Autor: "Faucherand, P." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Thermoelectric Properties of n-type GaN and 2D Electron Gas in AlGaN-GaN Heterostructure
Autorzy:: Bryan, C.
Faucherand, P.
Charles, M.
Plissonnier, M.
Savelli, G.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 50(3):1301-1306

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Growth and thermal properties of doped monocrystalline titanium-silicide based quantum dot superlattices
Autorzy:: Savelli, G.
Silveira Stein, S.
Bernard-Granger, G.
Faucherand, P.
Montès, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures April 2016 92:249-255

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Study of CVD nanowire high-k metal interface quality for interconnect level MOS devices
Autorzy:: Morel, P.H.
Leroux, C.
Hartmann, J.M.
Morin, C.
Faucherand, P.
Perraud, S.
Cagnon, L.
Baron, T.
Salem, B.
Fayolle-Lecocq, M.
Ernst, T.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1228-1231

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Predictors and Moderators of Clinical Outcomes in Adolescents with Severe Mental Disorders After an Assertive Community Treatment
Autorzy:: Urben, Sébastien
Baier, Vanessa
Mantzouranis, Gregory
Pigois, Eva
Graap, Caroline
Dutoit, Fabienne
Cherix-Parchet, Mélanie
Henz, Coralie
Faucherand, Aymeric
Senent, Esperanza
Holzer, Laurent; Pokaż więcej
Źródło:: Child Psychiatry & Human Development. December 2015 46(6):997-1005

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Energetic Optimization of Wet Air Oxidation: Preliminary Studies on Liquid Vapour Equilibriums and Degradation Kinetics
Autorzy:: S. Lefèvre
J.H. Ferrasse
R. Faucherand
A. Viand
O. Boutin; Pokaż więcej
Temat:: Chemical engineering
TP155-156
Computer engineering. Computer hardware
TK7885-7895
Źródło:: Chemical Engineering Transactions, Vol 21 (2010)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.cetjournal.it/index.php/cet/article/view/8181; https://doaj.org/toc/2283-9216
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/bed2502a9e8b4083ae427e0d252e014d Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Al catalyzed growth of silicon nanowires and subsequent in situdry etching of the catalyst for photovoltaic application
Autorzy:: Kohen, David
Tileli, Vasiliki
Cayron, Cyril
Faucherand, Pascal
Morin, Christine
Dufourcq, Joël
Noël, Sébastien
Levis, Michel
Brioude, Arnaud
Perraud, Simon; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; November 2011, Vol. 208 Issue: 11 p2676-2680, 5p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Faucherand, P."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji