Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Grzanka, S."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Hole carrier concentration and photoluminescence in magnesium doped InGaN and GaN grown on sapphire and GaN misoriented substrates.
Autorzy :
Suski, T.
Staszczak, G.
Grzanka, S.
Czernecki, R.
Litwin-Staszewska, E.
Piotrzkowski, R.
Dmowski, L. H.
Khachapuridze, A.
Kryśko, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Pokaż więcej
Temat :
MAGNESIUM
INDIUM
GALLIUM nitride
SUBSTRATES (Materials science)
PHOTOLUMINESCENCE
SAPPHIRES
Źródło :
Journal of Applied Physics; Aug2010, Vol. 108 Issue 2, p023516, 6p, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Carrier recombination mechanisms in nitride single quantum well light-emitting diodes revealed by photo- and electroluminescence.
Autorzy :
Grzanka, S.
Franssen, G.
Targowski, G.
Czernecki, R.
Khachapuridze, A.
Makarowa, I.
Wisniewska, R.
Mensz, P.
Perlin, P.
Suski, T.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
NITRIDES
QUANTUM wells
RECOMBINATION in semiconductors
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
Źródło :
Journal of Applied Physics; Nov2008, Vol. 104 Issue 9, p094504, 4p, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes.
Autorzy :
Stanczyk, S.
Czyszanowski, T.
Kafar, A.
Goss, J.
Grzanka, S.
Grzanka, E.
Czernecki, R.
Bojarska, A.
Targowski, G.
Leszczynski, M.
Suski, T.
Kucharski, R.
Perlin, P.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
SEMICONDUCTOR lasers
METAL organic chemical vapor deposition
EPITAXY
LASERS
Źródło :
Applied Physics Letters; Dec2013, Vol. 103 Issue 26, p261107, 4p, 1 Chart, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ultraviolet laser diodes grown on semipolar [formula] GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Sawicka, M.
Muziol, G.
Turski, H.
Grzanka, S.
Grzanka, E.
Smalc-Koziorowska, J.
Weyher, J. L.
Chèze, C.
Albrecht, M.
Kucharski, R.
Perlin, P.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
ULTRAVIOLET lasers
SEMICONDUCTOR lasers
MOLECULAR beam epitaxy
SUBSTRATES (Materials science)
CURRENT density (Electromagnetism)
ELECTRIC potential
HETEROSTRUCTURES
TRANSMISSION electron microscopy
Źródło :
Applied Physics Letters; 6/24/2013, Vol. 102 Issue 25, p251101, 4p, 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 1 Graph
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ultraviolet light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semipolar GaN [formula] substrates.
Autorzy :
Sawicka, M.
Chèze, C.
Turski, H.
Muziol, G.
Grzanka, S.
Hauswald, C.
Brandt, O.
Siekacz, M.
Kucharski, R.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Krysko, M.
Grzanka, E.
Sochacki, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM wells
OPTOELECTRONIC devices
EPITAXY
Źródło :
Applied Physics Letters; 3/18/2013, Vol. 102 Issue 11, p111107, 4p, 1 Color Photograph, 2 Charts, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
InGaN laser diodes operating at 450-460 nm grown by rf-plasma MBE.
Autorzy :
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Turski, H.
Muzioł, G.
Sawicka, M.
Feduniewicz-Żmuda, A.
Smalc-Koziorowska, J.
Perlin, P.
Grzanka, S.
Wasilewski, Z. R.
Kucharski, R.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM arsenide epitaxy
SCHOTTKY barrier diodes
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM well lasers
WAVELENGTHS
NITROGEN
Źródło :
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Mar2012, Vol. 30 Issue 2, p02B102, 5p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies