- Tytuł:
- Segregation at interfaces in (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As- quantum well heterostructures explored by atomic resolution STEM
- Autorzy:
- Źródło:
- In Journal of Crystal Growth 15 October 2019 524
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.