Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Fretwell J"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Properties of gate quality silicon dioxide films deposited on Si-Ge using remote plasma-enhanced chemical vapor deposition with no preoxidation.
Autorzy :
Sharma, R.
Fretwell, J. L.
Ngai, T.
Banerjee, S.
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1999, Vol. 17 Issue 2, p460-464, 5p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies