Autor: "Grzanka, S." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy.
Autorzy :: Staszczak, G.
Gorczyca, I.
Grzanka, E.
Smalc‐Koziorowska, J.
Targowski, G.
Czernecki, R.
Siekacz, M.
Grzanka, S.
Skierbiszewski, C.
Schulz, T.
Christensen, N. E.
Suski, T.; Pokaż więcej
Temat :: INDIUM gallium nitride
ENERGY gaps (Physics)
SUPERLATTICES
METAL organic chemical vapor deposition
METAL microstructure
Źródło :: Physica Status Solidi (B); Aug2017, Vol. 254 Issue 8, pn/a-N.PAG, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: True-blue laser diodes grown by plasma-assisted MBE on bulk GaN substrates.
Autorzy :: Muziol, G.
Turski, H.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Sawicka, M.
Grzanka, S.
Perlin, P.
Suski, T.
Wasilewski, Z. R.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.; Pokaż więcej
Temat :: SEMICONDUCTOR lasers
SEMICONDUCTOR research
MOLECULAR beam epitaxy
WAVEGUIDES
EPITAXIAL layers
Źródło :: Physica Status Solidi (C); Apr2014, Vol. 11 Issue 3/4, p666-669, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: InGaN light emitting diodes for 415 nm-520 nm spectral range by plasma assisted MBE.
Autorzy :: Siekacz, M
Szańkowska, M. Ł.
Feduniewicz-Zmuda, A.
Smalc-Koziorowska, J.
Cywiński, G.
Grzanka, S.
Wasilewski, Z. R.
Grzegory, I.
Łucznik, B.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); Jun2009 Supplement, Vol. 6, pS917-S920, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Optical properties of InGaN/GaN quantum wells on sapphire and bulk GaN substrate.
Autorzy :: Dworzak, M.
Stempel, T.
Hoffmann, A.
Franssen, G.
Grzanka, S.
Suski, T.
Czernecki, R.
Leszczynski, M.
Grzegory, I.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); Jun2006, Vol. 3 Issue 6, p2078-2081, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Group III-nitride distributed Bragg reflectors and resonant cavities grown on bulk GaN crystals by metalorganic vapour phase epitaxy.
Autorzy :: Schenk, H. P. D.
Czernecki, R.
Krowicki, K.
Targowski, G.
Grzanka, S.
Krysko, M.
Prystawko, P.
Wisniewski, P.
Leszczynski, M.
Teisseyre, H.
Franssen, G.
Muszalski, J.
Suski, T.
Perlin, P.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); 2004, Vol. 1 Issue 6, p1537-1548, 12p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: GaN based light emitters fabricated on bulk GaN substrates. New class of low dislocation density devices.
Autorzy :: Perlin, P.
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Franssen, G.
Grzanka, S.
Wiśniewski, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); 2004, Vol. 1 Issue 6, p1505-1510, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Interplay of stimulated emission and Auger-like effect in violet and blue InGaN laser diodes.
Autorzy :: Grzanka, S.
Perlin, P.
Czernecki, R.
Marona, L.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Leszczyński, M.
Khachapuridze, A.
Goss, J.
Schwarz, U. T.
Suski, T.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); Jul2010, Vol. 7 Issue 7/8, p1835-1837, 3p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Influence of substrate misorientation on properties of InGaN layers grown on freestanding GaN.
Autorzy :: Franssen, G.
Suski, T.
Kryśko, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Krukowski, S.
Khachapuridze, A.
Czernecki, R.
Grzanka, S.
Mensz, P.
Leszczyński, M.
Porowski, S.
Albrecht, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); May2008, Vol. 5 Issue 6, p1485-1487, 3p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Gain mechanisms in field-free InGaN layers grown on sapphire and bulk GaN substrate.
Autorzy :: Dworzak, M.
Stempel Pereira, T.
Bügler, M.
Hoffmann, A.
Franssen, G.
Grzanka, S.
Suski, T.
Czernecki, R.
Leszczynski, M.
Grzegory, I.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters; 2007, Vol. 1 Issue 4, p141-143, 3p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja