- Tytuł:
- Electrophysical characteristics of accidental-doping defects in epitaxial n-type gallium arsenide
- Autorzy:
- Źródło:
- Russian Physics Journal; October 1974, Vol. 17 Issue: 10 p1414-1418, 5p
Periodyk
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.