Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Manifestation of “Slow” Light in the Photocurrent Spectra of Ge/Si Quantum Dot Layers Combined with a Photonic Crystal

Autorzy:

Yakimov, A. I.Aff1, IDS0021364023602105_cor1
Kirienko, V. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2
Utkin, D. E.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 118(4):244-248

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Electron-Beam Radiation Effects at the Molecular-Beam Epitaxial Growth of CaF2 Film on Silicon

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.Aff1, IDS106287382370199X_cor1
Kacyuba, A. V.
Kamaev, G. N.
Volodin, V. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 87(6):809-812

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Synthesis of Epitaxial Structures with Two-Dimensional Si Layers Embedded in a CaF2 Dielectric Matrix

Autorzy:

Zinovyev, V. A.Aff1, IDS0021364022602159_cor1
Zinovieva, A. F.Aff1, Aff2
Volodin, V. A.Aff1, Aff2
Gutakovskii, A. K.
Deryabin, A. S.
Krupin, A. Yu.
Kulik, L. V.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 116(9):628-633

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Photoluminescence and excitation energy transfer in non-stoichiometric silicon nitride

Autorzy:

Amosov, Andrey V.
Kulchin, Yuri N.
Dvurechenskii, Anatoly V.
Dzyuba, Vladimir P.

Pokaż więcej

Źródło:

In Journal of Luminescence March 2022 243

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy

Autorzy:

Kacyuba, Aleksey V.
Dvurechenskii, Anatoly V.
Kamaev, Genadiy N.
Volodin, Vladimir A.
Krupin, Aleksey Y.

Pokaż więcej

Źródło:

In Journal of Crystal Growth 15 May 2021 562

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

Autorzy:

Smagina, Zh. V.Aff1, IDS1063782622010146_cor1
Zinovyev, V. A.
Stepikhova, M. V.
Peretokin, A. V.Aff2, Aff3
Dyakov, S. A.
Rodyakina, E. E.Aff1, Aff5
Novikov, A. V.Aff2, Aff3
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff5

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 56(2):101-106

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Dynamics of the photoluminescence spectrum and the types and parameters of excitons in a SiNx/SiO2 superlattice

Autorzy:

Dzyuba, Vladimir P.Aff1, IDepjps13360022032595_cor1
Amosov, Andrey V.
Kulchin, Yuri N.
Dvurechenskii, Anatoly V.

Pokaż więcej

Źródło:

The European Physical Journal Plus. 137(9)

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates

Autorzy:

Zinovyev, V. A.Aff1, IDS1063782621090268_cor1
Kacyuba, A. V.
Volodin, V. A.Aff1, Aff2
Zinovieva, A. F.Aff1, Aff2
Cherkova, S. G.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2
Krupin, A. Y.
Borodavchenko, O. M.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 55(10):808-811

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Scientific Heritage of S. V. Bogdanov

Autorzy:

Kidyarov, B. I.
Kolosovsky, E. A.
Tsarev, A. V.Aff1, Aff2, IDS8756699021050083_cor3
Neizvestny, I. G.
Aseev, A. L.Aff1, Aff2
Latyshev, A. V.Aff1, Aff2
Chaplik, A. V.Aff1, Aff2
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57(5):539-543

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Effect of Adhesive Layers on Photocurrent Enhancement in Near-Infrared Quantum-Dot Photodetectors Coupled with Metal-Nanodisk Arrays

Autorzy:

Yakimov, A. I.Aff1, Aff2
Kirienko, V. V.
Bloshkin, A. A.Aff1, Aff3, IDS1063782621070204_cor3
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff3
Utkin, D. E.Aff1, Aff3

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 55(8):654-659

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

Autorzy:

Yakimov, A. I.Aff1, Aff2
Bloshkin, A. A.Aff1, Aff3
Kirienko, V. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff3
Utkin, D. E.Aff1, Aff3

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 113(8):498-503

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

Autorzy:

Zinovieva, A. F.Aff1, Aff2
Zinovyev, V. A.
Nenashev, A. V.Aff1, Aff2
Shklyaev, A. A.Aff1, Aff2
Kulik, L. V.Aff2, Aff3
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 113(1):52-56

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Luminescence of Spatially Ordered Self-Assembled Solitary Ge(Si) Nanoislands and their Groups Incorporated into Photonic Crystals

Autorzy:

Smagina, Zh. V.
Novikov, A. V.
Stepikhova, M. V.
Zinovyev, V. A.
Rodyakina, E. E.Aff1, Aff3
Nenashev, A. V.Aff1, Aff3
Sergeev, S. M.
Peretokin, A. V.Aff2, Aff4
Kuchinskaya, P. A.
Shaleev, M. V.
Gusev, S. A.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff3

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 54(8):853-859

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Self-Organization of Ge(Si) Nanoisland Groups on Pit-Patterned Si(100) Substrates

Autorzy:

Smagina, Zh. V.
Zinoviev, V. A.
Rudin, S. A.
Rodyakina, E. E.
Novikov, P. L.
Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 54(14):1866-1868

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals

Autorzy:

Smagina, Zn. V.
Zinovyev, V. A.
Rodyakina, E. E.Aff1, Aff2
Fomin, B. I.
Stepikhova, M. V.
Yablonskiy, A. N.
Gusev, S. A.
Novikov, A. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 53(10):1329-1333

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

Autorzy:

Yakimov, A. I.Aff1, Aff2
Bloshkin, A. A.Aff1, Aff3
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff3

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 110(6):411-416

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

Autorzy:

Bloshkin, A. A.Aff1, Aff2
Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 53(2):195-199

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Electron Paramagnetic Resonance in Ge/Si Heterostructures with Mn-Doped Quantum Dots

Autorzy:

Zinovieva, A. F.
Zinovyev, V. A.
Stepina, N. P.
Katsuba, A. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2
Gutakovskii, A. K.
Kulik, L. V.Aff2, Aff3
Bogomyakov, A. S.
Erenburg, S. B.
Trubina, S. V.
Voelskow, M.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 109(4):270-275

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

XAFS Spectroscopy Study of Microstructure and Electronic Structure of Heterosystems Containing Si/GeMn Quantum Dots

Autorzy:

Erenburg, S. B.Aff1, Aff2
Trubina, S. V.
Zvereva, V. A.
Zinoviev, V. A.
Katsyuba, A. V.
Dvurechenskii, A. V.
Kvashnina, K.Aff4, Aff5
Voelskow, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics. 128(2):303-311

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

Autorzy:

Zinovyev, V. A.
Zinovieva, A. F.
Katsuba, A. V.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2
Borodavchenko, O. M.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 52(16):2149-2152

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

Autorzy:

Rudin, S. A.
Smagina, Zh. V.
Zinovyev, V. A.
Novikov, P. L.Aff1, Aff2
Nenashev, A. V.Aff1, Aff2
Rodyakina, E. E.Aff1, Aff2
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 52(11):1457-1461

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Analytical Expression for the Distribution of Elastic Strain Created by a Polyhedral Inclusion with Arbitrary Eigenstrain

Autorzy:

Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Physics of the Solid State. 60(9):1807-1812

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Localization of Surface Plasmon Waves in Hybrid Photodetectors with Subwavelength Metallic Arrays

Autorzy:

Yakimov, A. I.Aff1, Aff2
Kirienko, V. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters. 108(6):374-378

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface

Autorzy:

Smagina, Zh. V.
Zinovyev, V. A.
Krivyakin, G. K.Aff1, Aff2
Rodyakina, E. E.Aff1, Aff2
Kuchinskaya, P. A.
Fomin, B. I.
Yablonskiy, A. N.
Stepikhova, M. V.
Novikov, A. V.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 52(9):1150-1155

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Quantum Gates with Spin States in Continuous Microwave Field

Autorzy:

Zinovieva, A. F.
Nenashev, A. V.Aff1, Aff2
Koshkarev, A. A.
Zarodnyuk, T. S.
Gornov, A. Yu.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Russian Microelectronics. 47(4):268-278

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge

Autorzy:

Zinovieva, A. F.Aff1, Aff2
Zinovyev, V. A.
Nenashev, A. V.Aff1, Aff2
Teys, S. A.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2
Borodavchenko, O. M.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Scientific Reports. 10(1)

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Electron-Beam Radiation Effects at the Molecular-Beam Epitaxial Growth of CaF2 Film on Silicon.

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Kacyuba, A. V.
Kamaev, G. N.
Volodin, V. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jun2023, Vol. 87 Issue 6, p809-812, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Electron-Beam Radiation Effects in Multilayer Structures Grown with the Periodical Deposition of Si and CaF 2 on Si(111) †.

Autorzy:

Dvurechenskii, Anatoly V.
Kacyuba, Aleksey V.
Kamaev, Gennady N.
Volodin, Vladimir A.
Stepina, Natalia P.
Zinovieva, Aigul F.
Zinovyev, Vladimir A.

Pokaż więcej

Temat:

CRYSTAL structure
NANOSTRUCTURES
IRRADIATION
THIN films
EPITAXY

Źródło:

Materials Proceedings; 2023, Vol. 14, p68, 7p

Konferencja

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Energy Spectrum of Charge Carriers in Elastically Strained Assemblies of Ge/Si Quantum Dots

Autorzy:

Bloshkin, A. A.Aff1, Aff2
Yakimov, A. I.Aff1, Aff3
Zinovieva, A. F.
Zinoviev, V. A.
Dvurechenskii, A. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 12(2):306-316

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Kirienko, V. V.
Armbrister, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. April 2017 105(7):426-429

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures

Autorzy:

Zinovieva, A. F.
Zinovyev, V. A.
Nikiforov, A. I.
Timofeev, V. A.
Mudryi, A. V.
Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. December 2016 104(12):823-826

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Enhancement of the hole photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots with abrupt heterointerfaces

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Kirienko, V. V.
Armbrister, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. October 2016 104(7):479-482

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Raman studies of phase and atomic compositions of GeSi nanosystems after pulsed annealing

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Volodin, V. A.
Krivyakin, G. K.
Shklyaev, A. A.
Kochubei, S. A.
Neizvestny, I. G.
Stuchlik, J.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2016 52(5):496-500

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Synthesis of Epitaxial Structures with Two-Dimensional Si Layers Embedded in a CaF2 Dielectric Matrix.

Autorzy:

Zinovyev, V. A.
Zinovieva, A. F.
Volodin, V. A.
Gutakovskii, A. K.
Deryabin, A. S.
Krupin, A. Yu.
Kulik, L. V.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Temat:

MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON paramagnetic resonance
CONDUCTION electrons
ELECTRON paramagnetic resonance spectroscopy
MONOMOLECULAR films
TRANSMISSION electron microscopy
RAMAN scattering

Źródło:

JETP Letters; Nov2022, Vol. 116 Issue 9, p628-633, 6p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

SiGe Nanodots in Electro-Optical SOI Devices

Autorzy:

Dvurechenskii, Anatoly V.
Yakimov, A. I.
Stepina, N. P.
Kirienko, V. V.
Novikov, P. L.

Pokaż więcej

Źródło:

Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. :113-128

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Suppression of hole relaxation in small Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Kirienko, V. V.
Bloshkin, A. A.
Armbrister, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. November 2015 102(9):594-598

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Temperature-stimulated transition from a macroscopic to a mesoscopic behavior of the hopping conductivity in a quantum-dot ensemble

Autorzy:

Stepina, N. P.
Verkhushin, I. A.
Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. September 2015 102(5):312-315

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Zinovieva, A. F.
Smagina, Zh. V.
Nenashev, A. V.
Kulik, L. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. July 2015 102(2):108-112

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Kirienko, V. V.
Bloshkin, A. A.
Armbrister, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. June 2015 101(11):750-753

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Linear chains of Ge/Si quantum dots grown on a prepatterned surface formed by ion irradiation

Autorzy:

Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.
Seleznev, V. A.
Kuchinskaya, P. A.
Armbrister, V. A.
Zinovyev, V. A.
Stepina, N. P.
Zinovieva, A. F.
Nenashev, A. V.
Gutakovskii, A. K.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. June 2015 49(6):749-752

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Tytuł:

Dynamics of the photoluminescence spectrum and the types and parameters of excitons in a SiNx/SiO2 superlattice.

Autorzy:

Dzyuba, Vladimir P.
Amosov, Andrey V.
Kulchin, Yuri N.
Dvurechenskii, Anatoly V.

Pokaż więcej

Źródło:

European Physical Journal Plus; Sep2022, Vol. 137 Issue 9, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Tytuł:

Ge/Si Nanostructures with Quantum Dots Grown by Ion-Beam-Assisted Heteroepitaxy

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Smagina, J. V.
Armbrister, V. A.
Zinovyev, V. A.
Novikov, P. L.
Teys, S. A.
Groetzschel, R.

Pokaż więcej

Źródło:

Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers : Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Quantum Dots: Fundamentals, Applications and Frontiers Crete, Greece, 20–24 July 2003. 190:135-144

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Tytuł:

Optical Properties Of Arrays Of Ge/Si Quantum Dots In Electric Field

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Yakimov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Towards the First Silicon Laser. 93:307-314

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

Nucleation and growth of ordered groups of SiGe quantum dots

Autorzy:

Zinovyev, V. A.
Dvurechenskii, A. V.
Kuchinskaya, P. A.
Armbrister, V. A.
Teys, S. A.
Shklyaev, A. A.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. February 2015 49(2):149-153

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Tytuł:

Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: Crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping

Autorzy:

Stepina, N. P.
Valkovskii, V. V.
Galperin, Y. M.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. January 2015 101(1):22-26

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Tytuł:

Bidirectional photocurrent of holes in layers of Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Kirienko, V. V.
Timofeev, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. September 2014 100(2):91-94

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Tytuł:

On the process of hole trapping in Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots

Autorzy:

Bloshkin, A. A.
Yakimov, A. I.
Timofeev, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. August 2014 48(8):1036-1040

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Tytuł:

Mesoscopic structures with GE quantum dots in SI for single-photon detectors

Autorzy:

Stepina, N. P.
Val’kovskii, V. V.
Dvurechenskii, A. V.
Nikiforov, A. I.
Moers, J.
Gruetzmacher, D.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. May 2014 50(3):266-270

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:

Formation of germanium nanoislands on pit-patterned silicon substrates by means of the molecular dynamics method

Autorzy:

Novikov, P. L.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. May 2014 50(3):247-251

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:

Characterization of Porous Silicon Layers Containing A Buried Oxide Layer

Autorzy:

Romanov, S. I.Aff3, Aff4
Dvurechenskii, A. V.Aff3, Aff5
Yakovlev, Yu. I.
Grötzschel, R.
Kreissig, U.
Kirienko, V. V.
Obodnikov, V. I.
Gutakovskii, A.

Pokaż więcej

Źródło:

Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. 73:195-204

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:

Homoepitaxy on Porous Silicon with a Buried Oxide Layer: Full-Wafer Scale SOI

Autorzy:

Romanov, S. I.Aff3, Aff4
Dvurechenskii, A. V.Aff3, Aff5
Kirienko, V. V.
Grötzschel, R.
Gutakovskii, A.
Sokolov, L. V.
Lamin, M. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. 73:29-46

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:

Study of Porous Silicon Formation and Silicon-on-Porous Silicon Epitaxy (Computational Modelling)

Autorzy:

Novikov, P. L.
Aleksandrov, L. N.
Dvurechenskii, A. V.
Zinoviev, V. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Nanostructured Films and Coatings. 78:255-265

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:

Radiation-Induced Nucleation and Growth of CaSi 2 Crystals, Both Directly during the Epitaxial CaF 2 Growth and after the CaF 2 Film Formation.

Autorzy:

Dvurechenskii, Anatoly V.
Kacyuba, Aleksey V.
Kamaev, Gennadiy N.
Volodin, Vladimir A.
Smagina, Zhanna V.

Pokaż więcej

Źródło:

Nanomaterials (2079-4991); May2022, Vol. 12 Issue 9, p1407-1407, 12p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:

Two-dimensional strain distribution in elastically anisotropic heterostructures

Autorzy:

Nenashev, A. V.
Koshkarev, A. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2013 49(5):440-449

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:

Three-dimensional model of heteroepitaxial growth of germanium on silicon

Autorzy:

Rudin, S. A.
Zinov’ev, V. A.
Nenashev, A. V.
Polyakov, A. Yu.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2013 49(5):461-466

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:

Formation of ordered groups of quantum dots during Ge/Si heteroepitaxy

Autorzy:

Zinov’ev, V. A.
Dvurechenskii, A. V.
Kuchinskaya, P. A.
Armbrister, V. A.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2013 49(5):423-428

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:

Formation and structural features of silicon quantum dots in germanium

Autorzy:

Stepina, N. P.
Zinov’eva, A. F.
Deryabin, A. S.
Zinov’ev, V. A.
Volodin, V. A.
Shklyaev, A. A.
Dvurechenskii, A. V.
Gaponenko, S. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2013 49(5):434-439

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:

Applicability of the six-band kp -model equations to semiconductor heterostructures

Autorzy:

Zhukov, V. P.
Fedoruk, M. P.
Zinov’eva, A. F.
Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2013 49(5):450-460

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:

SiGe quantum rings on the Si(100) surface

Autorzy:

Kuchinskaya, P. A.
Zinovyev, V. A.
Nenashev, A. V.
Armbrister, V. A.
Volodin, V. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Russian Microelectronics. December 2012 41(8):485-488

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:

Photoinduced and equilibrium optical absorption in Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Vorobjev, L. E.
Firsov, D. A.
Shalygin, V. A.
Panevin, V. Yu.
Sofronov, A. N.
Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Tonkikh, A. A.
Werner, P.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. December 2012 46(12):1529-1533

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:

Melting of nanocrystals embedded in a crystal matrix heated by nanosecond laser pulses

Autorzy:

Zinoviev, V. A.
Dvurechenskii, A. V.
Smagina, Zh. V.
Ivlev, G. D.
Gatskevich, E. I.
Malevich, V. L.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics. September 2012 115(3):436-444

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:

Structures with vertically stacked Ge/Si quantum dots for logical operations

Autorzy:

Morokov, Yu. N.
Fedoruk, M. P.
Dvurechenskii, A. V.
Zinov’eva, A. F.
Nenashev, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. July 2012 46(7):937-942

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:

Electron spins in an array of tunnel-coupled quantum dots

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Zinovieva, A. F.
Nenashev, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. February 2012 76(2):189-193

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:

Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Timofeev, V. A.
Nikiforov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. January 2012 94(10):744-747

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:

The microstructure of vertically coupled quantum dots ensembles by EXAFS spectroscopy

Autorzy:

Erenburg, S. B.
Trubina, S. V.
Bausk, N. V.
Nikiforov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Mansurov, V. G.
Zhuravlev, K. S.
Nikitenko, S. G.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. October 2011 5(5):856-862

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:

Problem of optimal control in the system of semiconductor quantum points

Autorzy:

Gornov, A. Yu.
Dvurechenskii, A. V.
Zarodnyuk, T. S.
Zinov’eva, A. F.
Nenashev, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Automation and Remote Control. June 2011 72(6):1242-1247

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:

Ge/Si nanoheterostructures with ordered Ge quantum dots for optoelectronic applications

Autorzy:

Pchelyakov, O. P.
Dvurechenskii, A. V.
Nikiforov, A. I.
Voitsekhovskii, A. V.
Grigor’ev, D. V.
Kokhanenko, A. P.

Pokaż więcej

Źródło:

Russian Physics Journal. February 2011 53(9):943-948

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:

Effects of spatial ordering of quantum dot arrays from small-angle X-ray diffraction data under variation of growth parameters

Autorzy:

Plyasova, L. M.
Molina, I. Yu.
Stepina, N. P.
Zinov’eva, A. F.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. February 2011 5(1):120-125

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:

Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Bloshkin, A. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. July 2010 92(1):36-39

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Tytuł:

Excitons in Ge/Si double quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Bloshkin, A. A.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

JETP Letters: JETP Letters. December 2009 90(8):569-573

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:

Physics and technology of quantum dot semiconductor nanostructures for IR application

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Yakimov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. January 2009 73(1):66-69

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 85.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 86.

Tytuł:

Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates.

Autorzy:

Zinovyev, V. A.
Kacyuba, A. V.
Volodin, V. A.
Zinovieva, A. F.
Cherkova, S. G.
Smagina, Zh. V.
Dvurechenskii, A. V.
Krupin, A. Y.
Borodavchenko, O. M.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Temat:

ATOMIC structure
OPTICAL properties
ELECTRON beams
SURFACE morphology
RAMAN spectroscopy
SURFACE structure

Źródło:

Semiconductors; Oct2021, Vol. 55 Issue 10, p808-811, 4p

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 87.

Tytuł:

Application of XAFS spectroscopy to studying the microstructure and electronic structure of quantum dots

Autorzy:

Erenburg, S. B.
Bausk, N. V.
Dvurechenskii, A. V.
Smagina, Zh. V.
Nenashev, A. V.
Nikiforov, A. I.
Mansurov, V. G.
Zhuravlev, K. S.
Toropov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. February 2007 1(1):26-34

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 88.

Tytuł:

Electronic properties of silicon with ultrasmall germanium clusters

Autorzy:

Brudnyi, V. N.
Grinyaev, S. N.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Physics of the Solid State. November 2005 47(11):2020-2024

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 89.

Tytuł:

Hole spin relaxation in Ge quantum dots

Autorzy:

Zinov’eva, A. F.
Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. September 2005 82(5):302-305

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 90.

Tytuł:

Hopping conductivity and Coulomb correlations in 2D arrays of Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Min’kov, G. M.
Sherstobitov, A. A.
Nikiforov, A. I.
Bloshkin, A. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics. April 2005 100(4):722-730

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 91.

Tytuł:

Ge/Si photodiodes and phototransistors with embedded arrays of germanium quantum dots for fiber-optic communication lines

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Kirienko, V. V.
Nikiforov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Physics of the Solid State. January 2005 47(1):34-37

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 92.

Tytuł:

Si-Ge-GaAs nanoheterostructures for photovoltaic cells

Autorzy:

Pchelyakov, O. P.
Dvurechenskii, A. V.
Nikiforov, A. I.
Pakhanov, N. A.
Sokolov, L. V.
Chikichev, S. I.
Yakimov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Physics of the Solid State. January 2005 47(1):63-66

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 93.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 94.

Tytuł:

Ge/Si waveguide photodiodes with built-in layers of Ge quantum dots for fiber-optic communication lines

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Kirienko, V. V.
Stepina, N. P.
Nikiforov, A. I.
Ul’yanov, V. V.
Chaikovskii, S. V.
Volodin, V. A.
Efremov, M. D.
Seksenbaev, M. S.
Shamirzaev, T. S.
Zhuravlev, K. S.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. October 2004 38(10):1225-1229

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 95.

Tytuł:

The Meyer-Neldel rule in the processes of thermal emission and hole capture in Ge/Si quantum dots

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Nikiforov, A. I.
Mikhalev, G. Yu.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. September 2004 80(5):321-325

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 96.

Tytuł:

Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Smagina, Zh. V.
Zinov’ev, V. A.
Armbrister, V. A.
Volodin, V. A.
Efremov, M. D.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. April 2004 79(7):333-336

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 97.

Tytuł:

Ge/Si quantum dots in external electric and magnetic fields

Autorzy:

Dvurechenskii, A. V.
Yakimov, A. I.
Nenashev, A. V.
Zinov’eva, A. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Physics of the Solid State. January 2004 46(1):56-59

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 98.

Tytuł:

Ge/Si photodiodes with embedded arrays of Ge quantum dots forthe near infrared (1.3–1.5 µm) region

Autorzy:

Yakimov, A. I.
Dvurechenskii, A. V.
Nikiforov, A. I.
Chaikovskii, S. V.
Tiis, S. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2003 37(11):1345-1349

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 99.

Tytuł:

Pulsed-laser modification of germanium nanoclusters in silicon

Autorzy:

Volodin, V. A.
Gatskevich, E. I.
Dvurechenskii, A. V.
Efremov, M. D.
Ivlev, G. D.
Nikiforov, A. I.
Orekhov, D. A.
Yakimov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2003 37(11):1315-1320

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 100.

Tytuł:

Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si

Autorzy:

Stepina, N. P.
Yakimov, A. I.
Nenashev, A. V.
Dvurechenskii, A. V.
Nikiforov, A. I.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. November 2003 78(9):587-591

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły