Autor: "Gavva V" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Isotopically Enriched Silicon, Germanium, and Their Hydrides for Quantum Computer Development
Autorzy:: Troshin, O. Yu.Aff1, IDS0020168523110134_cor1
Gavva, V. A.
Lashkov, A. Yu.
Sozin, A. Yu.
Adamchik, S. A.
Potapov, A. M.
Otopkova, P. A.
Bulanov, A. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. 59(11):1163-1171

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Preparation of Single-Crystal Isotopically Enriched Ge by a Hydride Method
Autorzy:: Gavva, V. A.Aff1, IDS0020168522030050_cor1
Troshin, O. Yu.
Adamchik, S. A.
Lashkov, A. Yu.
Abrosimov, N. V.
Gibin, A. M.
Otopkova, P. A.
Sozin, A. Yu.
Bulanov, A. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. 58(3):246-251

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Preparation of Isotopically Enriched Polycrystalline Germanium via Monogermane Pyrolysis
Autorzy:: Lipskiy, V. A.
Gavva, V. A.
Bulanov, A. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. 56(3):223-228

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Preparation of Single-Crystal Isotopically Enriched Ge by a Hydride Method.
Autorzy:: Gavva, V. A. (AUTHOR) gavva@ihps-nnov.ru
Troshin, O. Yu. (AUTHOR)
Adamchik, S. A. (AUTHOR)
Lashkov, A. Yu. (AUTHOR)
Abrosimov, N. V. (AUTHOR)
Gibin, A. M. (AUTHOR)
Otopkova, P. A. (AUTHOR)
Sozin, A. Yu. (AUTHOR)
Bulanov, A. D. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. Mar2022, Vol. 58 Issue 3, p246-251. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Sources of Carbon Impurities in the Preparation of High-Purity Monoisotopic Si by a Hydride Method
Autorzy:: Bulanov, A. D.Aff1, Aff2
Gavva, V. A.
Sozin, A. Yu.
Churbanov, M. F.Aff1, Aff2
Kotereva, T. V.
Kirillov, Yu. P.
Lashkov, A. Yu.
Troshin, O. Yu.Aff1, Aff2
Sorochkina, T. G.
Chernova, O. Yu.
Abrosimov, N. V.
Shabarova, L. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. 54(10):977-983

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Epitaxially Grown Monoisotopic Si, Ge, and Si1–x Ge x Alloy Layers: Production and Some Properties
Autorzy:: Detochenko, A. P.
Denisov, S. A.
Drozdov, M. N.
Mashin, A. I.
Gavva, V. A.
Bulanov, A. D.
Nezhdanov, A. V.
Ezhevskii, A. A.
Stepikhova, M. V.
Chalkov, V. Yu.
Trushin, V. N.
Shengurov, D. V.
Shengurov, V. G.
Abrosimov, N. V.
Riemann, H.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. March 2016 50(3):345-348

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: IR absorption and Raman spectra of single crystals of stable germanium isotopes
Autorzy:: Gavva, V. A.
Kotereva, T. V.
Lipskiy, V. A.
Nezhdanov, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Optics and Spectroscopy. February 2016 120(2):255-259

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Germanium–vacancy color center in isotopically enriched diamonds synthesized at high pressures
Autorzy:: Ekimov, E. A.
Lyapin, S. G.
Boldyrev, K. N.
Kondrin, M. V.
Khmelnitskiy, R.
Gavva, V. A.
Kotereva, T. V.
Popova, M. N.; Pokaż więcej
Źródło:: JETP Letters: JETP Letters. December 2015 102(11):701-706

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Heat capacity of high-purity isotope-enriched germanium-76 in the temperature range of 2–15 K
Autorzy:: Gusev, A. V.
Gibin, A. M.
Andryushchenko, I. A.
Gavva, V. A.
Kozyrev, E. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. September 2015 57(9):1917-1919

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Isotopic effects in the infrared absorption spectra of electrically active impurities in silicon 28, 29, and 30 with high isotopic enrichment
Autorzy:: Kotereva, T. V.
Gusev, A. V.
Gavva, V. A.
Kozyrev, E. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. December 2013 42(8):453-457

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Monoisotopic silicon Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors
Autorzy:: Ezhevskii, A. A.
Popkov, S. A.
Soukhorukov, A. V.
Guseinov, D. V.
Gavva, V. A.
Gusev, A. V.
Abrosimov, N. V.
Riemann, H.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. February 2013 47(2):203-208

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Thermal conductivity of the single-crystal monoisotopic Si in the temperature range 2.4–410 K
Autorzy:: Inyushkin, A. V.
Taldenkov, A. N.
Gusev, A. V.
Gibin, A. M.
Gavva, V. A.
Kozyrev, E. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. January 2013 55(1):235-239

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Crucibles for Czochralski growth of isotopically enriched silicon single crystals
Autorzy:: Gusev, A. V.
Gavva, V. A.
Kozyrev, E. A.
Riemann, H.
Abrosimov, N. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. December 2013 49(12):1167-1169

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: High-purity single-crystal monoisotopic silicon-28 for precise determination of Avogadro’s number
Autorzy:: Devyatykh, G. G.
Bulanov, A. D.
Gusev, A. V.
Kovalev, I. D.
Krylov, V. A.
Potapov, A. M.
Sennikov, P. G.
Adamchik, S. A.
Gavva, V. A.
Kotkov, A. P.
Churbanov, M. F.
Dianov, E. M.
Kaliteevskii, A. K.
Godisov, O. N.
Pohl, H. -J.
Becker, P.
Riemann, H.
Abrosimov, N. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Doklady Chemistry. July 2008 421(1):157-160

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Determination of oxygen and carbon impurities in polycrystalline silicon by IR spectrometry
Autorzy:: Kovalev, I. D.
Kotereva, T. V.
Gusev, A. V.
Gavva, V. A.
Ovchinnikov, D. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Analytical Chemistry. March 2008 63(3):248-252

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Preparation of single-crystal Si
Autorzy:: Gusev, A. V.
Gavva, V. A.
Kozyrev, E. A.
Potapov, A. M.
Plotnichenko, V. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. July 2011 47(7):691-693

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Thermal Conductivity of Si from 80 to 300 K
Autorzy:: Gusev, A. V.
Gibin, A. M.
Morozkin, O. N.
Gavva, V. A.
Mitin, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. November 2002 38(11):1100-1102

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Gavva V"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji