Comparative study of semipolar [formula omitted], nonpolar [formula omitted] and polar [formula omitted] InGaN multi-quantum well structures grown under N- and In-excess by plasma assisted molecular beam epitaxy
Deep level transient spectroscopy signatures of majority traps in GaN p–n diodes grown by metal-organic vapor-phase epitaxy technique on GaN substrates
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
W koszyku znajdują się zamówienia
W koszyku znajdują się zamówienia do wysłania. Czy chcesz wysłać je do realizacji?
