Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Feng, Zixuan"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Influence of growth temperature on defect states throughout the bandgap of MOCVD-grown β-Ga2O3.
Autorzy :
Ghadi, Hemant
McGlone, Joe F.
Feng, Zixuan
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin
Zhao, Hongping
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
MOLECULAR beam epitaxy
MASS spectrometry
TEMPERATURE distribution
OPTICAL spectroscopy
Źródło :
Applied Physics Letters; 10/26/2020, Vol. 117 Issue 17, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Probing Charge Transport and Background Doping in Metal‐Organic Chemical Vapor Deposition‐Grown (010) β‐Ga2O3.
Autorzy :
Feng, Zixuan
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin
Xia, Zhanbo
Moore, Wyatt
Chen, Zhaoying
McGlone, Joe F.
Daughton, David R.
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.
Rajan, Siddharth
Zhao, Hongping
Pokaż więcej
Temat :
CHEMICAL vapor deposition
ELECTRON mobility
POLLUTION
SURFACE contamination
THIN films
CHARGE transfer
Źródło :
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters; Aug2020, Vol. 14 Issue 8, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ultrafast growth rate and high mobility In2O3 films grown on c-sapphire via low pressure chemical vapor deposition.
Autorzy :
Zhang, Yuxuan
Karim, Md Rezaul
Feng, Zixuan
Zhao, Hongping
Pokaż więcej
Temat :
CHEMICAL vapor deposition
INDIUM oxide
OPTOELECTRONIC devices
SCHOTTKY barrier diodes
MOLECULAR beam epitaxy
SEMICONDUCTOR doping
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2019, Vol. 125 Issue 13, pN.PAG-N.PAG, 8p, 2 Diagrams, 1 Chart, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films.
Autorzy :
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin
Feng, Zixuan
Johnson, Jared M.
Huang, Hsien-Lien
Sarker, Jith
Zhu, Menglin
Karim, Md Rezaul
Mazumder, Baishakhi
Hwang, Jinwoo
Zhao, Hongping
Pokaż więcej
Temat :
THIN films
SCANNING transmission electron microscopy
ATOM-probe tomography
CHEMICAL vapor deposition
X-ray spectra
Źródło :
APL Materials; Mar2020, Vol. 8 Issue 3, p1-8, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Full bandgap defect state characterization of β-Ga2O3 grown by metal organic chemical vapor deposition.
Autorzy :
Ghadi, Hemant
McGlone, Joe F.
Jackson, Christine M.
Farzana, Esmat
Feng, Zixuan
Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin
Zhao, Hongping
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.
Pokaż więcej
Temat :
METAL organic chemical vapor deposition
MOLECULAR beam epitaxy
CHEMICAL vapor deposition
EPITAXIAL layers
OPTICAL spectroscopy
Źródło :
APL Materials; Feb2020, Vol. 8 Issue 2, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies