Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Gelczuk, Ł."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy.
Autorzy :
Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Kolkovsky, Vl.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Gotszalk, T.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
EPITAXIAL layers
ELECTRON emission
CONDUCTION bands
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-6, 6p, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Origin and annealing of deep-level defects in GaNAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
Autorzy :
Gelczuk, Ł.
Stokowski, H.
DŁbrowska-Szata, M.
Kudrawiec, R.
Pokaż więcej
Temat :
ANNEALING of semiconductors
METAL organic chemical vapor deposition
EPITAXY
ENERGY gaps (Physics)
THERMAL oxidation (Materials science)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p185706-1-185706-8, 8p, 1 Chart, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Deep traps and optical properties of partially strain-relaxed InGaAs/GaAs heterostructures
Autorzy :
Gelczuk, Ł.
Pokaż więcej
Źródło :
In E-MRS 2007, Symposium B: Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications, Materials Science & Engineering B 2008 147(2):166-170
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies