Autor: "Firsov, D. D." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Effect of the Crystallographic Orientation of GaSb Films on Their Structural Properties during MBE Heteroepitaxy on Vicinal Si(001) Substrates
Autorzy :: Petrushkov, M. O.
Abramkin, D. S.Aff1, Aff2
Emelyanov, E. A.
Putyato, M. A.
Vasev, A. V.
Loshkarev, D. I.
Yesin, M. Yu.
Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Preobrazhenskii, V. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(12):1548-1554
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Investigation of Built-in Electric Fields at the GaSe/GaAs Interface by Photoreflectance Spectroscopy
Autorzy :: Komkov, O. S.
Khakhulin, S. A.
Firsov, D. D.
Avdienko, P. S.
Sedova, I. V.
Sorokin, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(10):1198-1204
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Measurement of Infrared Photoluminescence Spectra by Gated Integration with Active Baseline Subtraction
Autorzy :: Luferau, A. I.
Firsov, D. D.
Komkov, O. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Optics and Spectroscopy. 128(1):131-136
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Effect of design and stress relaxation on structural, electronic, and luminescence properties of metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs mid-IR emitters with a superlattice waveguide.
Autorzy :: Chernov, M. Yu.
Solov'ev, V. A.
Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Andreev, A. D.
Sitnikova, A. A.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Temat :: MOLECULAR beam epitaxy
LUMINESCENCE
GALLIUM antimonide
AUDITING standards
QUANTUM wells
INFRARED spectroscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 3/31/2020, Vol. 127 Issue 12, p1-6, 6p, 2 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 2 Charts, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Effect of Strongly Mismatched GaAs and InAs Inserts in a InAlAs Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs Quantum-Confined Heterostructures
Autorzy :: Solov’ev, V. A.
Chernov, M. Yu.
Komkov, O. S.Aff1, Aff2
Firsov, D. D.
Sitnikova, A. A.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: JETP Letters. 109(6):377-381
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Contactless Measurement of Electron Concentration in Undoped Homoepitaxial InSb Layers
Autorzy :: Komkov, O. S.Aff1, Aff2
Firsov, D. D.
Lvova, T. V.
Sedova, I. V.
Solov’ev, V. A.
Semenov, A. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Communications Technology and Electronics. 63(3):289-291
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Photoreflectance of indium antimonide
Autorzy :: Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Lvova, T. V.
Sedova, I. V.
Semenov, A. N.
Solov’ev, V. A.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. December 2016 58(12):2394-2400
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Metamorphic InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with submonolayer InSb insertions emitted in the mid-infrared spectral range
Autorzy :: Solov’ev, V. A.
Chernov, M. Yu.
Mel’tser, B. Ya.
Semenov, A. N.
Terent’ev, Ya. V.
Firsov, D. D.
Komkov, O. S.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. October 2016 42(10):1038-1040
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Determination of the indium arsenide autoepitaxial layers’ thickness by Fourier-Transform Infrared Spectroscopy
Autorzy :: Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Kovalishina, E. A.
Petrov, A. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Russian Microelectronics. December 2015 44(8):575-578
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Determination of the thickness and spectral dependence of the refractive index of Al x In1 − x Sb epitaxial layers from reflectance spectra
Autorzy :: Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Semenov, A. N.
Meltser, B. Ya.
Troshkov, S. I.
Pikhtin, A. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2013 47(2):292-297
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Photomodulation fourier transform infrared spectroscopy of semiconductor structures: Features of phase correction and application of method
Autorzy :: Firsov, D. D.
Komkov, O. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. December 2013 39(12):1071-1073
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Optical Properties of Epitaxial Al x In1−x Sb Alloy Layers
Autorzy :: Komkov, O. S.
Semenov, A. N.
Firsov, D. D.
Meltser, B. Ya.
Solov’ev, V. A.
Popova, T. V.
Pikhtin, A. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. November 2011 45(11):1425-1429
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Firsov, D. D."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język