Autor: "Gelczuk, Ł." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Kolkovsky, Vl.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Gotszalk, T.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
EPITAXIAL layers
ELECTRON emission
CONDUCTION bands
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-6, 6p, 2 Charts, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Strain relaxation induced surface morphology of heterogeneous GaInNAs layers grown on GaAs substrate
Autorzy :: Gelczuk, Ł.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Crystal Growth 15 July 2017 470:108-112
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE
Autorzy :: Gelczuk, Ł.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Crystal Growth 15 November 2015 430:14-20
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Correlation between barrier inhomogeneities of 4H-SiC 1 A/600 V Schottky rectifiers and deep-level defects revealed by DLTS and Laplace DLTS
Autorzy :: Gelczuk, Ł.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics September 2014 99:1-6
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Characterization of deep electron traps in 4H-SiC Junction Barrier Schottky rectifiers
Autorzy :: Gelczuk, Ł.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics April 2014 94:56-60
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Origin and annealing of deep-level defects in GaNAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
Autorzy :: Gelczuk, Ł.
Stokowski, H.
DŁbrowska-Szata, M.
Kudrawiec, R.; Pokaż więcej
Temat :: ANNEALING of semiconductors
METAL organic chemical vapor deposition
EPITAXY
ENERGY gaps (Physics)
THERMAL oxidation (Materials science)
Źródło :: Journal of Applied Physics; 5/14/2016, Vol. 119 Issue 18, p185706-1-185706-8, 8p, 1 Chart, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Deep traps and optical properties of partially strain-relaxed InGaAs/GaAs heterostructures
Autorzy :: Gelczuk, Ł.; Pokaż więcej
Źródło :: In E-MRS 2007, Symposium B: Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications, Materials Science & Engineering B 2008 147(2):166-170
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Anisotropic misfit strain relaxation in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOVPE
Autorzy :: Gelczuk, Ł.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Crystal Growth 2008 310(12):3014-3018
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Identification of nitrogen- and host-related deep-level traps in n-type GaNAs and their evolution upon annealing.
Autorzy :: Gelczuk, Ł.
Kudrawiec, R.
Henini, M.; Pokaż więcej
Temat :: DOPED semiconductors
DEEP level transient spectroscopy
NITROGEN
NITROGEN content of metals
PHOTOLUMINESCENCE
ENERGY gaps (Physics)
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 1, p013705-1-013705-9, 9p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Electronic states at misfit dislocations in partially relaxed InGaAs/GaAs heterostructures
Autorzy :: Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Jóźwiak, G.
Radziewicz, D.; Pokaż więcej
Źródło :: In Physica B: Physics of Condensed Matter 2007 388(1):195-199
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: DLTS Investigations of (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantum Wells before and after Rapid Thermal Annealing.
Autorzy :: Gelczuk, Ł lukasz.gelczuk@pwr.edu.pl
DĄbrowska-Szata, M.
Pucicki, D.; Pokaż więcej
Źródło :: Acta Physica Polonica, A.. 2014, Vol. 126 Issue 5, p1195-1198. 4p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Anisotropic strain relaxation and surface morphology related to asymmetry in the formation of misfit dislocations in InGaAs/GaAs heterostructures.
Autorzy :: Gelczuk, Ł. lukasz.gelczuk@pwr.wroc.pl
Dąbrowska-Szata, M.
Serafińczuk, J.
Masalska, A.
Łusakowska, E.
Dłużewski, P.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science (0137-1339). 2008, Vol. 26 Issue 1, p157-166. 10p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Distinguishing and identifying point and extended defects in DLTS measurements.
Autorzy :: Gelczuk, Ł. lukasz.gelczuk@pwr.wroc.pl
ąbrowska-Szata, M.
Jóźwiak, G.; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Science (0137-1339). 2005, Vol. 23 Issue 3, p625-641. 17p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Gelczuk, Ł."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język