- Tytuł:
- Unintentional boron incorporation in AlGaN layers grown by plasma-assisted MBE using highly efficient nitrogen RF plasma-sources
- Autorzy:
- Źródło:
- In Journal of Crystal Growth 1 November 2017 477:154-158
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.