Yakushev, M. V.
Bonchyk, O. Yu.
Savytskyy, H. V.
Świątek, Z.
Morgiel, J.
Pokaż więcej
Źródło :
Russian Physics Journal. 63(2):290-295
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Possibilities of Characterizing the Crystal Parameters of CdxHg1 – xTe Structures on GaAs Substrates by the Method of Generation of the Probe-Radiation Second Harmonic in Reflection Geometry
Autorzy :
Stupak, M. F.Aff1, Aff2
Mikhailov, N. N.Aff2, Aff3
Dvoretskii, S. A.Aff3, Aff4
Yakushev, M. V.
Ikusov, D. G.
Makarov, S. N.
Elesin, A. G.
Verkhoglyad, A. G.
Pokaż więcej
Źródło :
Physics of the Solid State. 62(2):252-259
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Terahertz Photoluminescence of Double Acceptors in Bulky Epitaxial HgCdTe Layers and HgTe/CdHgTe Structures with Quantum Wells
Autorzy :
Kozlov, D. V.Aff1, Aff2
Rumyantsev, V. V.Aff1, Aff2
Morozov, S. V.Aff1, Aff2
Kadykov, A. M.Aff1, Aff6
Fadeev, M. A.Aff1, Aff6
Zholudev, M. S.Aff1, Aff2
Varavin, V. S.
Mikhailov, N. N.Aff3, Aff4
Dvoretskii, S. A.Aff3, Aff5
Gavrilenko, V. I.Aff1, Aff2
Teppe, F.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127(6):1125-1129
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells
Autorzy :
Rumyantsev, V. V.Aff1, Aff2
Kulikov, N. S.Aff1, Aff2
Kadykov, A. M.
Fadeev, M. A.
Ikonnikov, A. V.
Kazakov, A. S.
Zholudev, M. S.
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Utochkin, V. V.Aff1, Aff2
Mikhailov, N. N.Aff4, Aff5
Dvoretskii, S. A.
Morozov, S. V.Aff1, Aff2
Gavrilenko, V. I.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. 52(11):1375-1379
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies