Autor: "Gassoumi, M." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Gassoumi, M."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 177

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Electric Properties of AlGaN/GaN/Si High electron Mobility Transistors
Autorzy :: Mosbahi, H.
Gassoumi, M.
Bchetnia, A.
Zaidi, M.A.; Pokaż więcej
Źródło :: Silicon. :1-6
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Impedance Characterization of AlGaN/GaN/Si High Electron Mobility Transistors
Autorzy :: Mosbahi, H.
Gassoumi, M.
Zaidi, M. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Silicon. :1-5
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Effect of Ti doping on the structural, morphological and magnetic properties of La0.7Ga0.3Fe1-xTixO3
Autorzy :: Ghanem, R.; Pokaż więcej
Źródło :: In Results in Physics July 2021 26
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Optical properties of quaternary GaMnAsP thin layer grown by molecular beam epitaxy
Autorzy :: Ouerghui, W.; Pokaż więcej
Źródło :: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures July 2021 131
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Electrical characterization of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors.
Autorzy :: Mosbahi, H.
Gassoumi, M. malek.gassoumi@gmail.com
Guesmi, A.
Hamadi, N. Ben
Zaidi, M. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Ovonic Research. Mar/Apr2022, Vol. 18 Issue 2, p159-165. 7p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs
Autorzy :: Jabli, F.Aff1, Aff2
Dhouibi, S.Aff3, Aff5
Gassoumi, M.Aff2, Aff4; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 55(3):379-383
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Summerfield scaling model and conduction processes defining the transport properties of silver substituted half doped (La–Ca) MnO3 ceramic
Autorzy :: Moualhi, Y.; Pokaż więcej
Źródło :: In Ceramics International 15 October 2020 46(15):24710-24717
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Chromium concentration effects on transport and dielectric behavior of lanthanum-gallium ferrite
Autorzy :: Ayachi, S.; Pokaż więcej
Źródło :: In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 August 2020 591
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Magnetic properties and impedance spectroscopic analysis in Pr0.7Ca0.3Mn0.95Fe0.05O3 perovskite ceramic
Autorzy :: Moualhi, Y.
M’nassri, R.
Nofal, Muaffaq M.
Rahmouni, H.
Selmi, A.
Gassoumi, M.Aff1, Aff3
Chniba-Boudjada, N.
Khirouni, K.
Cheikhrouhou, A.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 31(23):21046-21058
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Double Jonscher response and contribution of multiple mechanisms in electrical conductivity processes of Fe-PrCaMnO ceramic
Autorzy :: Moualhi, Y.; Pokaż więcej
Źródło :: In Ceramics International 1 February 2020 46(2):1601-1608
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Characterization of Deep Levels in AlGaN|GaN HEMT by FT-DLTS and Current DLTS
Autorzy :: Gassoumi, M.Aff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(10):1296-1303
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Structural, optical and electrical studies on Mn substituted La0.6Ga0.4FeO3
Autorzy :: Ghanem, R.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Alloys and Compounds 30 June 2019 791:822-832
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes
Autorzy :: Gassoumi, M.Aff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. 62(4):636-641
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Influence of Fe doping on physical properties of charge ordered praseodymium–calcium–manganite material
Autorzy :: Moualhi, Y.
M’nassri, R.
Nofal, Muaffaq M.
Rahmouni, H.
Selmi, A.
Gassoumi, M.Aff1, Aff3
Chniba-Boudjada, N.
Khirouni, K.
Cheikrouhou, A.; Pokaż więcej
Źródło :: The European Physical Journal Plus. 135(10)
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Transport properties of La0.9Sr0.1MnO3 manganite
Autorzy :: Hizi, W.
Rahmouni, H.
Gassoumi, M.Aff1, Aff2
Khirouni, K.
Dhahri, S.; Pokaż więcej
Źródło :: The European Physical Journal Plus. 135(6)
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
Autorzy :: Mosbahi, H.; Pokaż więcej
Źródło :: In Current Applied Physics September 2013 13(7):1359-1364
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 177

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Gassoumi, M."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język