Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Gopman, Daniel B."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-16 z 16
    Tytuł:
    Perpendicular magnetic anisotropy, tunneling magnetoresistance and spin-transfer torque effect in magnetic tunnel junctions with Nb layers
    Autorzy:
    Zhou, Bowei
    Khanal, Pravin
    Benally, Onri Jay
    Lyu, Deyuan
    Gopman, Daniel B.
    Enriquez, Arthur
    Habiboglu, Ali
    Warrilow, Kennedy
    Wang, Jian-Ping
    Wang, Wei-GangAff1, IDs41598023297520_cor10
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific Reports. 13(1)
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Sputtered L10‐FePd and its Synthetic Antiferromagnet on Si/SiO2 Wafers for Scalable Spintronics.
    Autorzy:
    Lyu, Deyuan
    Shoup, Jenae E.
    Huang, Dingbin
    García‐Barriocanal, Javier
    Jia, Qi
    Echtenkamp, William
    Rojas, Geoffrey A.
    Yu, Guichuan
    Zink, Brandon R.
    Wang, Xiaojia
    Gopman, Daniel B.
    Wang, Jian‐Ping
    Pokaż więcej
    Temat:
    PERPENDICULAR magnetic anisotropy
    SPINTRONICS
    X-ray diffraction measurement
    THIN films
    TRANSMISSION electron microscopy
    Źródło:
    Advanced Functional Materials; 5/2/2023, Vol. 33 Issue 18, p1-10, 10p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Reduction-Induced Magnetic Behavior in LaFeO 3-δ Thin Films.
    Autorzy:
    Arndt ND; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Hershkovitz E; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Shah L; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Kjærnes K; Department of Electronic Systems, NTNU-Norwegian University of Science and Technology, 7491 Trondheim, Norway.
    Yang CY; Department of Materials Science and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu 300093, Taiwan.
    Balakrishnan PP; NIST Center for Neutron Research, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MA 20899, USA.
    Shariff MS; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Tauro S; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Gopman DB; Materials Science and Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MA 20899, USA.
    Kirby BJ; NIST Center for Neutron Research, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MA 20899, USA.
    Grutter AJ; NIST Center for Neutron Research, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MA 20899, USA.
    Tybell T; Department of Electronic Systems, NTNU-Norwegian University of Science and Technology, 7491 Trondheim, Norway.
    Kim H; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Need RF; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Materials (Basel, Switzerland) [Materials (Basel)] 2024 Mar 04; Vol. 17 (5). Date of Electronic Publication: 2024 Mar 04.
    Typ publikacji:
    Journal Article
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
      Wyświetlanie 1-16 z 16

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies