Autor: "Edwards, Hal" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Si0.97Ge0.03 microelectronic thermoelectric generators with high power and voltage densities
Autorzy :: Dhawan, Ruchika
Madusanka, Prabuddha
Hu, GangyiAff1, Aff3
Debord, JeffAff2, Aff4
Tran, Toan
Maggio, Kenneth
Edwards, Hal
Lee, Mark; Pokaż więcej
Źródło :: Nature Communications. 11(1)
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Silicon integrated circuit thermoelectric generators with a high specific power generation capacity
Autorzy :: Hu, Gangyi
Edwards, Hal
Lee, Mark; Pokaż więcej
Źródło :: Nature Electronics. 2(7):300-306
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Improved inductive-system-level IEC ESD performance for automotive applications using mutual ballasted ESD protection technique
Autorzy :: Salman, Akram A.
Farbiz, Farzan
Concannon, Ann
Edwards, Hal
Boselli, Gianluca; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability February 2016 57:47-52
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Extinction of random telegraph switching in small area silicon metal-oxide-semiconductor transistors.
Autorzy :: Hu, Gangyi
Shichijo, Hisashi
Naquin, Clint
Edwards, Hal
Lee, Mark; Pokaż więcej
Temat :: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
BURST noise
FLUCTUATIONS (Physics)
CRYOGENICS
SEMICONDUCTORS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Diagram, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Gate length and temperature dependence of negative differential transconductance in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
Autorzy :: Naquin, Clint
Lee, Mark
Edwards, Hal
Mathur, Guru
Chatterjee, Tathagata
Maggio, Ken; Pokaż więcej
Temat :: QUANTUM wells
FIELD-effect transistors
METAL oxide semiconductor field
ION implantation
QUANTUM dots
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 12, p124505-1-124505-6, 6p, 2 Diagrams, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Pn-junction delineation in Si devices using scanning capacitance spectroscopy.
Autorzy :: Edwards, Hal
Ukrainstev, Vladimir A.; Pokaż więcej
Temat :: SPECTRUM analysis
BIPOLAR transistors
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2/1/2000, Vol. 87 Issue 3, p1485, 11p, 13 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Vertical metrology using scanning-probe microscopes: Imaging distortions and measurement repeatabily
Autorzy :: Edwards, Hal
McGlothlin, Rudye
U, Elisa; Pokaż więcej
Temat :: MICROSCOPY
Źródło :: Journal of Applied Physics; 4/15/1998, Vol. 83 Issue 8, p3952, 20p, 28 Black and White Photographs, 4 Diagrams, 11 Charts, 12 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Fast, high-resolution atomic force microscopy using a quartz tuning fork as actuator and sensor.
Autorzy :: Edwards, Hal
Taylor, Larry
Duncan, Walter
Melmed, Allan J.; Pokaż więcej
Temat :: ATOMIC force microscopy
TUNING forks
PIEZOELECTRIC devices
Źródło :: Journal of Applied Physics; 8/1/1997, Vol. 82 Issue 3, p980, 5p, 7 Black and White Photographs, 2 Diagrams
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Temperature dependence of threshold voltage fluctuations in CMOS transistors incorporating halo implant.
Autorzy :: Edwards, Hal
Jin, Niu
Hou, Fan-Chi
Choi, Li Jen
Krakowski, Tracey
Joardar, Kuntal; Pokaż więcej
Źródło :: 2014 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC); 2014, p413-416, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Performance metrics for thermoelectric energy harvesting studied using a novel planar 65 nm silicon CMOS-based thermopile.
Autorzy :: Edwards, Hal
Debord, Jeff
Tran, Toan
Freeman, Dave
Maggio, Ken; Pokaż więcej
Źródło :: 2013 IEEE SENSORS; 2013, p1-4, 4p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Mutual ballasting: A novel technique for improved inductive system level IEC ESD stress performance for automotive applications.
Autorzy :: Salman, Akram A.
Farbiz, Farzan
Concannon, Ann
Edwards, Hal
Boselli, Gianluca; Pokaż więcej
Źródło :: 2013 35th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium; 2013, p1-7, 7p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Silicon single atom steps as AFM height standards.
Autorzy :: Dixson, Ronald G.
Orji, Ndubuisi G.
Fu, Joseph
Tsai, Vincent
Williams, Ellen D.
Kacker, Raghu
Vorburger, Theodore V.
Edwards, Hal L.
Cook, Debra
West, Paul E.
Nyffenegger, Ralph; Pokaż więcej
Źródło :: Proceedings of SPIE; Nov2001, Issue 1, p157-168, 12p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: APPLICATIONS AND RELATED TECHNOLOGY: THERMOELECTRIC CONVERSION.
Autorzy :: EDWARDS, HAL
NIU, QIAN
de LOZANNE, ALEX; Pokaż więcej
Źródło :: Engineering Superconductivity; 2001, p623-632, 10p
: Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Silicon surface preparation for two-dimensional dopant characterization.
Autorzy :: Ukraintsev, V. A.
Potts, F. R.
Wallace, R. M.
Magel, L. K.
Edwards, Hal
Chang, M.-C.; Pokaż więcej
Źródło :: AIP Conference Proceedings; Nov1998, Vol. 449 Issue 1, p736-740, 5p
: Konferencja

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Edwards, Hal"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język