- Tytuł:
- Improved Switching and Analog/RF Behaviour of SiGe Heterojunction Dielectric Modulated Dual Material Nano Silicon Tunnel FET for Low Power Applications
- Autorzy:
- Źródło:
- Silicon. 16(3):1297-1308
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.