Temat: "GALLIUM nitride" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Enhancement of gallium nitride on silicon (111) using pulse atomic-layer epitaxy (PALE) AlN with composition-graded AlGaN buffer.
Autorzy:: Mansor, Marwan (AUTHOR)
Norhaniza, Rizuan (AUTHOR)
Shuhaimi, Ahmad (AUTHOR)
Hisyam, Muhammad Iznul (AUTHOR)
Omar, Al-Zuhairi (AUTHOR)
Williams, Adam (AUTHOR)
Mat Hussin, Mohd Rofei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 5/31/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-8. 8p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Gallium Nitride Based Electrode for High‐Temperature Supercapacitors.
Autorzy:: Lv, Songyang (AUTHOR)
Wang, Shouzhi (AUTHOR)
Li, Lili (AUTHOR)
Xie, Shoutian (AUTHOR)
Yu, Jiaoxian (AUTHOR)
Zhong, Yueyao (AUTHOR)
Wang, Guodong (AUTHOR)
Liang, Chang (AUTHOR)
Xu, Xiangang (AUTHOR)
Zhang, Lei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Science. 5/26/2023, Vol. 10 Issue 15, p1-10. 10p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Luminescence Characteristics of the MOCVD GaN Structures with Chemically Etched Surfaces.
Autorzy:: Ceponis, Tomas (AUTHOR)
Pavlov, Jevgenij (AUTHOR)
Kadys, Arunas (AUTHOR)
Vaitkevicius, Augustas (AUTHOR)
Gaubas, Eugenijus (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). May2023, Vol. 16 Issue 9, p3424. 14p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Effect of High-Pressure GaN Nucleation Layer on the Performance of AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate.
Autorzy:: Weng, You-Chen (AUTHOR)
Hsiao, Ming-Yao (AUTHOR)
Lin, Chun-Hsiung (AUTHOR)
Lan, Yu-Pin (AUTHOR)
Chang, Edward-Yi (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). May2023, Vol. 16 Issue 9, p3376. 10p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Gallium Nitride Power Devices in Power Electronics Applications: State of Art and Perspectives.
Autorzy:: Musumeci, Salvatore (AUTHOR)
Barba, Vincenzo (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). May2023, Vol. 16 Issue 9, p3894. 18p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: A GaN-HEMT Active Drain-Pumped Mixer for S-Band FMCW Radar Front-End Applications.
Autorzy:: Pagnini, Lorenzo (AUTHOR)
Collodi, Giovanni (AUTHOR)
Cidronali, Alessandro (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Sensors (14248220). May2023, Vol. 23 Issue 9, p4479. 14p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The Role of GaN in the Heterostructure WS 2 /GaN for SERS Applications.
Autorzy:: Ko, Tsung-Shine (AUTHOR)
Lin, En-Ting (AUTHOR)
Ho, Yen-Teng (AUTHOR)
Deng, Chen-An (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Apr2023, Vol. 16 Issue 8, p3054. 10p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: A Comprehensive Review of GaN-Based Bi-directional On-Board Charger Topologies and Modulation Methods.
Autorzy:: Bay, Olcay (AUTHOR)
Tran, Manh Tuan (AUTHOR)
El Baghdadi, Mohamed (AUTHOR)
Chakraborty, Sajib (AUTHOR)
Hegazy, Omar (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Apr2023, Vol. 16 Issue 8, p3433. 45p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Theoretical Analysis of InGaN Solar Energy Converters Based on Photon-Enhanced Thermionic Emission.
Autorzy:: Wang, Pingan (AUTHOR)
Yang, Ning (AUTHOR)
Xie, Liubing (AUTHOR)
Xu, Yanpeng (AUTHOR)
He, Huan (AUTHOR)
Fu, Yuechun (AUTHOR)
Shen, Xiaoming (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Apr2023, Vol. 16 Issue 8, p3483. 14p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Influence of Low-Temperature Cap Layer Thickness on Luminescence Characteristics of Green InGaN/GaN Quantum Wells.
Autorzy:: Sun, Haoran (AUTHOR)
Chen, Yuhui (AUTHOR)
Ben, Yuhao (AUTHOR)
Zhang, Hongping (AUTHOR)
Zhao, Yujie (AUTHOR)
Jin, Zhihao (AUTHOR)
Li, Guoqi (AUTHOR)
Zhou, Mei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Feb2023, Vol. 16 Issue 4, p1558. 11p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Effect of Electro-Thermo-Mechanical Coupling Stress on Top-Cooled E-Mode AlGaN/GaN HEMT.
Autorzy:: Jiang, Jie (AUTHOR)
Chen, Qiuqi (AUTHOR)
Hu, Shengdong (AUTHOR)
Shi, Yijun (AUTHOR)
He, Zhiyuan (AUTHOR)
Huang, Yun (AUTHOR)
Hui, Caixin (AUTHOR)
Chen, Yiqiang (AUTHOR)
Wu, Hao (AUTHOR)
Lu, Guoguang (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Feb2023, Vol. 16 Issue 4, p1484. 14p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Selective-Area Growth Mechanism of GaN Microrods on a Plateau Patterned Substrate.
Autorzy:: Ahn, Min-joo (AUTHOR)
Jeong, Woo-seop (AUTHOR)
Shim, Kyu-yeon (AUTHOR)
Kang, Seongho (AUTHOR)
Kim, Hwayoung (AUTHOR)
Kim, Dae-sik (AUTHOR)
Jhin, Junggeun (AUTHOR)
Kim, Jaekyun (AUTHOR)
Byun, Dongjin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Mar2023, Vol. 16 Issue 6, p2462. 12p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Raman Characterization of the In-Plane Stress Tensor of Gallium Nitride.
Autorzy:: Han, Bowen (AUTHOR)
Sun, Mingyuan (AUTHOR)
Chang, Ying (AUTHOR)
He, Saisai (AUTHOR)
Zhao, Yuqi (AUTHOR)
Qu, Chuanyong (AUTHOR)
Qiu, Wei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Mar2023, Vol. 16 Issue 6, p2255. 13p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Workbench Study Concerning the Highest Reliability Outcome for PoL Converters with Different Output Capacitor Technologies.
Autorzy:: Butnicu, Dan (AUTHOR)
Lazar, Alexandru (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Mar2023, Vol. 16 Issue 6, p2768. 19p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Anisotropic Etching of InGaN Thin Films with Photoelectrochemical Etching to Form Quantum Dots.
Autorzy:: Wei, Xiongliang (AUTHOR)
Al Muyeed, Syed Ahmed (AUTHOR)
Xue, Haotian (AUTHOR)
Wierer Jr., Jonathan J. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Mar2023, Vol. 16 Issue 5, p1890. 12p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: AlGalnN/InGaN应变补偿DBR结构设计.
Autorzy:: 张君华
 贾志刚
 董海亮
 臧茂荣
 梁建
 许并社; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: Design of AlGalnN/InGaN Strain-Compensation DBR Structure.
Źródło:: Journal of Synthetic Crystals. Mar2023, Vol. 52 Issue 3, p452-459. 8p.

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Using machine learning with optical profilometry for GaN wafer screening.
Autorzy:: Gallagher, James C. (AUTHOR)
Mastro, Michael A. (AUTHOR)
Ebrish, Mona A. (AUTHOR)
Jacobs, Alan G. (AUTHOR)
Gunning, Brendan P. (AUTHOR)
Kaplar, Robert J. (AUTHOR)
Hobart, Karl D. (AUTHOR)
Anderson, Travis J. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 2/27/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-11. 11p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Nanostructured Gallium Nitride Membrane at Wafer Scale for Photo(Electro)catalytic Polluted Water Remediation.
Autorzy:: Zhang, Huafan (AUTHOR)
Min, Jung‐Hong (AUTHOR)
Chung, Tae‐Hoon (AUTHOR)
Lee, Kwangjae (AUTHOR)
Gnanasekar, Paulraj (AUTHOR)
Min, Jung‐Wook (AUTHOR)
Park, Tae‐Yong (AUTHOR)
Wang, Yue (AUTHOR)
Ng, Tien Khee (AUTHOR)
Schwingenschlögl, Udo (AUTHOR)
Gan, Qiaoqiang (AUTHOR)
Ooi, Boon S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Advanced Science. 2/24/2023, Vol. 10 Issue 6, p1-9. 9p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Comprehensive analysis of current leakage at individual screw and mixed threading dislocations in freestanding GaN substrates.
Autorzy:: Hamachi, Takeaki (AUTHOR)
Tohei, Tetsuya (AUTHOR)
Hayashi, Yusuke (AUTHOR)
Imanishi, Masayuki (AUTHOR)
Usami, Shigeyoshi (AUTHOR)
Mori, Yusuke (AUTHOR)
Sakai, Akira (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 2/10/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-14. 14p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Theoretical Nanoarchitectonics of GaN Nanowires for Ultraviolet Irradiation-Dependent Electromechanical Properties.
Autorzy:: Yang, Kun (AUTHOR)
Qin, Guoshuai (AUTHOR)
Wang, Lei (AUTHOR)
Zhao, Minghao (AUTHOR)
Lu, Chunsheng (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). Feb2023, Vol. 16 Issue 3, p1080. 10p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""GALLIUM nitride"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język