Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Germain, Marianne"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Gallium nitride MEMS resonators: how residual stress impacts design and performances
Autorzy :
Morelle, Christophe
Théron, Didier
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Zhang, Victor
Buchaillot, Lionel
Grimbert, Bertrand
Tilmant, Pascal
Vaurette, François
Roch-Jeune, Isabelle
Brandli, Virginie
Avramovic, Vanessa
Okada, Etienne
Faucher, Marc
Pokaż więcej
Źródło :
Microsystem Technologies: Micro- and NanosystemsInformation Storage and Processing Systems. :1-7
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures
Autorzy :
Kabouche, Riad
Abid, Idriss
Püsche, Roland
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Tajalli, Alaleh
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2019, pp.1900687. ⟨10.1002/pssa.201900687⟩
Tytuł :
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
Autorzy :
Kabouche, Riad
Pecheux, Romain
Harrouche, Kathia
Okada, Etienne
Medjdoub, Farid
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Gucmann, Filip
Middleton, Callum
Pomeroy, James
Kuball, Martin
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
International Journal of High Speed Electronics and Systems
International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2019, 28 (01n02), pp.1940003. ⟨10.1142/S0129156419400032⟩
Tytuł :
1900 V, 1.6 mΩ cm2 AlN/GaN-on-Si power devices realized by local substrate removal
Autorzy :
Herbecq, Nicolas
Roch-Jeune, Isabelle
Rolland, Nathalie
Visalli, Domenica
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Źródło :
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, Japan Society of Applied Physics, 2014, 7 (3), 034103, 3 p. ⟨10.7567/APEX.7.034103⟩
Tytuł :
A high-efficiency, high-frequency boost converter using enhancement mode GaN DHFETs on silicon
Autorzy :
Everts, Jordi
Das, Jo
Van den Keybus, Jeroen
Genoe, Jan
Germain, Marianne
Driesen, Johan
Pokaż więcej
Temat :
GaN DHFET
GaN
high-frequency
high-efficiency
wide bandgap
gallium nitride
E-mode
boost converter
Źródło :
STARTPAGE=3296;ENDPAGE=3302;TITLE=Proceedings of the IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE 2010), 12-16 September 2010, Atlanta, Georgia
Proceedings of the IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE 2010), 12-16 September 2010, Atlanta, Georgia, 3296 - 3302
Tytuł :
Electrical characterization of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by thermal admittance spectroscopy
Autorzy :
Nguyen, Ngoc Duy
Schmeits, Marcel
Germain, Marianne
Schineller, Bernd
Heuken, Michael
Pokaż więcej
Temat :
InGaN
GaN
Quantum Well
Electrical characterization
Admittance spectroscopy
Physics [Physical, chemical, mathematical & earth Sciences]
Physique [Physique, chimie, mathématiques & sciences de la terre]
Źródło :
Electrical characterization of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures by thermal admittance spectroscopy. Phys Status Solidi C, Curr Top in Solid State Phys, 288.Berlin, GermanyWiley. (2002).
Tytuł :
Experimental and theoretical investigations of the electrical properties of undoped and magnesium-doped GaN layers
Autorzy :
Nguyen, Ngoc Duy
Germain, Marianne
Schmeits, Marcel
Evrard, Roger
Schineller, Bernd
Heuken, Michael
Pokaż więcej
Temat :
GaN
Mg-doped GaN
Electrical characterization
Thermal admittance spectroscopy
Physics [Physical, chemical, mathematical & earth Sciences]
Physique [Physique, chimie, mathématiques & sciences de la terre]
Źródło :
Journal of Crystal Growth, 230, 596. Amsterdam, The Netherlands: Elsevier Science (2001).
Tytuł :
Investigation of defect levels in Mg-doped GaN Schottky structures by thermal admittance spectroscopy
Autorzy :
Nguyen, Ngoc Duy
Germain, Marianne
Schmeits, Marcel
Schineller, Bernd
Heuken, Michael
Pokaż więcej
Temat :
Mg [GaN]
Schottky diode
Defect level
Admittance spectroscopy
Physics [Physical, chemical, mathematical & earth Sciences]
Physique [Physique, chimie, mathématiques & sciences de la terre]
Źródło :
Physica Status Solidi B. Basic Research, 228, 385. Berlin, Germany: Wiley (2001).

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies