- Tytuł:
- Origin of electron mobility enhancement in (1 1 1)-oriented InGaAs channel metal–insulator–semiconductor field-effect-transistors
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering 2011 88(12):3459-3461
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.