Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Dvoretskii, S. A."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 55
Tytuł:
Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE
Autorzy:
Izhnin, I. I.Aff1, Aff2
Fitsych, O. I.
Voitsekhovskii, A. V.
Korotaev, A. G.
Mynbaev, K. D.
Kurbanov, K. R.
Varavin, V. S.
Dvoretskii, S. A.
Mikhailov, N. N.
Remesnik, V. G.
Yakushev, M. V.
Bonchyk, O. Yu.
Savytskyy, H. V.
Świątek, Z.
Morgiel, J.
Pokaż więcej
Źródło:
Russian Physics Journal. 63(2):290-295
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Temperature Dependences of the Product of the Differential Resistance by the Area in MIS-Structures Based on Cd x Hg1–x Te Grown by Molecularbeam Epitaxy on Alternative Si and GaAs Substrates
Autorzy:
Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. M.
Varavin, V. S.
Vasil’ev, V. V.
Dvoretskii, S. A.
Mikhailov, N. N.
Yakushev, M. V.
Sidorov, G. Yu.
Pokaż więcej
Źródło:
Russian Physics Journal. June 2017 60(2):360-370
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Special Features of Admittance in Mis Structures Based on Graded-Gap MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.31–0.32) in a Temperature Range OF 8–300 K
Autorzy:
Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. М.
Vasil’ev, V. V.
Varavin, V. S.
Dvoretskii, S. A.
Мikhailov, N. N.
Kuz’min, V. D.
Remesnik, V. G.
Pokaż więcej
Źródło:
Russian Physics Journal. September 2014 57(5):633-641
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Analysis of the photoluminescence spectra of Cd x Hg1–x te heteroepitaxial structures with potential and quantum wells grown by molecularbeam epitaxy
Autorzy:
Voitsekhovskii, A. V.
Gorn, D. I.
Izhnin, I. I.
Izhnin, A. I.
Goldin, V. D.
Mikhailov, N. N.
Dvoretskii, S. A.
Sidorov, Yu. G.
Yakushev, M. V.
Varavin, V. S.
Pokaż więcej
Źródło:
Russian Physics Journal. January 2013 55(8):910-916
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Temperature Dependences of the Product of the Differential Resistance by the Area in MIS-Structures Based on CdHgTe Grown by Molecularbeam Epitaxy on Alternative Si and GaAs Substrates.
Autorzy:
Voitsekhovskii, A.
Nesmelov, S.
Dzyadukh, S.
Varavin, V.
Vasil'ev, V.
Dvoretskii, S.
Mikhailov, N.
Yakushev, M.
Sidorov, G.
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
SPACE-charge-limited conduction
ELECTRIC admittance
SUBSTRATES (Materials science)
GALLIUM arsenide
Źródło:
Russian Physics Journal; Jun2017, Vol. 60 Issue 2, p360-370, 11p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Total Conductance of MIS Structures Based on Graded-Gap p-HgCdTe ( x =0.22-0.23) Grown by Molecular Beam Epitaxy.
Autorzy:
Voitsekhovskii, A.
Nesmelov, S.
Dzyadukh, S.
Vasil'ev, V.
Varavin, V.
Dvoretskii, S.
Мikhailov, N.
Kuz'min, V.
Remesnik, V.
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
EPITAXY
ELECTRIC admittance
NARROW gap semiconductors
BAND gaps
SEMICONDUCTORS
Źródło:
Russian Physics Journal; Oct2014, Vol. 57 Issue 6, p707-716, 10p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Special Features of Admittance in Mis Structures Based on Graded-Gap MBE n-HgCdTe ( x = 0.31-0.32) in a Temperature Range OF 8-300 K.
Autorzy:
Voitsekhovskii, A.
Nesmelov, S.
Dzyadukh, S.
Vasil'ev, V.
Varavin, V.
Dvoretskii, S.
Мikhailov, N.
Kuz'min, V.
Remesnik, V.
Pokaż więcej
Temat:
EPITAXY
METAL-insulator-semiconductor structures
INTERFACE structures
ACCUMULATION layers (Electrical engineering)
PHYSICS
Źródło:
Russian Physics Journal; Sep2014, Vol. 57 Issue 5, p633-641, 9p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Tytuł:
Differential Resistance of Space Charge Region in MIS Structures Based on Graded-Gap MBE n-HgCdTe ( x = 0.23) in a Wide Temperature Range.
Autorzy:
Voitsekhovskii, A.
Nesmelov, S.
Dzyadukh, S.
Vasil'ev, V.
Varavin, V.
Dvoretskii, S.
Мikhailov, N.
Kuz'min, V.
Remesnik, V.
Pokaż więcej
Temat:
METAL-insulator-semiconductor structures
SPACE charge
MERCURY cadmium tellurides
ELECTRIC admittance
MOLECULAR beam epitaxy
Źródło:
Russian Physics Journal; Aug2014, Vol. 57 Issue 4, p536-544, 9p
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 55

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies