Temat: "GALLIUM nitride" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Spatial and time-resolved properties of emission enhancement in polar/semi-polar InGaN/GaN by surface plasmon resonance.
Autorzy:: Ikeda, Kento
Kawai, Kanata
Kametani, Jun
Matsuyama, Tetsuya
Wada, Kenji
Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
Okamoto, Koichi; Pokaż więcej
Temat:: SURFACE plasmon resonance
INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
SURFACE plasmons
LIGHT sources
MICROPOLAR elasticity
OTOACOUSTIC emissions
Źródło:: Nanophotonics (21928606); Apr2024, Vol. 13 Issue 8, p1435-1447, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The role of indium composition in InxGa1−xN prestrained layer towards optical characteristics of EBL free GaN/InGaN nanowire LEDs for enhanced luminescence.
Autorzy:: Das, Samadrita
Lenka, Trupti Ranjan
Talukdar, Fazal Ahmed
Nguyen, Hieu Pham Trung
Crupi, Giovanni; Pokaż więcej
Temat:: NANOWIRES
INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
LIGHT emitting diodes
LUMINESCENCE
GALLIUM alloys
STARK effect
Źródło:: International Journal of Numerical Modelling; Mar2024, Vol. 37 Issue 2, p1-11, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Asymmetric Gate and SiC Substrate Grooved InGaN Back‐Barrier AlGaN/GaN HEMTs for High‐Power RF Applications.
Autorzy:: Parvez, Bazila
Sahu, Jyoti
Basak, Subhajit
Patil, Mahalaxmi
Sahu, Arpit
Garg, Gaurav
Ganguly, Swaroop
Saha, Dipankar; Pokaż więcej
Temat:: INDIUM gallium nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
TWO-dimensional electron gas
ELECTRON density
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Mar2024, Vol. 221 Issue 5, p1-5, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Growth and Properties of Ultra-Thin PTCDI-C8 Films on GaN(0001).
Autorzy:: Lament, Katarzyna
Grodzicki, Miłosz
Wasielewski, Radosław
Mazur, Piotr
Ciszewski, Antoni; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
X-ray photoelectron spectroscopy
GALLIUM nitride films
ULTRAHIGH vacuum
SURFACE plates
WETTING
Źródło:: Crystals (2073-4352); Mar2024, Vol. 14 Issue 3, p201, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The dissociation of (a+c) misfit dislocations at the InGaN/GaN interface.
Autorzy:: Smalc‐Koziorowska, J.
Moneta, J.
Muzioł, G.
Chromiński, W.
Kernke, R.
Albrecht, M.
Schulz, T.
Belabbas, I.; Pokaż więcej
Temat:: INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
BUFFER layers
NITRIDES
Źródło:: Journal of Microscopy; Mar2024, Vol. 293 Issue 3, p146-152, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Numerical Evaluation of the Elastic Moduli of AlN and GaN Nanosheets.
Autorzy:: Sakharova, Nataliya A.
Antunes, Jorge M.
Pereira, André F. G.
Chaparro, Bruno M.
Parreira, Tomás G.
Fernandes, José V.; Pokaż więcej
Temat:: YOUNG'S modulus
ALUMINUM gallium nitride
NANOSTRUCTURED materials
GALLIUM nitride
ELASTIC modulus
ALUMINUM nitride
Źródło:: Materials (1996-1944); Feb2024, Vol. 17 Issue 4, p799, 31p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Comparative analysis of selective area grown Ga- and N-polar InGaN/GaN nanowires for quantum emitters.
Autorzy:: Ghosh, Arnob
Khan, Kamruzzaman
Sankar, Shrivatch
Jian, Zhe
Hasan, Syed M. N.
Ahmadi, Elaheh
Arafin, Shamsul; Pokaż więcej
Temat:: NANOWIRES
INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
MOLECULAR beams
COMPARATIVE studies
EPITAXY
GALLIUM alloys
Źródło:: AIP Advances; Feb2024, Vol. 14 Issue 2, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Optical properties of conductive and semi-insulating HVPE-GaN crystals.
Autorzy:: Cao, Wenhao
Wang, Shouzhi
Wang, Guodong
Li, Lili
Yu, Jiaoxian
Liu, Lei
Wang, Zhongxin
Xu, Xiangang
Hao, Han
Zhang, Lei; Pokaż więcej
Temat:: OPTOELECTRONIC devices
OPTICAL properties
GALLIUM nitride
DOPING agents (Chemistry)
LIGHT absorption
CONDUCTION bands
Źródło:: CrystEngComm; 4/7/2024, Vol. 26 Issue 13, p1837-1842, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Enhancing the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes by Incorporating a Junction-Type Last Quantum Barrier.
Autorzy:: Wang, Jun
Xu, Yiman
Wang, Xiaofei
Xu, Zuyu
Gong, Maogao; Pokaż więcej
Temat:: LIGHT emitting diodes
ELECTROLUMINESCENCE
THRESHOLD voltage
GALLIUM nitride
NITRIDES
QUANTUM wells
ELECTROSTATIC fields
Źródło:: Electronics (2079-9292); Apr2024, Vol. 13 Issue 7, p1399, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Monolithically Integrated GaN Power Stage for More Sustainable 48 V DC–DC Converters.
Autorzy:: Basler, Michael
Mönch, Stefan
Reiner, Richard
Benkhelifa, Fouad
Quay, Rüdiger; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
INTEGRATED circuit design
PRODUCT life cycle assessment
DC-to-DC converters
VOLTAGE control
Źródło:: Electronics (2079-9292); Apr2024, Vol. 13 Issue 7, p1351, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Comparative Evaluation of Three-Phase Three-Level Flying Capacitor and Stacked Polyphase Bridge GaN Inverter Systems for Integrated Motor Drives.
Autorzy:: Rohner, Gwendolin
Huber, Jonas
Mirić, Spasoje
Kolar, Johann W.; Pokaż więcej
Temat:: MOTOR drives (Electric motors)
ELECTRIC metal-cutting
GALLIUM nitride
CAPACITORS
POWER transistors
ELECTRIC current rectifiers
CAPACITOR switching
Źródło:: Electronics (2079-9292); Apr2024, Vol. 13 Issue 7, p1259, 28p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Highly Reliable Short-Circuit Protection Circuits for Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistors.
Autorzy:: Kim, Chul-Min
Yoon, Hyun-Soo
Kim, Jong-Soo
Kim, Nam-Joon; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
SHORT circuits
BANDPASS filters
POWER density
ELECTROSTATIC discharges
Źródło:: Electronics (2079-9292); Apr2024, Vol. 13 Issue 7, p1203, 16p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: TCAD simulation study of heavy ion radiation effects on hetero junctionless tunnel field effect transistor.
Autorzy:: Aishwarya, K.
Lakshmi, B.; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
HEAVY ions
GALLIUM nitride
LINEAR energy transfer
RADIATION
SEMICONDUCTOR devices
Źródło:: Scientific Reports; 4/1/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-13, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Deep-potential enabled multiscale simulation of gallium nitride devices on boron arsenide cooling substrates.
Autorzy:: Wu, Jing
Zhou, E.
Huang, An
Zhang, Hongbin
Hu, Ming
Qin, Guangzhao; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
BORON nitride
WIDE gap semiconductors
ARSENIDES
CRYSTAL grain boundaries
GRAIN size
Źródło:: Nature Communications; 3/25/2024, Vol. 15 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Enhanced Performance of Metal‐Semiconductor‐Metal UV Photodetectors on Algan/Gan Hemt Structure via Periodic Nanohole Patterning.
Autorzy:: Razeen, Ahmed S.
Kotekar‐Patil, Dharmraj
Jiang, Mengting
Tang, Eric X.
Yuan, Gao
Ong, Jesper
Wyen, Viet C.
Radhakrishnan, K.
Tripathy, Sudhiranjan; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
PHOTODETECTORS
GALLIUM nitride
CRYSTAL defects
PHOTOCATHODES
Źródło:: Advanced Materials Interfaces; 3/22/2024, Vol. 11 Issue 9, p1-13, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Research Progress in Liquid Phase Growth of GaN Crystals.
Autorzy:: Sun, Defu
Liu, Lei
Wang, Guodong
Yu, Jiaoxian
Li, Qiubo
Tian, Ge
Wang, Benfa
Xu, Xiangang
Zhang, Lei
Wang, Shouzhi; Pokaż więcej
Temat:: WIDE gap semiconductors
CRYSTAL growth
GALLIUM nitride
BREAKDOWN voltage
ELECTRONIC equipment
Źródło:: Chemistry - A European Journal; 3/20/2024, Vol. 30 Issue 17, p1-15, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Improved V th Stability and Gate Reliability of GaN-Based MIS-HEMTs by Employing Alternating O 2 Plasma Treatment.
Autorzy:: Xie, Xinling
Wang, Qiang
Pan, Maolin
Zhang, Penghao
Wang, Luyu
Yang, Yannan
Huang, Hai
Hu, Xin
Xu, Min; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
DIELECTRIC breakdown
STRAY currents
CONDUCTION bands
METAL insulator semiconductors
GALLIUM nitride
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Mar2024, Vol. 14 Issue 6, p523, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: An Extended Temperature Model Based on the Trapping Effect for Drain‐Source Current in GaN HEMTs.
Autorzy:: Wu, Wenwei
Yao, Ruohe
Liu, Yurong
Geng, Kuiwei
Zhu, Yingbin; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
THRESHOLD voltage
GALLIUM nitride
THERMAL conductivity
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Mar2024, Vol. 221 Issue 6, p1-10, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Nano-indentation study of dislocation evolution in GaN-based laser diodes.
Autorzy:: Chen, Jingjing
Su, Xujun
Wang, Guobing
Niu, Mutong
Li, Xinran
Xu, Ke; Pokaż więcej
Temat:: NANOINDENTATION
INDIUM gallium nitride
DISLOCATION density
MULTILAYERS
SEMICONDUCTOR lasers
Źródło:: Discover Nano; 3/7/2024, Vol. 19 Issue 1, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Electrolyte Effect on Photoetching of Gallium Nitride.
Autorzy:: Liang, Huiqiang
Wei, Zhenghao
Fang, Jiongchong
Li, Yanming
Li, Changli
Xie, Zhirun
Ng, Yun Hau
Zeng, Guosong; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
PHOTOGRAVURE
PHOTOELECTROCHEMISTRY
PHOTOELECTROCHEMICAL etching
HYDROCHLORIC acid
Źródło:: Nanomanufacturing & Metrology; 3/6/2024, Vol. 7 Issue 1, p1-14, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""GALLIUM nitride"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język