Autor: "Gassoumi, M." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Gassoumi, M."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 116

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electric Properties of AlGaN/GaN/Si High electron Mobility Transistors
Autorzy:: Mosbahi, H.
Gassoumi, M.Aff2, IDs12633021014866_cor2
Bchetnia, A.
Zaidi, M.A.; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 14(13):7417-7422

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Impedance Characterization of AlGaN/GaN/Si High Electron Mobility Transistors
Autorzy:: Mosbahi, H.
Gassoumi, M.Aff2, IDs12633021011647_cor2
Zaidi, M. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 14(8):3899-3903

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Effect of Ti doping on the structural, morphological and magnetic properties of La0.7Ga0.3Fe1-xTixO3
Autorzy:: Ghanem, R.
Nouira, W.
Gassoumi, M.
Belo, J.H.
Veloso, R.C.
Pereira, C.
Araujo, J.P.
Ventura, J.
Khirouni, K.; Pokaż więcej
Źródło:: In Results in Physics July 2021 26

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optical properties of quaternary GaMnAsP thin layer grown by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Ouerghui, W.
Gassoumi, M.
Beji, L.
Maaref, M.A.; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures July 2021 131

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs
Autorzy:: Jabli, F.Aff1, Aff2
Dhouibi, S.Aff3, Aff5
Gassoumi, M.Aff2, Aff4; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 55(3):379-383

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Magnetic properties and impedance spectroscopic analysis in Pr0.7Ca0.3Mn0.95Fe0.05O3 perovskite ceramic
Autorzy:: Moualhi, Y.
M’nassri, R.
Nofal, Muaffaq M.
Rahmouni, H.
Selmi, A.
Gassoumi, M.Aff1, Aff3
Chniba-Boudjada, N.
Khirouni, K.
Cheikhrouhou, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 31(23):21046-21058

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Characterization of Deep Levels in AlGaN|GaN HEMT by FT-DLTS and Current DLTS
Autorzy:: Gassoumi, M.Aff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(10):1296-1303

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes
Autorzy:: Gassoumi, M.Aff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. 62(4):636-641

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Electrical characterization of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors.
Autorzy:: Mosbahi, H.
Gassoumi, M. malek.gassoumi@gmail.com
Guesmi, A.
Hamadi, N. Ben
Zaidi, M. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Ovonic Research. Mar/Apr2022, Vol. 18 Issue 2, p159-165. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Influence of Fe doping on physical properties of charge ordered praseodymium–calcium–manganite material
Autorzy:: Moualhi, Y.
M’nassri, R.
Nofal, Muaffaq M.
Rahmouni, H.
Selmi, A.
Gassoumi, M.Aff1, Aff3
Chniba-Boudjada, N.
Khirouni, K.
Cheikrouhou, A.; Pokaż więcej
Źródło:: The European Physical Journal Plus. 135(10)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Transport properties of La0.9Sr0.1MnO3 manganite
Autorzy:: Hizi, W.
Rahmouni, H.
Gassoumi, M.Aff1, Aff2
Khirouni, K.
Dhahri, S.; Pokaż więcej
Źródło:: The European Physical Journal Plus. 135(6)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
Autorzy:: Mosbahi, H.
Gassoumi, M.
Saidi, Imen
Mejri, Houcine
Gaquière, C.
Zaidi, M.A.
Maaref, H.; Pokaż więcej
Źródło:: In Current Applied Physics September 2013 13(7):1359-1364

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT’s on SiC substrates
Autorzy:: Gassoumi, M.
Ben Salem, M.M.
Saadaoui, S.
Grimbert, B.
Fontaine, J.
gaquiere, C.
Maaref, H.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 2011 88(4):370-372

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Deep levels and nonlinear characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon carbide substrate
Autorzy:: Gassoumi, M.
Bluet, J.M.
Gaquière, C.
Guillot, G.
Maaref, H.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronics Journal 2009 40(8):1161-1165

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 116

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Gassoumi, M."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język