Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Fatahilah, Muhammad Fahlesa"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronics
Autorzy:
Fatahilah, Muhammad FahlesaAff1, Aff2
Yu, FengAff1, Aff2
Strempel, KlaasAff1, Aff2
Römer, Friedhard
Maradan, Dario
Meneghini, Matteo
Bakin, AndreyAff1, Aff2
Hohls, Frank
Schumacher, Hans Werner
Witzigmann, Bernd
Waag, AndreasAff1, Aff2
Wasisto, Hutomo SuryoAff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło:
Scientific Reports. 9(1)
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies