Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""GALLIUM nitride"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Full InGaN red light emitting diodes.
Autorzy :
Dussaigne, A. (AUTHOR)
Barbier, F. (AUTHOR)
Damilano, B. (AUTHOR)
Chenot, S. (AUTHOR)
Grenier, A. (AUTHOR)
Papon, A. M. (AUTHOR)
Samuel, B. (AUTHOR)
Ben Bakir, B. (AUTHOR)
Vaufrey, D. (AUTHOR)
Pillet, J. C. (AUTHOR)
Gasse, A. (AUTHOR)
Ledoux, O. (AUTHOR)
Rozhavskaya, M. (AUTHOR)
Sotta, D. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 10/7/2020, Vol. 128 Issue 13, p1-9. 9p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission.
Autorzy :
Hussain, S.
Rahman, Md. M.
Prodhan, Md. T.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Моделювання структури світлодіодів In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN на підкладці ScAlMgO4 (0001) для випромінювання червоного кольору високої інтенсивності
Źródło :
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2020, Vol. 23 Issue 4, p408-414. 7p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
p-type conductivity and damage recovery in implanted GaN annealed by rapid gyrotron microwave annealing.
Autorzy :
Meyers, V. (AUTHOR)
Rocco, E. (AUTHOR)
Anderson, T. J. (AUTHOR)
Gallagher, J. C. (AUTHOR)
Ebrish, M. A. (AUTHOR)
Jones, K. (AUTHOR)
Derenge, M. (AUTHOR)
Shevelev, M. (AUTHOR)
Sklyar, V. (AUTHOR)
Hogan, K. (AUTHOR)
McEwen, B. (AUTHOR)
Shahedipour-Sandvik, F. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 8/28/2020, Vol. 128 Issue 8, p1-8. 8p. 2 Charts, 6 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Terahertz oscillations in gallium nitride quantum-well channels predicted by hot-electron noise temperature behavior at microwave frequency.
Autorzy :
Ramonas, M. (AUTHOR)
Liberis, J. (AUTHOR)
Šimukovič, A. (AUTHOR)
Šermukšnis, E. (AUTHOR)
Matulionis, A. (AUTHOR)
Avrutin, V. (AUTHOR)
Özgür, Ü. (AUTHOR)
Morkoç, H. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 8/7/2020, Vol. 128 Issue 5, p1-10. 10p. 11 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Interplay of intrinsic and extrinsic states in pinning and passivation of m-plane facets of GaN n-p-n junctions.
Autorzy :
Freter, L.
Wang, Y.
Schnedler, M.
Carlin, J.-F.
Butté, R.
Grandjean, N.
Eisele, H.
Dunin-Borkowski, R. E.
Ebert, Ph.
Pokaż więcej
Temat :
SCANNING tunneling microscopy
TUNNELING spectroscopy
SURFACE states
FERMI level
PASSIVATION
DENSITY of states
GALLIUM nitride films
Źródło :
Journal of Applied Physics; 11/14/2020, Vol. 128 Issue 18, p1-8, 8p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies